11月11-14日，由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、厦门大学（XMU）共同主办的第十一届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十二届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）于厦门召开。
期间，由苏州能讯高能半导体有限公司、北京国联万众半导体科技有限公司协办支持的“化合物半导体射频电子技术”分论坛上，来自产业链相关专家、高校科研院所及知名企业代表共同深入探讨，追踪最新进展。 中国电子科技集团首席科学家、中电科第五十八所原所长蔡树军，苏州能讯高能半导体有限公司副总裁裴轶主持了该分论坛。
中国电子科技集团首席科学家，中电科第五十八所原所长蔡树军
郭永新
香港城市大学讲席教授，新加坡工程院院士，IEEE Fellow
《面向射频芯片设计的人工智能赋能创新：如何实现快速与智能升级》
刘志宏
西安电子科技大学教授
《硅基氮化镓射频器件的研究与开发进展》
裴轶
苏州能讯高能半导体有限公司副总裁
《先进氮化镓制造中心支持射频产业创新发展》
王帅
北京国联万众半导体科技有限公司产品开发部高级经理
《SiC基GaN射频芯片与电力电子芯片技术》
校焕庆
中兴通讯无线基站系统方案负责人
《第三代半导体在无线通讯系统中的应用》
曾建平
中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心研究员
《化合物半导体太赫兹器件和高功率倍频器研究进展》
郑艺媛
中国电子科技集团公司第五十五研究所高级工程师
《GaN太赫兹倍频技术进展》
李诗洋
西安电子科技大学
《适用于低压射频功率放大器的高效Al₂O₃/AlN/GaN MIS-HEMT器件》
米长鑫
中国科学院半导体研究所
《具有2.6dB单级增益的G波段预匹配氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMTs）》
（会议内容详情，敬请关注半导体产业网、第三代半导体公号）