2025年11月11-14日，第十一届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十二届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）将于厦门召开。 届时，香港大学先进半导与集成电路研究中心副主任、教授张宇昊将受邀出席论坛，在Short course专题技术培训课程中分享《面向高压、高温及高功率的氧化镓器件及应用》的主题报告，并在氮化镓功率电子及封装技术分会上分享《面向系统应用的氮化镓功率器件的稳定性、可靠性和鲁棒性》的主题报告，敬请关注！
嘉宾简介
张宇昊，现任香港大学电气电子工程系教授，香港大学先进半导体和集成电路中心的副主任。在加入香港大学之前，他曾担任弗吉尼亚理工大学Shirish S.Sathaye副教授，领导美国最大的电力电子学术研究中心电力电子系统中心的电力半导体研究。他分别于2017年和2013年获得麻省理工学院电气工程博士和硕士学位，并于2011年获得北京大学物理学学士学位。
他撰写了200多篇论文（包括3篇Nature系列论文、21篇IEDM论文、20多篇T-PEL论文作为通讯作者）和2本书的章节，并拥有7项美国专利。他是10多篇精彩/专题/获奖论文的合著者。他的作品被引用了11000多次，h指数为57，被《自然电子》、《今日半导体》、《化合物半导体》、EE times等广泛报道了100多次。
他于2017年获得麻省理工学院微系统技术实验室博士论文奖，2019年和2023年获得两项IEEE乔治·史密斯奖（IEEE电子器件快报年度最佳论文奖），2020年、2021年、2024年和2025年IEEE国际电子器件会议的四项技术亮点，2021年获得国家科学基金会职业奖，2021年至2022年获得弗吉尼亚理工大学杰出新助理教授奖和教员研究员奖，2023年获得海军研究办公室青年研究员奖，2025年获得化合物半导体青年科学家奖，以及2025年获得何向健科学奖。他的学生获得了IEEE电力电子学会的博士论文演讲奖和多个APEC最佳演讲奖。他是IEEE电力电子汇刊的副主编，也是许多领先会议（如IEDM、APEC、ECCE、WiPDA）的TPC成员。
Short course专题技术培训
报告题目：面向高压、高温及高功率的氧化镓器件及应用
报告摘要：得益于大直径氧化镓晶圆及加工技术的突破，近年来氧化镓功率器件技术取得了飞速发展。全球范围内已出现大面积安培级氧化镓功率器件的报道，其研究范畴已从基础研究验证拓展至器件封装、电路级测试及耐久性评估。这些里程碑性进展使氧化镓成为唯一达到实用化商业化及应用关键阶段的超宽禁带半导体材料。短期课程中将全面概述用于高压、高温及高功率应用的氧化镓器件，重点展示其拓展电力电子前沿领域的潜力。尤其通过采用多维器件架构，我们已成功实现击穿电压超过10千伏、工作温度稳定高于200°C的氧化镓二极管与晶体管。本课程将进一步探讨氧化镓功率器件的封装与稳健性策略。具体而言，采用结面冷却技术可有效缓解氧化镓的固有热限制，而独特双极异质结的集成则实现了雪崩击穿与浪涌电流的耐受性。并将介绍首款兆瓦级功率容量多芯片氧化镓功率模块的实验验证成果。总体而言，器件创新、封装设计与可靠性提升的协同进展正在为氧化镓在下一代电力电子系统中的应用铺平道路。
氮化镓功率电子及封装技术分会
报告题目：面向系统应用的氮化镓功率器件的稳定性、可靠性和鲁棒性
报告摘要：氮化镓器件通过在效率、开关频率等方面实现前所未有的改进，正在彻底改变电力电子技术。然而，GaN的材料成分、器件架构和操作物理与硅和碳化硅技术有着根本的不同，这些区别在稳定性、可靠性和鲁棒性方面带来了独特的挑战，这些挑战对于实际部署仍然至关重要。报告将介绍对这些挑战的最新见解，特别强调动态开关行为及其对功率转换器性能的影响。主题包括关键器件参数的动态不稳定性，如导通电阻、阈值电压和输出电容，以及器件在雪崩、过电压和短路应力下的鲁棒性。还将讨论栅极和漏极开关操作的可靠性和寿命。此外，将重点介绍与新兴航空航天和量子系统应用相关的GaN器件在低温下的行为研究。并将概述这些领域的知识差距和当前的研究机会，以指导GaN电力电子的未来发展。
