氮化镓功率电子器件在多个领域展现出广泛的应用前景，市场需求将持续增长。近期，第十届国际第三代半导体论坛&第二十一届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA2024）在苏州召开。
期间，由北京北方华创微电子装备有限公司、苏州思体尔软件科技有限公司、国家第三代半导体技术创新中心（苏州）、深圳平湖实验室协办支持的”氮化镓功率电子器件技术 I“分会上，香港科技大学电子及计算机工程学系讲座教授，IEEE Fellow陈敬，台湾長庚大学可靠度科学和技术研究中心主任、教授陈始明，电子科技大学教授周琦，福州镓谷半导体有限公司首席技术官梁琥，南方科技大学深港微电子学院院长、教授于洪宇，北京大学副教授王茂俊，复旦大学微电子学院教授黄伟，华南理工大学关晶允等嘉宾们齐聚一堂，共同探讨氮化镓功率电子器件技术发展。
陈敬
香港科技大学电子及计算机工程学系讲座教授，IEEE Fellow
《释放氮化镓功率集成的潜能》
陈始明
台湾長庚大学可靠度科学和技术研究中心主任、教授
台湾長庚大学可靠度科学和技术研究中心主任、教授陈始明做了”硅基和氮化镓基功率半导体的辐射效应比较“的主题报告，报告显示，研究看到看到GaN TIA在性能上优越，并且对质子辐射可靠。GaN基电子系统非常适合在辐射恶劣的环境中使用。通过GaN晶体管的 高频开关，可以降低整个电子系统的成本。随着GaN制造技术的日益成熟，其强度确实可以取代Si TIA用于传感应用。
周琦
电子科技大学教授
电子科技大学教授周琦做了”高性能增强型GaN p-MISFET先进制造技术与器件新结构“的主题报告，分享了具有空穴迁移率调制（HMM）的GaN p-MISFET、埋入背栅GaN p-MISFET（BBG）等研究进展。报告显示，单芯片CMOS集成是功率GaN进一步提高“功率密度和效率”的最佳途径。高性能p沟道器件与n沟道器件的匹配要求很高。与工业化技术兼容的设备和工艺对于拟议的方案至关重要。
梁琥
福州镓谷半导体有限公司首席技术官
《垂直结构GaN在电力电子领域的应用及其外延技术研究》
于洪宇
南方科技大学深港微电子学院院长、教授
南方科技大学深港微电子学院院长、教授于洪宇做了”Si基GaN器件及系统研究与产业前景“的主题报告，分享了Si基GaN器件先进工艺、功率器件及其电源系统，Ga2O3器件及GaN气体传感器 ，Si基GaN射频器件及其PA模块等研究进展。报告显示，研究取得了诸多成果。其中，开发一种基于Al:HfOx电荷捕获层（CTL）的栅电荷存储路线，制备出具有优异电学性能的常关型GaN HEMT器件。创新性提出鱼骨栅结构设计，结合再生长技术，进一步提升常关型器件击穿特性和阈值电压稳定性，最大栅极驱动电压达9.2 V（10年可靠性）。首次提出了基于Pt栅极GaN HEMT气体传感器的感算一体系统。实现了时序气体模式识别，具有低训练成本和低功耗。提出多感传集成阵列用于复杂气体混合物动态感知和识别，促进系统的小型化和单片集成。
王茂俊
北京大学副教授
《源对p-GaN栅HEMT关态阻断特性的影响》
黄伟
复旦大学微电子学院教授
复旦大学微电子学院教授黄伟做了”6英寸GaN/Si CMOS 1P2M单片异质集成整套芯片工艺与平台化器件研究“的主题报告，分享了工艺和平台化设备、Epi-GaN材料和Si-MOS的应力建模等研究进展。涉及到平台式PMOS、扁平体PN二极管、平台BJT、平台GaN HEMT等。
关晶允
华南理工大学
华南理工大学关晶允做了”基于ANN的GaN HEMT终端电荷物理模型“的主题报告，分享了相关研究进展。报告指出，当前研究中面临着缺乏准确的实验数据；其他复杂效应，如极化效应、寄生效应等；缺乏标准化的模型框架；模型验证和校准的难度等。机器学习具有捕捉并体现非线性关系、快速准确地对设备建模等优势。研究显示，对于源终端费用，初步估计是数据不足或物理机制未得到补偿的原因。对于漏极端子电荷，初步估计可能是由于数据偏差问题造成的。未来，要在2D模拟→3D模拟，从HEMT器件到FinFET器件的建模。使用更复杂的神经网络结构来完成具有更多特征的模型，如GAN和混合神经网络等方面开展工作。
会上，围绕着“氮化镓应有的主要增长领域”、“氮化镓功率器件有哪些可靠性、稳定性和鲁棒性的问题”、“氮化镓功率器件是否需要集成”等当下行业热点话题，与会嘉宾们展开深入的互动探讨，观点激荡，现场热烈。
（根据现场资料整理，仅供参考）