随着硅半导体材料主导的摩尔定律逐渐走向其物理极限，以第三代半导体为代表的化合物半导体满足光电子、微波射频和高效功率电子等

以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等为代表的第三代先进半导体器件是全球智能、绿色、可持续发展的重要支撑力量，其在光电子，射频

2023年7月26-28日，2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛将于西安召开。西安电子科技大学微电子学院在读博士研究生王逸飞

GaN基HEMTs因其在高压、大功率、高温等领域的应用前景而备受关注。由于GaN的宽禁带和高击穿场强，Gan基器件可以提供更快的开关速

2023年7月26-28日，2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛将于西安召开。中国电子科技集团公司第十三研究所重点实验室副主

随着硅半导体材料主导的摩尔定律逐渐走向其物理极限，以第三代半导体为代表的化合物半导体满足光电子、微波射频和高效功率电子等

2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛将于7月26-28日在西安召开。

近日，中国科大微电子学院两篇论文入选第35届功率半导体器件和集成电路国际会议（IEEE ISPSD，全称：IEEE International Symposi

半导体产业网讯：第35届功率半导体器件和集成电路国际会议(International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs，I

高新科技领域是国家综合实力的体现，中国半导体市场正在获得前所未有的重视和发展机遇，而作为我国最大的功率半导体器件制造商之

单片三维集成是集成电路在后摩尔时代的重要发展方向，存储与逻辑的单片集成可以大幅提升系统的带宽与能效，是解决当前集成电路领

2022上半年，第三代半导体器件种类逐渐丰富，供应链紧缺得到缓解，供不应求的情况好转，产品价格继续回落，价差进一步缩小；消费

近日，中国科大微电子学院龙世兵教授课题组两篇论文入选第34届功率半导体器件和集成电路国际会议（ISPSD，全称为：IEEE Internat

近日，南方科技大学深港微电子学院教授于洪宇课题组和助理教授李携曦课题组在宽禁带半导体功率器件领域取得系列进展，

4月22日，顺义区举行重点项目云签约及新闻发布活动，共25个项目签约落地。