随着第三代半导体功率器件在新能源汽车、光伏风电、电力传输等应用提升，第三代半导体功率器件的分析检测需求也日益增加。近日，第十届国际第三代半导体论坛&第二十一届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA2024）在苏州召开。
期间“第三代半导体标准与检测研讨会”上，深圳平湖实验室失效分析首席专家何光泽做了“面向SiC/GaN功率器件失效分析的测试技术与典型应用”的主题报告，结合第三代半导体功率器件产业链与分析检测应用之关联，第三代半导体功率器件分析流程，具体介绍了无损分析，电性失效分析 – 缺陷定位，物性失效分析–结构与缺陷观察等内容。
何光泽
深圳平湖实验室失效分析首席专家
报告显示，配备短波长的EMMI、高压(3KV)的OBIRCH与thermal emission是第三代半导体功率器件失效分析缺陷定位不可或缺的仪器，增加了亮点侦测的效率。
SEM, FIB与TEM是结构观察的三个基本工具，对于工艺研发占有举足轻重的地位，若是需要判断原子级别，则球差TEM是必备的设备。若是得观察SiC的PN结，传统的SEM以外，FIB与SCM也是另外的选项。SIMS在纵深掺杂浓度的检测是唯一的选择，与结构观察同等重要。
表面分析、污染分析、化学态鉴定、晶向与晶粒观察，位错观察、应力分析等等，不同的分析场景就需应用不同的材料分析工具，分析者需确认材料的元素、分子、结构、样品状态，观察范围来选择适合的工具，并充分与各领域专家讨论后，才能提供最适合的方案。
嘉宾简介
何光泽，深圳平湖实验室失效分析首席专家，曾在茂硅与联电负责良率提升与失效分析的事务，在样品化学处理、缺陷定位与电镜观察上有丰富的经验。2015进入第三方分析检测实验室闳康科技，并于后期担任失效分析处长一职，总管两岸失效分析与静电测试之业务，在闳康科技期间，发表了5篇国际论文，同时也担任台湾静电学会议程委员与台湾电路板协会半导体构装委员会委员。何光泽于2024年加入深圳平湖实验室担任失效分析首席专家，负责分析检测中心的管理运作。
关于平湖实验室
国家第三代半导体技术创新中心（深圳）于2021年12月由科技部授牌，2022年8月由深圳市科技创新局举办成立深圳平湖实验室作为主体运营单位，围绕SiC和GaN及下一代先进功率电子材料及器件、核心装备及零部件、配套材料等领域，开展核心技术攻关。
实验室位于深圳市龙岗区罗山科技园，占地面积130亩，100级洁净间面积9500平米，拥有业界领先的宽禁带功率半导体基础设施，国际、国内各类先进设备380余台套。实验室人力规模350人，汇聚海内外顶尖人才，打造面向全国的开放、公共、共享的科研、中试和分析检测平台，共同构建可持续发展的未来。
（根据现场资料整理，仅供参考）