西电广州第三代半导体创新中心邀您同聚IFWS&SSLCHINA2024

发表于:2024-11-13 来源:半导体产业网 编辑:

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2024年11月18-21日,第十届国际第三代半导体论坛(IFWS2024)&第二十一届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA2024)、先进半导体技术应用创新展(CASTAS)将在苏州国际博览中心G馆举办。

西安电子科技大学广州第三代半导体创新中心将亮相此次展会。值此,诚挚邀请第三代半导体产业同仁共聚论坛,莅临C07号展位参观交流、洽谈合作。

 

关于西电广州第三代半导体创新中心

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 西安电子科技大学广州第三代半导体创新中心由郝跃院士领衔、西安电子科技大学与广州开发区管委会共同建设,依托西安电子科技大学广州研究院,并作为宽禁带半导体国家工程研究中心广州分中心,获批广东省第三代半导体氮化镓射频及功率器件与集成电路工程技术研究中心。创新中心一期投资5亿元,建设第三代半导体技术公共服务平台和产业化基地,拥有8/6英寸第三代半导体设计、加工制造、封装、测试、可靠性分析等研发和中试平台,致力于以氮化镓为主的第三代半导体材料、器件与集成电路的工程化技术研发和产业化。

  Guangzhou Wide-Bandgap Semiconductor Innovation Center (GWSIC), Xidian University is led by Chinese Academician Prof. HAO Yue and jointly established by Xidian University and Guangzhou Development Distinct Management Committee. It is hosted by the Guangzhou Institute of Technology, Xidian University and serves as the Guangzhou branch of the National Engineering Research Center for Wide-Bandgap Semiconductors. It has been approved as the Guangdong Engineering Technology Research Center for GaN RF and Power Devices and Integrated Circuits. Phase one of the Innovation Center involves a 500 million RMB investment to build a public service platform for wide-bandgap semiconductor technology and an entrepreneurship base. GWSIC holds 8/6-inch research and pilot platforms for wide-bandgap semiconductor design, fabrication, packaging, characterization and reliability analysis, focusing on the engineering R&D and the commercialization for the materials, devices, and integrated circuits of wide-bandgap semiconductors such as GaN etc.

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