国家知识产权局信息显示，飞锃半导体（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号 CN 118888448 A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有外延层，所述外延层中形成有第一掺杂区、位于所述第一掺杂区中的第二掺杂区以及位 于所述第二掺杂区中的第三掺杂区所述外延层表面形成有暴 露部分所述第三掺杂区的栅极氧化层和栅极层；第一开口，位 于所述暴露的第三掺杂区中；第一金属硅化物，位于所述第一 开口中；层间介质层，位于所述第一金属硅化物表面。本申请提 供一种半导体结构及其形成方法，可以提高第一金属硅化物的 对准精度；提高第一金属硅化物和第二金属硅化物的电连接 性；提高电场分布，提高器件性能和可靠性。