氮化镓电力电子器件在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机车、工业电机等领域具有巨大的发展潜力。全球GaN功率半导体市场规模迅速增长，半导体大厂通过并购等方式加强在GaN领域的技术储备和市场布局。 近期，第十届国际第三代半导体论坛&第二十一届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA2024）在苏州召开。
期间，由北京北方华创微电子装备有限公司、苏州思体尔软件科技有限公司、国家第三代半导体技术创新中心（苏州）、深圳平湖实验室协办支持的“氮化镓功率电子器件技术III”的分会上，海思半导体有限公司功率器件技术专家包琦龙、山东大学陈思衡、中国科学院北京纳米能源与系统研究所研究员胡卫国、南方科技大学研究教授汪青、北京大学研究员魏进、中国科学院苏州纳米所特别研究助理郭小路、大连理工大学雷芸、南京大学郝琳、中山大学许森源等嘉宾们齐聚，共同探讨氮化镓功率电子器件技术进展与发展趋势。
包琦龙
海思半导体有限公司功率器件技术专家
海思半导体有限公司功率器件技术专家包琦龙做了“ICT场景下中低压 (<200V) GaN 器件应用挑战”的主题报告，分享了封装、应用、可靠性等相关进展。报告显示，DrGaN技术探索方面，先进制程下FOM极致优化，充分挖掘GaN HEMT潜力。通过12 inch产线先进工艺设备实现极小尺寸GaN HEMT器件制备，极致优化GaN HEMT器件FOM，突破传统CMOS极限。结合wafer bonding工艺，实现GaN/Si同片集成。器件尺寸优化提升空间大，pGaN结构沟道长度压缩挑战大。报告显示，器件元胞设计、封装、可靠性、应用领域仍有提升空间，亟需业界同仁倾力投入。结合先进制程和工艺优化，GaN参数指标可大幅领先同等电压Si器件水平。在热阻测试、高结温 GaN 能力提升（175°）、机械应力、集成/合封、PCB互联布局。
陈思衡
山东大学
山东大学陈思衡做了“高阈值电压（VT = 7 V）增强型GaN功率器件研究”的主题报告，分享了相关研究进展。MIS复合栅极可以有效提高增强型P-GaN gate HEMT阈值电压；MIS复合栅极存在界面质量难以控制，栅极耐压降低，阈值电压调控复杂等问题；通过氧化处理得到的GaON拥有更优异的材料特性；氧气处理 (OT) 可以优化表面质量并修复损伤；致密的GaON起到过渡的作用，优化了P-GaN和介质层之间的界面质量；OTALD技术大幅提高了器件阈值电压，并且器件电学性能具有优异的稳定性；OTALD技术可以抑制栅极漏电并减小P-GaN表面态，器件具有更优异的高压特性；OTALD技术在高栅极驱动电压和大功率器件中具有巨大的应用潜力。
胡卫国
中国科学院北京纳米能源与系统研究所研究员
中国科学院北京纳米能源与系统研究所研究员胡卫国做了“AlGaN/GaN HEMT能带工程与制造工艺”的主题报告，分享了相关研究进展。报告显示，开发了HEMT压电模型、晶片生长和器件工艺。击穿电压大于915V，最大电流大于10A。提出了一种界面驱动的欧姆接触策略。TiAl/TiAlTa/Au接触实现了0.07Ωmm的超低Rc。揭示了HEMT中的机械热电耦合机制。开发了HEMT-MEMS，并实现了具有无条件和条件反射的类神经分层控制系统。
汪青
南方科技大学研究教授
《GaN单片集成器件和感算一体智能传感系统研究》
魏进
北京大学研究员
《面向高压高频应用的GaN功率元件的动态稳定性挑战》
郭小路
中国科学院苏州纳米所特别研究助理
中国科学院苏州纳米所特别研究助理郭小路做了”Si衬底/GaN衬底上的GaN基纵向功率二极管“，分享了GaN与垂直功率器件、轻掺杂技术、边缘终止和硅基GaN器件、GaN上的垂直GaN器件等相关进展。研究显示，通过调整生长条件，实现了漂移层的可重复和可控的轻掺杂技术；氮注入硅基600V GaN垂直SBD和硅基1200V GaN pn二极管的边缘终止；从高电场下的模拟来看，Ref-SBD的失效源于局部电应力，而NIT-SBD的局部热应力。
雷芸
大连理工大学
大连理工大学雷芸做了”基于薄势垒结构和AlSiO复合栅介质的高饱和电流增强型GaN基MIS-HEMT器件研究“的主题报告，分享了相关研究进展。随着高频和高功率应用的市场需求，GaN基功率器件在传统和新兴领域都显示出巨大的潜力；与D型HEMT相比，E型GaN基HEMT已成为提高器件安全性、操作可靠性和简化栅极驱动电路设计的关键研究方向；优化凹栅MIS HEMT中的栅极电介质和界面质量是一个关键的研究重点（结合Al2O3和SiO2优点的AlSiO复合电介质）；AlSiO复合电介质是平衡E型GaN基MIS HEMT中Vth和击穿场的有效解决方案，为未来的栅极电介质设计提供了新的见解和方向。
郝琳
南京大学
《高性能凹槽栅结构的BaTiO3-AlGaN/GaN MOS HEMTs》
许森源
中山大学
中山大学许森源做了”基于多级拓扑的GaN功率HEMT器件nFOM分析“的主题报告，分享了相关研究成果。报告显示，GaN功率HEMT的nFOM值与阻断电压之间的相关性不如Si MOSFET明显，这给应用多级拓扑结构显著降低GaN器件的损耗带来了困难。通过工艺优化和芯片结构的合理设计，可以进一步降低低压GaN-HEMT的nFOM值。此外，GaN HEMT制造商需要建立统一的阻断电压裕度标准。GaN功率HEMT的多层次应用值得期待和推广。
（根据现场资料整理，仅供参考）