标准 |《SiC MOSFET高浓度硫化氢试验方法》立项

发表于:2025-12-04 来源:半导体产业网 编辑:

 2025年11月24日,按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会(CASAS)相关管理办法,经CASAS管理委员会投票通过由上海临港车规半导体研究有限公司、复旦大学宁波研究院联合牵头提出的《碳化硅金属氧化物半导体功率器件(SiC MOSFET)高浓度硫化氢试验方法》团体标准立项建议,详细信息如下:

准名称

T/CASAS 072—202X 碳化硅金属氧化物半导体功率器件(SiC MOSFET)高浓度硫化氢试验方法

牵头单位

上海临港车规半导体研究有限公司、复旦大学宁波研究院

联合单位

卓智热创(苏州)试验设备有限公司、复旦大学、宏微科技股份有限公司、中国电器科学研究院股份有限公司、安世半导体科技(上海)有限公司、常州银河世纪微电子有限公司、上海诚帜电力电子技术发展有限公司、南瑞集团有限公司、成都集佳科技有限公司、上海林众电子科技有限公司、广电计量检测集团股份有限公司

秘书处将向CASAS正式成员发出征集起草单位的通知,组建标准起草小组,请CASAS正式成员关注秘书处邮件(casas@casa-china.cn)。

【上海临港车规半导体研究院】

上海临港车规半导体研究院是落地临港服务临港的优质车规半导体科技创新功能性平台,我们车规研究院科创平台总体目标是推动上海临港新片区向世界级“东方芯都”迈进并同时促进临港、长三角乃至全国车规半导体全产业链创新合作共同发展的科技创新型平台提高中国车规芯片设计、制造、封装以及测试认证综合能力,提升车规级芯片国产化比率。通过创新式、开放式平台化运作模式以及优秀团队共同携手前行,协同国际与国内车规半导体芯片和新能源汽车用户领域的各类优势资源合作,吸纳、聚集和培育经营性优质人才、技术引领性创新的人才,努力突破车规半导体实验检测认证、先进芯片设计、前瞻性封装技术以及设备、材料以及车规应用等等共性与特性关键技术,形成车规半导体的创新平台,车规芯片新技术实践基地,以及为临港产业招商与临港孵化车规半导体创业乐园,计划逐步在2025年成为行业知名车规半导体科技创新功能性平台,行业第三方重点实验室以及临港产业招商与高质量孵化器,以上下游产业优质资源、技术与人才、金融投融资资源以及当地政策,赋能低空经济领域、车规半导体行业民营公司和小微企业,培养优质企业家组建经营联盟,逐渐让我们研究院孵化企业成为国内外特定赛道领衔明星企业且具备将来上市能力。

【复旦大学宁波研究院宽禁带半导体材料与器件研究所】

复旦大学宁波研究院宽禁带半导体材料与器件研究所聚焦宽禁带半导体器件设计、工艺开发、封装及可靠性关键技术。研究所总投资约4.6亿,打造国际一流的碳化硅功率器件、封装和测试平台,解决面向下一代、面向产业化的关键问题。研究所目前建有实验室4640 m2,其中百级无尘室440m2,千级无尘室100m2,万级无尘室2200m2,十万级无尘室1000m2,其他辅助面900 m2。另有办公面积1400 m2及功能区787 m2。自2022年以来,陆续获批纵向项目包括国家自然科学基金青年基金、中国博士后科学基金面上资助、浙江省“领雁”项目、浙江省博士后基金、宁波市科技重大专项等。发表论文91篇,专利申请20项,授权2项。承接产学研合作横向项目超千万,获批复旦大学专业学位研究生专业实践基地。