2024年11月18-21日，第十届国际第三代半导体论坛（IFWS2024）&第二十一届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA2024）、先进半导体技术应用创新展（CASTAS）将在苏州国际博览中心举办。
西安电子科技大学副校长、教授张进成将出席论坛，并将带来《高功率宽禁带半导体射频器件研究进展》的大会报告。
高功率宽禁带半导体射频器件，尤其是氮化镓（GaN）毫米波功率器件，在高新技术产业中发挥着举足轻重的作用。在大容量超高速移动通信、高分辨成像雷达等领域具有广阔应用前景。高功率宽禁带半导体射频器件技术在提升系统效率、可靠性以及应对复杂环境方面具有显著优势，是未来高新技术发展的重要方向。，西安电子科技大学研究团队在这一领域取得了系列重要进展。报告将分享相关研究进展与成果，敬请期待！
嘉宾简介
张进成
西安电子科技大学副校长、教授
张进成，西安电子科技大学副校长、教授，西安电子科技大学副校长、宽禁带半导体器件与集成电路国家工程研究中心副主任、宽带半导体技术国家级重点实验室副主任，曾担任ICNS、DRIP、APWS等国际学术会议电子器件分会主席，微电子学院副院长，科学研究院院长。主要研究领域为宽禁带与超宽禁带半导体材料与器件，发表SCI论文300余篇，出版专着3部，授权发明专利80余项，成果6次被国际着名杂志Semiconductor Today专题报道。获得国家技术发明二等奖2项（排名第一和第二），省部级科技一等奖4项以及国家教学成果一等奖1项。1998年起师从中国科学院院士郝跃教授，从事宽禁带半导体电子材料与器件研究，是我国乃至国际上最早开展宽禁带（第三代）半导体电子器件与材料研究的知名学者之一。
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