国家知识产权局信息显示，南京南瑞半导体有限公司申请一项名为“一种沟槽型SiC器件及其制备方法”的专利，公开号CN 118888594 A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本发明公开了一种沟槽型SiC器件及其制备方法，通过利用二次外延方法在沟槽型SiC器件中引入一种渐进式电场调制区结构，渐进式电场调制区采用的是渐进式结构，即第一结构区相比于第二结构区窄，即与栅沟槽、阱区的间距更大，从而可降低电场调制区与阱区的自然耗尽作用，以解决因两者之间的耗尽作用而导致的导通夹断效应，进而增强器件的电流导通能力。可有效调制器件内部电场，消除沟槽底部的电场聚集效应，还可降低沟槽底部栅氧中的电场强度，避免栅氧击穿，从而可防止器件过早击穿烧毁，提升器件可靠性。同时还可有效避免电场调制结构与阱区的自然耗尽作用，从而防止器件导通性能恶化。此外，本发明的制备方法与现有技术中的平栅型SiC MOSFET器件制备方法兼容，因此可实现高性能、批量化沟槽型SiC器件制备及生产。