天眼查显示，华虹半导体（无锡）有限公司“低压超结MOSFET的工艺方法”专利公布，申请公布日为2024年10月11日，申请公布号为CN118762996A。
本发明提供一种低压超结MOSFET的工艺方法，在第一导电类型的衬底上外延形成第一导电类型的外延层；利用离子注入的方法在外延层表面形成第二导电类型的体区，之后对体区进行热扩散推进；在体区上形成硬掩膜层和光刻胶层；光刻打开光刻胶层以定义出栅沟槽的形成位置，之后利用各向异性刻蚀的方法在硬掩膜层上形成开口至外延层上，以硬掩膜层为掩膜刻蚀开口底部的外延层以形成第一栅沟槽，第一栅沟槽从外延层的上表面向下延伸穿过体区；沿第一栅沟槽延伸方向的垂直方向回推刻蚀外延层形成第二栅沟槽，从而使得第二栅沟槽缩进硬掩膜层之内；在栅沟槽表面形成离子注入保护层。本发明可以避免在柱体区注入时体区和柱体区在沟道区连接在一起。