2025年11月11-14日，第十一届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十二届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）将于厦门召开。 届时，电子科技大学教授/博导邓小川将受邀出席论坛，并在Short course专题技术培训课程中分享《高压碳化硅MOSFET器件性能提升技术的发展及其挑战》的主题报告，敬请关注！
嘉宾简介
邓小川，电子科技大学/功率集成技术实验室，教授/博导，英国华威大学访问学者。长期从事宽禁带半导体碳化硅功率器件的理论模型、新结构、器件制备与可靠性研究，主持了多项国家级和省部级科研项目，多个国际学术会议的TPC成员，在半导体功率器件领域国际一流期刊IEEE Trans. Power Electronics、IEEE Electron Device Letters、IEEE Trans. Industrial Electronics以及本领域顶级会议ISPSD、ICSCRM等发表论文80余篇，授权中国发明专利30余项。
报告题目：高压碳化硅MOSFET器件性能提升技术的发展及其挑战
报告摘要
报告将从提升高压碳化硅MOSFTT器件的低导通电阻性能出发，结合当前国际主流厂商碳化硅功率器件的研究进展，重点介绍碳化硅MOSFET器件在实现低损耗特性方面的研究成果以及面临的关键技术挑战，包括降低导通电阻和寄生电容所采用的技术方法及其工作原理。同时也针对碳化硅MOSFTT器件瞬态可靠性问题，从UIS、短路特性、浪涌特性、阈值电压漂移以及宇宙射线辐射等角度介绍国内外最新研究成果，较系统探讨了现阶段主流平面栅和沟槽栅碳化硅器件在瞬态极端应力冲击下器件失效的内部物理机理，以及可靠性加固结构和方案。并对低损耗碳化硅MOSFET器件未来发展趋势进行小结和展望。
