为紧抓化合物半导体产业爆发机遇，进一步发挥珠海产业及应用市场优势，第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）将于2025年12月6-7日在珠海高新区香山会议中心组织召开首届“大湾区化合物半导体应用生态大会”。会议设有开幕大会和化合物半导体材料论坛、化合物半导体功率器件与应用论坛、化合物半导体芯片与封装论坛、化合物半导体光电应用创新论坛大会在内四场平行论坛，将围绕国家重大战略和第三代半导体产业链发展需求，邀请重量级专家、学者及产业链重点企业代表深入探讨上下游协同发展中的问题，为新时期化合物半导体技术突破及产业发展战略提供建议。
届时，中国科学院半导体研究所研究员赵有文将出席论坛，并将在“化合物半导体材料论坛 ”分享《磷化铟半导体晶体材料生长进展》的主题报告，敬请关注！
嘉宾简介
赵有文，中国科学院半导体研究所研究员、博士生导师，珠海鼎泰芯源晶体有限公司首席科学家。长期从事磷化铟、锑化镓、砷化铟等III-V族化合物多晶合成技术、低位错单晶生长技术、衬底制备技术、材料缺陷、杂质、物性及其在光电子和微电子外延材料生长和器件应用研究。带领中科院半导体所技术团队开展长期的技术研发，实现磷化铟和锑化镓单晶生长及衬底制备技术成果的产业化。近10年来先后开展了宽禁带半导体氧化锌和氮化铝单晶材料的气相法生长技术和材料性质；低成本太阳能级多晶硅提纯技术； CuInSe2, CuInGaSe2等薄膜太阳电池用基础材料的合成与性能等研究工作。研究方向和内容包括：大尺寸单晶InP、GaSb、InAs的LEC和VGF熔体生长技术；化学气相传输CVT法生长ZnO单晶和物理气相传输PVT法生长AlN单晶；晶体掺杂与电学性能；高温退火及扩散对缺陷的影响；单晶的电学和光学性质；单晶的深能级缺陷；缺陷对晶体完整性的影响；缺陷形成机理及抑制途径、衬底表面缺陷、外延缺陷成因等。承担完成国家科技攻关项目、国防科研项目、自然科学基金项目、院地合作项目等累计50余项。在国际、国内核心学术刊物上发表论文近150余篇，获国防科学与技术进步奖一等奖一项、国家级科学与技术进步奖二等奖一项、安徽省高校自然科学一等奖和省自然科学二等奖各一项，申请专利数十项。
报告摘要
InP单晶衬底是制造波长1.3-1.55mm的激光器和探测器、光芯片以及毫米波异质结双极晶体管 （HBT）及低噪声单片电路的关键基础材料，广泛用于高速互联网光纤通信、5G移动通信、卫星微波通信、红外探测等领域。磷化铟也是公认的太赫兹器件和电路的首选材料之一。近几年来， 随着人工智能技术和光通信技术的发展和迭代升级，大尺寸InP单晶衬底的市场需求显著增长，产品质量标准不断提高，对磷化铟单晶生长技术和衬底表面制备技术提出了更高的要求。
报告将介绍磷化铟单晶生长技术和衬底制备技术发展历程和现状。重点介绍了垂直温度梯度凝固法（VGF）生长6英寸低位错掺铁和掺硫磷化铟单晶的技术进展和衬底优异的性能。围绕VGF生长磷化铟单晶存在的固有缺陷及其对衬底性能的影响，分析了VGF技术存在的问题及面临的挑战。讨论了VGF-InP单晶衬底的特性及其在光器件、模块及微波器件电路等行业的市场应用情况及发展趋势。
会议内容
会议主题：“中国‘芯’基地，湾区‘芯’未来”
会议时间：2025年12月6日（周六）-7日（周日）
会议地点：珠海高新区香山会议中心
会议整体安排
会议日程安排
（一）开幕式--珠海“芯”机遇
论坛A：化合物半导体材料论坛
聚焦于化合物半导体材料领域，涵盖砷化镓、磷化铟、碳化硅、氮化镓、锑化镓等第三代半导体衬底、外延片的生长技术、质量控制与成本控制挑战与产业化前景，探讨如何突破材料瓶颈，为下游器件制造提供更优质、更经济的材料解决方案。
论坛B：化合物半导体功率器件与应用论坛
围绕化合物半导体功率器件的设计、制造、可靠性测试与驱动挑战展开，深入探讨其在新能源汽车、数据中心服务器电源、工业电机驱动、智能电网及消费类快充足的系统级应用方案、能效提升与成本效益分析，推动“绿色能源”革命。
论坛C：化合物半导体芯片与封装论坛
深入探讨适用于化合物半导体器件的先进封装解决方案，热管理技术以及高频互连技术等，以充分发挥化合物半导体的性能潜力，提升可靠性并满足多样化的应用需求。
论坛D：化合物半导体光电应用创新论坛
聚焦于化合物半导体在光电领域的革命性应用，核心议题包括Micro-LED的巨量转移与检测技术、产业化进程与成本挑战，激光器、消费电子、工业加工等领域的最新进展，旨在连接材料、芯片与终端应用，共同挖掘光电半导体的巨大市场潜力。
备注：嘉宾持续邀请中，最终日程以现场为准。
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链接：https://www.kdocs.cn/l/cphrHJ9gW1kC
会议报名
（一）会议免费，含工作餐。
（二）会议需扫码报名，请详细填写报名信息。
（三）联系方式
张女士
13681329411（微信同号）
zhangww@casmita.com
贾先生
18310277858（微信同号）
jiaxl@casmita.com
扫码报名，报名截止12月5日12:00
会议亮点抢先看
1顶级阵容齐聚
会议将特邀院士、专家、行业领军企业高层等60多位重量级嘉宾，分享前沿技术与战略洞察，搭建高端对话平台。开幕式上除了国家重点研发计划重要专家深度解读国家层面技术布局外，中车时代、英诺赛科、格力电器高层将从不同角度分享产业新变化。
2全产业链覆盖
会议设置了化合物半导体材料、化合物半导体功率器件与应用、化合物半导体芯片与封装、化合物半导体光电应用创新四个分论坛，打通上下游协同壁垒，精准对接产业需求与技术供给。
3政企学深度融合
会议设置了政策解读、需求发布等环节，同步组织企业参观考察，促进技术转化、项目合作与资源集聚。
4聚焦产业瓶颈与痛点
会议组织多场互动对话，聚焦发展重点问题，深度探讨材料突破、成本控制、可靠性提升、应用创新等关键议题，助力企业把握 “十五五” 布局重点。
珠海沃土育“芯”局
本次会议不止于论坛，而是一场与湾区芯未来的深度链接。珠海是广东省唯一入选的 “广东省半导体与集成电路特色产业园”，已构建起全国特色鲜明的化合物半导体与特色工艺产业生态，在砷化镓、磷化铟、碳化硅、氮化镓等材料与器件研发上取得前沿突破，形成了 “门类齐、集群密、链条全” 的产业格局。 作为珠海产业高地，高新区经过近 30 年培育，已成为半导体与集成电路产业主要集聚区，聚集相关企业 97 家，占全市总数近 70%。这里既有鼎泰芯源、英诺赛科等在第二代、第三代半导体材料领域深耕多年的龙头企业，也有光库科技等填补国内高端光芯片空白的创新企业，还有格力电器等应用企业，更有完善的政策支持与产业配套，为大会提供了坚实的产业基础与丰富的对接资源。会议同期组织参观考察珠海营商环境，感受营商环境与产业生态。“珠海芯梦” 交流晚宴为参会嘉宾提供轻松的社交场景，促进跨领域、跨企业的深度链接。