11月11-14日，第十一届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十二届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）于厦门召开。本届论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、厦门大学（XMU）共同主办，惠新（厦门）科技创新研究院、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。
期间，“氮化镓功率电子器件技术”分论坛，来自产业链相关专家、高校科研院所及知名企业代表共同深入探讨，追踪最新进展。加拿大多伦多大学纳米制造中心主任、教授吴伟东，香港大学先进半导与集成电路研究中心副主任、教授张宇昊，香港科技大学助理教授张薇葭，天津工业大学教授、天津市电气装备智能控制重点实验室主任赵丽霞联合主持了该分论坛。
Elison Matioli
瑞士洛桑联邦理工学院功率与宽禁带电子学研究实验室（POWERlab）主任、教授
《面向高性能氮化镓功率器件：新兴解决方案与创新》
邓高强
电子科技大学副教授
《p-GaN HEMT功率器件的新型ESD保护结构研究》
王茂俊
北京大学副教授
《基于 p-NiO/p-GaN 异质结栅的增强型 GaN p沟道场效应晶体管》
David周
深圳平湖实验室GaN首席科学家
《面向算力中心供电的8英寸功率GaN关键技术研究进展》
胡培培
中国科学院近代物理研究所副研究员
《关于高能重离子对级联型氮化镓场效应晶体管器件单事件漏电流退化的影响的研究》
张宇昊
香港大学先进半导与集成电路研究中心副主任、教授
《面向系统应用的氮化镓功率器件的稳定性、可靠性和鲁棒性》
黄火林
大连理工大学教授
《氮化镓高压增强型功率器件与可靠性技术进展》
薛玉雄
扬州大学教授
《栅压和中子辐照对P-GaN HEMT重离子诱发漏电退化的影响研究》
周峰
南京大学副研究员
《面向空间电源应用的高性能氮化镓功率器件研究》
岡徹
名古屋大学特聘教授
《基于SPICE 仿真的垂直结构氮化镓 MOSFET 性能预测与损耗分析》
赵丽霞
天津工业大学教授、天津市电气装备智能控制重点实验室主任
《功率半导体器件可靠性及缺陷演化机制研究》
周琦
电子科技大学教授
《硅基氮化镓功率高电子迁移率晶体管的短路能力：可靠性、稳定性及最新进展》
李昂
中国科学院苏州纳米技术和纳米仿生研究所助理研究员
《基于氢处理技术的低温氮化镓单片集成电路》
张薇葭
香港科技大学助理教授
《面向高频低电压应用的氮化镓场效应晶体管驱动器设计进展》
桑立雯
复旦大学教授
《GaN基电子器件热管理》
刘丹
晶通半导体（深圳）有限公司董事长兼CEO
《氮化镓器件“理想伴侣，可靠、高效、易用 增强型氮化镓智能驱动芯片EGaN Smart-Driver®》
贾汉祥
九峰山实验室高级研发工程师
《CMOS兼容的GaN低温无金欧姆接触工艺》
耿誉桃
香港科技大学
《基于互补逻辑的单片集成GaN滞回比较器》
林翰
华南理工大学
《使用频率相关电导和DLTS方法表征原位SiN栅极介质的GaN MISHEMTs界面态》
王民泽
中国科学技术大学
《重离子辐照下p型栅GaN HEMT动态电阻退化机理及改善方法》
会议期间，第三代半导体产业技术创新战略联盟产业研究院研究总监李小佳主持下，围绕着“电压拓展、衬底演进与Si/SiC/GaN三足鼎立格局”、“集成化趋势下的可靠性挑战与封装创新 ”、“国产GaN如何破局“低端内卷”与进行战略布局、“应用场景的潜力与差异化设计”等主题，香港大学先进半导与集成电路研究中心副主任、教授张宇昊， 晶通半导体董事长刘丹， 深圳平湖实验室GaN 首席科学家Daivd周 ，香港科技大学助理教授张薇葭 ，大连理工大学教授黄火林，多伦多大学纳米制造中心主任、教授吴伟东等嘉宾，现场展开对话，台上台下互动，气氛热烈。
（会议内容详情，敬请关注半导体产业网、第三代半导体公号）