国家知识产权局信息显示，安徽长飞先进半导体有限公司申请一项名为“半导体器件的处理方法及半导体器件”的专利，公开号CN 118888436 A ，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件的处理方法，包括：提供半导体器件，所述半导体器件包括碳化硅衬底和位于所述碳化硅衬底一侧的外延层；对所述碳化硅衬底远离所述外延层的一侧进行减薄处理；在所述碳化硅衬底远离所述外延层的一侧形成凹槽，且所述凹槽的深度小于或者等于所述碳化硅衬底的厚度；在所述碳化硅衬底远离所述外延层的 侧形成金属层且所述金属层填充所述凹槽本发明的半导体器件的处理方法，通过在碳化硅衬底上进行背面凹槽刻蚀，并在凹槽中填充金属，使得半导体器件能够获得更好的散热结构以及更低的电阻率。本发明还公开了一种半导体器件。