超宽禁带半导体材料以其宽广的能隙、高电子迁移率和出色的热导性，在高频、高速和大功率电子器件领域发挥着关键作用。随着技术进步和市场需求的推动，这一领域将继续迎来更多的发展机遇和挑战。同时，随着5G通信、新能源汽车、人工智能等领域的快速发展，超宽禁带半导体材料的应用场景也将进一步拓展，为整个半导体产业的进步注入新的动力。
2024年11月18-21日，第十届国际第三代半导体论坛（IFWS2024）&第二十一届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA2024）、先进半导体技术应用创新展（CASTAS）将在苏州国际博览中心举办。 本届论坛由苏州实验室、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）主办，国家第三代半导体技术创新中心（苏州）(NCTIAS)、江苏第三代半导体研究院、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。
除了重量级开幕大会，论坛设有五大热点主题技术分会，以及多场产业峰会和先进半导体技术应用创新展。目前，作为IFWS的重要分会之一的“超宽禁带半导体技术分会I/ II”最新报告日程正式出炉。电子科技大学教授罗小蓉，中国科学技术大学微电子学院执行院长、教授龙世兵，中山大学教授王钢，南京大学教授叶建东，西安电子科技大学教授张金风，西安交通大学教授王宏兴，大阪公立大学教授梁剑波将受邀共同主持本届分会。
届时，深圳平湖实验室第四代半导体首席科学家、新加坡工程院院士张道华,皇家墨尔本大学微纳研究院研究员徐承龙，南京邮电大学副教授/苏州镓和半导体研发总监李山，弗吉尼亚理工大学电力电子中心副教授张宇昊，大连理工大学副教授张赫之，沙特国王科技大学Kishor Upadhyaya，哈尔滨工业大学（深圳）副教授孙华锐，电子科技大学魏雨夕，西安交通大学教授王宏兴，大阪公立大学教授梁剑波，马来西亚理科大学纳米光电子研究与技术研究所副教授Mohd Syamsul Nasyriq Bin Samsol Baharin，北方工业大学副教授张旭芳，哈尔滨工业大学教授代兵，西安电子科技大学教授张金风，复旦大学教授桑立雯，中国科学院上海微系统与信息技术研究所，研究员王浩敏，中国电子科技集团公司第五十五研究所正高级工程师郭怀新，西安电子科技大学副教授任泽阳，香港科技大学电子及计算机工程系副教授黄文海，西安电子科技大学副教授李伯昌，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生所副研究员赵宇坤，厦门大学副研究员龙浩，中国科学技术大学微电子学院执行院长、教授龙世兵，福建晶旭半导体科技有限公司外延研发总监，中山大学副教授陈梓敏，武汉大学教授张召富，郑州大学屈艺谱， 复旦大学祁鑫等多位来自国内外科研院校知名专家及实力派企业嘉宾将出席论坛并带来精彩主题分享，围绕超宽禁带技术主题共同探讨，关注前沿发展趋势及最新动向，敬请关注！
分会详细日程
|
技术分会：超宽禁带半导体技术 I Technical Sub-Forum：SiC Power Electronics Devices and Packaging Technology I |
|
|
时间：2024年11月20日09:00-17:40 地点：苏州国际博览中心G馆 • G106 Time: Nov 20, 09:00-17:40 Location: Suzhou International Expo Centre • G106 |
|
|
主持人 罗小蓉-电子科技大学教授、 Moderator 龙世兵-中国科学技术大学微电子学院执行院长、教授 |
|
|
09:00-09:05 |
嘉宾致辞 & 合影 / Opening Address & Group Photo Shooting |
|
09:00-09:20 |
超宽禁带半导体氧化镓和氮化铝特性研究 Research on the Characteristics of Ultra-wide Bandgap Semiconductor GaO and AlN 张道华——深圳平湖实验室第四代半导体首席科学家、新加坡工程院院士 ZHANG Daohua——Chief Scientist of fourth-generation Semiconductors of Shenzhen Pinghu Laboratory |
|
09:20-09:40 |
氧化镓高导热异质集成射频器件 high thermal conductivity heterogeneous integrated RF devices for Ga₂O₃ 叶建东——南京大学教授 YE Jiandong——Professor of Nanjing University |
|
09:40-10:00 |
基于液态金属打印和飞秒激光照射的高性能原子薄Ga₂O₃气体传感器 High-Performance atomically thin Ga₂O₃ Gas Sensors via Liquid metal Printing and Femtosecond Laser Irradiation 徐承龙——皇家墨尔本大学微纳研究院研究员 XU Chenglong——Professor of Micro Nano Research Facility, STEM College, RMIT University |
|
10:00-10:15 |
氧化镓PECVD外延生长及光电信息感知器件研究Research on PECVD epitaxial growth of gallium oxide and the photoelectric information sensing devices
李山--南京邮电大学副教授/苏州镓和半导体研发总监 LI Shan--Associate Professor, Nanjing University of Posts and Telecommunications、R&D director of Suzhou GAO Semiconductor Co. Ltd. |
|
10:15-10:30 |
茶歇 / Coffee Break |
|
10:30-10:50 |
面向的Ga2O3功率器件应用：封装、鲁棒性和多维器件 Ga2O3 Power Device Toward Application: Packaging, Robustness, and Multidimensional Devices 张宇昊——弗吉尼亚理工大学电力电子中心副教授 ZHAGN Yuhao——Associate Professor of Center for Power Electronics Systems at Virginia Tech |
|
10:50-11:10 |
氧化镓中缺陷扩展及模型Defect expansion and model in gallium oxide 张赫之 大连理工大学副教授 ZHANG Hezhi Associate Professor, Dalian University of Technology |
|
11:10-11:25 |
通过改进点缺陷提高Β-Ga2O3光电探测器性能的协同方法 A Synergistic Approach to Improve Β-Ga2O3 Photodetector Performance via Modulation of Point Defect Kishor Upadhyaya——沙特国王科技大学 Kishor Upadhyaya——Research Fellow of KAUST, SAUDI Arabia |
|
11:25-11:40 |
氧化镓材料和电子器件的热特性 Thermal Characteristics of Ga2O3 Materials and Electronic Devices 孙华锐——哈尔滨工业大学（深圳）副教授 SUN Huarui——Associate Professor of Harbin Institute of Technology, Shenzhen |
|
11:40-11:55 |
氧化镓功率器件新结构与实验研究进展Progress of β-Ga2O3 power devices on novel structures and experimental researches 魏雨夕-电子科技大学 WEI Yuxi--University of Electronic Science and Technology of China |
|
|
|
|
11:55-14:00 |
午餐 / Lunch Buffet |
|
主持人 ： Moderator |
张金风——西安电子科技大学教授 王宏兴——西安交通大学教授 梁剑波——大阪公立大学教授 |
|
13:00-14:00 |
嘉宾致辞 & 合影 / Opening Address & Group Photo |
|
14:00-14:25 |
金刚石衬底和器件的发展 Development of Diamond Substrate and Devices 王宏兴——西安交通大学教授 WANG Hongxing——Professor of Xi’an Jiaotong University |
|
14:25-14:55 |
GaN与多晶金刚石的室温异质集成技术在GaN HEMT应用中的研究 Heterogeneous Integration of GaN and Polycrystalline Diamond at Room Temperature for GaN HEMT Applications 梁剑波——大阪公立大学教授 LIANG Jianbo——Professor of Osaka Metropolitan University |
|
14:55-15:15 |
增强持久氢端透明聚晶金刚石场效应晶体管的高温性能 High Temperature Performance of Enhanced Endurance Hydrogen Terminated Transparent Polycrystalline Diamond FET Mohd Syamsul Nasyriq Bin Samsol Baharin——马来西亚理科大学纳米光电子研究与技术研究所副教授 Mohd Syamsul Nasyriq Bin Samsol Baharin——Associate Professor Institute of Nano Optoelectronics Research and Technology (INOR), Universiti Sains Malaysia |
|
15:15-15:30 |
水蒸气处理下Al2O3/金刚石MOS的综合界面表征 Comprehensive interface characterization of Al2O3/diamond MOS with water vapor treatments 张旭芳——北方工业大学副教授 ZHANG Xufang——Associate Professor of North China University of Technology |
|
15:30-15:45 |
极端环境下金刚石材料及器件性能 Properties of Diamond Materials and Devices in Extreme Environments 代兵——哈尔滨工业大学教授 DAI Bing——Professor of Harbin Institute of Technology |
|
15:45-16:00 |
茶歇 / Coffee Break |
|
16:00-16:20 |
金刚石辐射探测器级材料制备和器件性能研究 Research on Material Fabrication and Device Performance of Diamond Radiation Detector 张金风——西安电子科技大学教授 ZHANG Jinfeng——Professor of Xidian University |
|
16:20-16:40 |
GaN上多晶金刚石的外延生长和散热研究 Diamond Epitaxial Grown on GaN for the Effective Thermal Management 桑立雯——复旦大学教授 SANG Liwen——Professor of Fudan University |
|
16:40-16:55 |
六角氮化硼薄膜制备、微观结构与应用Preparation, microstructure and application of hexagonal boron nitride thin films 王浩敏 中国科学院上海微系统与信息技术研究所，研究员 WANG Haomin Professor Shanghai Institute of Microsystem and information technology,CAS |
|
16:55-17:10 |
金刚石与功率器件集成热管理应用分析 Application Analysis of Integrated Thermal Management of Diamond and Power Devices 郭怀新——中国电子科技集团公司第五十五研究所正高级工程师 GUO Huaixin——Senior Engineer of China Electronics Technology Group Corporation 55th |
|
17:10-17:25 |
金刚石半导体掺杂及器件研究 Diamond Semiconductor Doping and Device Research 任泽阳——西安电子科技大学副教授 REN Zeyang——Associate Professor of Xidian University |
|
17:25-17:40 |
金刚石衬底上六方氮化硼及异质结性质的第一性原理研究 First-Principles Investigation of h-BN Growth on Diamond and Its Heterostructure Properties 屈艺谱 郑州大学 |
|
|
|
|
技术分会：超宽禁带半导体技术 II Technical Sub-Forum：SiC Power Electronics Devices and Packaging Technology II |
|
|
时间：2024年11月21日08:30-12:00 地点：苏州国际博览中心G馆 • G106 Time: Nov 21, 08:30-12:00 Location: Suzhou International Expo Centre • G106 |
|
|
主持人 王 钢-中山大学教授 Moderator 叶建东-南京大学教授 |
|
|
08:50-09:00 |
嘉宾致辞 & 合影 / Opening Address & Group Photo Shooting |
|
09:00-09:20 |
开辟氧化镓功率器件的新方向 Charting New Directions in Gallium Oxide Power Devices 黄文海——香港科技大学电子及计算机工程系副教授 Man Hoi WONG——Associate Professor of Department of Electronic and Computer Engineering, Hong Kong University of Science and Technology |
|
09:20-09:40 |
硅及碳化硅异质集成氧化镓材料和功率器件研究Heterogeneous Integration of Gallium Oxide materials and Power Devices with Si and SiC 李伯昌 西安电子科技大学副教授 Li Bochang Associate Professor, Xidian University |
|
09:40-09:55 |
Realize Self-driven Synaptic Device based on Ga2O3 Nanowires for Neuromorphic Computing 赵宇坤——中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生所副研究员 ZHAO Yukun——Associate Professor of Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics (SINANO), CAS |
|
09:55-10:10 |
基于p型氮化物/n-Ga2O3 的PN异质结日盲紫外探测器研究Solar blind UV detector of PN heterojunction based on P-type nitride /n-Ga2O3
龙 浩--厦门大学副研究员 Hao Long - Associate Professor , Xiamen University |
|
10:10-10:25 |
茶歇 / Coffee Break |
|
10:25-10:45 |
基于掺杂和缺陷调控的氧化镓垂直结构功率电子器件研究Research on vertical power electronic devices of Gallium oxide based on doping and defect regulation 龙世兵 --中国科学技术大学微电子学院执行院长、教授 LONG Shibing-- Professor and Executive Dean, School of Microelectronics, University of Science and Technology of China |
|
10:45-11:05 |
硅基ε-Ga203薄膜MOCVD异质外延生长及应用研究 Research on the MOCVD growth and application of silicon-based ε-Ga203 thin films 陈梓敏 福建晶旭半导体科技有限公司外延研发总监、中山大学副教授 CHEN Zimin R&D Director of Fujian Jingxu Semiconductor Technology Co., LTD., Associate Professor of Sun Yat-sen University |
|
11:05-11:25 |
用导模法模拟氧化镓生长的多物理场 Multiphysics Simulation of Gallium Oxide Growth by Guided Mode Method 张召富——武汉大学教授 ZHANG Zhaofu——Professor of Wuhan University |
|
11:25-11:35 |
基于p型氮化物/n-Ga2O3的PN异质结日盲紫外探测器研究 High Performed Solar Blind UVC Detector based on p-nitride/n-Ga2O3 Heterojunction 龙浩——厦门大学副研究员 LONG Hao——Associate Professor of Xiamen University |
|
11:35-11:50 |
Research Progress of Ga2O3 Gate Oxide Dielectrics 祁鑫——复旦大学 QI Xin——Fudan University |
参会联系
