IFWS&SSLCHINA2024|  功率模块与电源技术应用峰会 探讨新进展

发表于:2024-11-26 来源:半导体产业网 编辑:

 随着电力电子技术的快速发展和新能源、新能源汽车等领域的兴起,功率模块市场呈现出稳健的增长态势。电源模块技术不断进步,特别是在新能源汽车领域,高效、可靠的电源模块需求激增,推动了技术的快速发展。数字化、智能化和绿色环保趋势的推进,电源模块行业将迎来更多的创新和变革。 

现场1

近日,第十届国际第三代半导体论坛&第二十一届中国国际半导体照明论坛(IFWS&SSLCHINA2024)在苏州召开。 论坛期间的“功率模块与电源技术应用峰会”上,天津大学教授薛凌霄、小鹏汽车功率系统总监陈皓、瑞萨半导体宽禁带半导体高级总监严启南、易能时代科技有限公司董事长兼CEO苏昕、纳微半导体应用总监李宾、长城电源技术有限公司深圳研发中心副总经理蔡磊、浙江大学副研究员闫海东、派恩杰半导体(浙江)有限公司应用主任工程师雷洋等专家们带来精彩报告,共同探讨功率模块与电源技术应用的最新进展。浙江大学教授、浙江大学杭州国际科创中心电源管理技术创新联盟理事长吴新科,厦门大学讲座教授、全球能源互联网研究院原院长邱宇峰共同主持了本届峰会。

吴新科主持

吴新科

浙江大学教授、浙江大学杭州国际科创中心电源管理技术创新联盟理事长

邱宇峰

邱宇峰

厦门大学讲座教授、全球能源互联网研究院原院长

 薛凌霄

薛凌霄

天津大学教授

天津大学教授薛凌霄带来了“氮化镓器件在多输出电源中的应用”的主题报告,介绍了现有多端口充电器存在的问题,拟议的基于多路复用的解决方案,用QR控制器实现多路复用等内容,报告显示,两级多输出转换器不可扩展,提出了一种时分复用反激电路,演示了使用商用控制器的实现。报告指出,在满载范围内运行,具有卓越的轻载效率和EMI。

 陈皓

陈皓

小鹏汽车功率系统总监

小鹏汽车功率系统总监陈皓带来了“塑封碳化硅模块在800V电驱系统的应用”的主题报告,结合整车应用需求,分享了SiC塑封模块关键技术、SiC应用挑战、整车应用实绩等内容。报告指出,SiC应用挑战涉及带着杂散参数、芯片并联、EMC、轴电流等。其中,EMC的挑战涉及碳化硅高开关速度、高电压,增大高频共模噪声;系统耦合干扰,兼容性设计难度高;充电功能复用,EMC滤波挑战增大;滤波设计迭代,周期长、代价高等。轴电流的挑战涉及电控、电驱复杂系统耦合;电机轴承、减速器多电流环路共存;电机杂散参数一致性、不同工况油膜形成状态等多因素耦合等。

 严启南

严启南

瑞萨半导体宽禁带半导体高级总监

瑞萨半导体宽禁带半导体高级总监严启南带来了“氮化镓HEMT技术和产品路线图”的主题报告,涉及单片GaN双向、GaN FQS原型、1200V技术等内容。报告显示,蓝宝石上的GaN技术实现了低成本1200V GaN,1200V GaN的性能优于SiC MOSFET等。

苏昕
苏昕

易能时代科技有限公司董事长兼CEO

充电模块是汽车充电设备中最重要的核心部件,占充电桩成本50%。易能时代科技有限公司董事长兼CEO苏昕带来了“电转换电路与第三代半导体的协同发展”的主题报告,分享传统电路中应用第三代半导体的思路,重新设计电路发挥第三代半导体的长处、降低第三代半导体的成本,解决大功率的痛苦。涉及EN5单极拓扑技术、EN5拓扑电路等。

 李宾

李宾

纳微半导体应用总监

纳微半导体应用总监李宾带来了“氮化镓与碳化硅驱动AI与数据中心的电源创新”的主题报告。数据中心和人工智能需要高效、高功率密度的电源,报告显示,3.2 kW CrM图腾柱PFC,峰值效率达到99.3%。构建了尺寸为90 x 30.5 x 11mm的1.5 kW 12V LLC模块原型,在半负载时实现了97.5%的峰值效率。1.6kW 54V LLC模块原型采用正在申请专利的磁集成技术,在半负载时峰值效率超过97.8%。

 闫海东

闫海东

浙江大学副研究员

浙江大学副研究员闫海东带来了“基于低温烧结技术的高性能SiC模块封装方法”的主题报告,下一代低温烧结技术、N2-HCOOH中的低温铜烧结、N2-HCOOH中的无压铜烧结行为、无压铜烧结的热性能、大面积烧结AMB基板至散热器、1200-600A SiC模块的热性能验证等内容。

 雷洋

雷洋

派恩杰半导体(浙江)有限公司应用主任工程师

碳化硅(SiC)MOSFET由于其优越的效率、高温耐受性以及相比传统硅器件更快的开关速度,已经成为现代电力电子技术中的关键技术。然而,影响其广泛应用的一个重要挑战是参数漂移,这会对其长期稳定性和性能产生影响。派恩杰半导体(浙江)有限公司应用主任工程师雷洋做了“基于环流系统的碳化硅功率器件可靠性研究”的主题报告。报告指出,环流测试系统可以同时进行多个模块的老化实验,通过该实验可以监测被测SiC MOSFET的参数漂移情况。短期实验结果表明,在壳温155℃左右运行时,SiC MOSFET未观察到明显的参数漂移。该测试也可以扩展至不同应力条件下的加速老化实验对比。

 蔡磊

蔡磊

长城电源技术有限公司深圳研发中心副总经理

《基于第三代半导体器件的大功率AI 服务器电源解决方案》 

 (根据现场资料整理,仅供参考)