近年来，GaN功率电子器件行业呈现出快速发展的态势，在GaN量子光源芯片等领域取得重大突破，进一步推动了GaN技术的应用。近期，第十届国际第三代半导体论坛&第二十一届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA2024）在苏州召开。
期间，由北京北方华创微电子装备有限公司、苏州思体尔软件科技有限公司、国家第三代半导体技术创新中心（苏州）、深圳平湖实验室协办支持的“氮化镓功率电子器件技术II”分会上，珠海镓未来科技有限公司总裁、IEEE Fellow吴毅锋，大连理工大学副教授张贺秋，西安电子科技大学广州研究院第三代半导体创新中心副主任、特聘教授李祥东，弗吉尼亚理工大学电力电子中心副教授张宇昊，西交利物浦大学副教授刘雯，广东工业大学博士黄福平，深圳大学研究员、微电子研究院院长助理、IEEE Senior Member刘新科，中国科学院上海微系统与信息技术研究所苏杭，南京大学王潇男等嘉宾们带来精彩报告，共同探讨氮化镓功率电子器件技术发展。
吴毅锋
珠海镓未来科技有限公司总裁、IEEE Fellow
珠海镓未来科技有限公司总裁、IEEE Fellow吴毅锋做了“氮化镓功率器件的优劣势和发展方向探讨”的主题报告，分享了相关研究进展。报告指出，Si MOSFETs在20-200V市场保持优势。Si IGBTs仍用于低成本电机驱动应用。SiC MOSFETs广泛应用于电动汽车动力总成电机驱动，扩展到其他高功率/高压（>1.2kV）应用。GaN HEMTs在几乎所有600-900V电源市场中更换硅MOSFET，将成为AI电源的主要参与者。
张贺秋
大连理工大学副教授
大连理工大学副教授张贺秋做了“氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）传感器研究”的主题报告，分享了GaN HEMT传感器制备及结构优化、GaN HEMT传感器的特性等研究进展。涉及AlGaN/GaN HEMT pH 传感器、AlGaN/GaN HEMT葡萄糖传感器、AlGaN/GaN HEMT CEA（癌坯抗原）传感器、AlGaN/GaN HEMT 氨气传感器、AlGaN/GaN HEMT二氧化碳传感器。其中，创新提出传感器驱动LED发光信息读出技术。获得授权发明专利1项。
李祥东
西安电子科技大学广州研究院第三代半导体创新中心副主任、特聘教授
西安电子科技大学广州研究院第三代半导体创新中心副主任、特聘教授李祥东做了“蓝宝石基GaN功率器件研究进展”的主题报告，分享了蓝宝石基氮化镓中试技术进展等内容。报告指出，未来GaN将全面渗透30~3300V电力电子市场，有望占据功率半导体10%以上的市场份额。
张宇昊
弗吉尼亚理工大学电力电子中心副教授
弗吉尼亚理工大学电力电子中心副教授张宇昊做了“多维GaN功率器件：从器件物理到应用”的主题报告，分享了相关研究进展。报告指出，功率器件的进步依赖于材料和器件架构；多维结构突破GaN极限，实现几何缩放；使用p-NiO在GaN中的初步演示，突破了1-D GaN的极限；用于高压横向器件（如10 kV GaN）的新平台；GaN器件具有动态无RON、雪崩和短路鲁棒性；千伏、MHz转换器，在系统中优于SiC和Si。
刘雯
西交利物浦大学副教授
《基于E/ d模三栅极AlGaN/GaN MIS-HEMTs的单片电路》
黄福平
广东工业大学博士
《Si基GaN功率器件中缺陷对载流子输运行为的影响》
刘新科
深圳大学研究员、微电子研究院院长助理、IEEE Senior Member
《具有PEALD-GaOx中间层的界面增强垂直Al2O3 GaN MOS电容器》
苏杭
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
中国科学院上海微系统与信息技术研究所苏杭做了“宽禁带半导体垂直功率器件的曲率自适应端接”的主题报告，报告显示，当以相同的电压水平施加时，与P-FLR相比，CAT结构需要更少的外延层厚度，而不会增加器件面积。降低外延工艺要求，外延层厚度从10.5μm减小到9.5μm。器件的Ron降低了约9%（pn二极管）、7%（JBS）、4%（JFET）。
王潇男
南京大学
《用于dv/dt串扰抑制的GaN高频驱动电路设计与研究》
（根据现场资料整理，仅供参考）