沈波教授将出席第十届国际第三代半导体论坛并做大会报告| IFWS 2024前瞻

发表于:2024-11-08 来源:半导体产业网 编辑:

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2024年11月18-21日,第十届国际第三代半导体论坛(IFWS2024)&第二十一届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA2024)、先进半导体技术应用创新展(CASTAS)将在苏州国际博览中心举办。 

北京大学教授、理学部副主任、宽禁带半导体研究中心主任沈波将出席论坛,并将带来《基于大失配外延的氮化物第三代半导体材料与器件》的大会报告。 

大失配外延技术在氮化物第三代半导体材料中的应用显著提升外延质量,推动材料和器件的产业化应用,进一步拓展其在各个领域的应用前景。沈波教授团队在该领域有着深入的研究,比如通过大失配异质外延技术,发明了有效提升外延质量的图形化蓝宝石衬底新技术和外延生长新方法,制备出部分质量指标国际领先的氮化物半导体外延材料等。报告将分享相关研究进展与成果,敬请期待!

嘉宾简介

沈波1

沈波

北京大学教授、理学部副主任、宽禁带半导体研究中心主任

沈波,1963年7月出生于江苏扬州市,先后在南京大学、中国科技大学和日本东北大学获得学士、硕士和博士学位, 并在东京大学从事博士后研究。现为北京大学理学部副主任、宽禁带半导体研究中心主任、教育部长江特聘教授、国家杰出青年基金获得者、基金委创新研究群体带头人。曾任国家973计划项目首席科学家、863计划“第三代半导体”重点专项总体专家组组长。现为国家十四五计划 “新型显示和战略性先进电子材料” 重点专项专家组副组长兼第三代半导体方向专家组组长,并担任国家第三代半导体产业技术创新战略联盟副理事长,享受国务院特殊津贴。

1995年迄今一直从事GaN基第三代半导体材料、物理和器件研究,在GaN基薄膜和量子结构的MOCVD外延生长、强极化/高能带阶跃半导体二维电子气输运性质、 GaN基射频和功率电子器件、AlGaN基深紫外发光材料和器件等方面取得了在国内外同行中有一定影响的研究成果。先后主持了20多项国家、地方和企业科研项目,发表SCI收录论文380多篇,出版中英文专著4部,获得/申请国家发明专利80多件,在国内外学术会议做邀请报告30多次。先后与华为、京东方、彩虹集团、北方华创、广东光大集团等开展技术合作, 部分成果实现了产业化应用。先后获国家技术发明二等奖、国家自然科学二等奖、江苏省科技进步一等奖和教育部科技进步一等奖。

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