车规级碳化硅（SiC）技术是新能源汽车高压平台的核心，能显著提升续航、加速和充电速度，在主驱逆变器、车载充电（OBC）与DC-DC转换等有应用，具有性能提升、系统收益等技术优势，但也面临着成本压力和技术壁垒。
近日，第十一届国际第三代半导体论坛&第二十二届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA 2025）在厦门召开。
期间，北京昕感科技（集团）副总经理、合肥昕感科技总经理李道会受邀参会，并在“碳化硅功率电子器件及其封装技术”分会上带来了《车规碳化硅技术的应用及挑战》的主题报告，分享了功率半导体及SiC价值链、车规SiC器件和封装关键形态、功率半导体开发平台及进展等内容。
功率半导体是能源转换与传输的核心器件、电力电子装置的“CPU”，功率半导体技术升级决定了系统装置的升级，是传统工业向新型工业转型升级的核心。广泛应用在轨道交通、智能电网、新能源汽车、智能家电、新能源、国防装备等领域。功率半导体器件SiC/GaN新型能源转换领域前景广阔，比如风/光/储，电动飞行器eVTOL，AI电源及机器人等领域。
报告指出，碳化硅全价值链的研发制造过程，每个环节都有SiC自身特性需要逐步攻关，最终发挥SiC器件在功率半导体产业上的优势。从SiC全球产业链来看，中国企业近年在SiC衬底材料-外延生长端率先突破。SiC关键设备及Fab晶圆制造技术侧尚有一定差距，国产芯片上主驱动可靠性方面需耐心。 功率器件在EV/HEV上的应用，主要应用在高功率Inverter, DC/DC和OBC等。IGBT和SiC的主驱应用，在后驱上使用SiC获得最优的性能，兼顾成本前驱上使用IGBT；在OBC和DC/DC以及换电站上均采用SiC。应用SiC器件主驱具有效率提升，里程提升，降低能源损耗等优势。 从主流车规功率半导体封装形式来看，2019年之后各家主驱厂采用不同封装形式IGBT模块或SiC模块作为主驱模块； 2022年后中国新能源车厂自定义新型封装形式充分发挥碳化硅特性，近两年进入量产上车。
创新型车企自定义功率封装自定义主电流端子-控制端子-散热器-机械接口，实现1200V高性能、高可靠性碳化硅SiC模块封装；改变传统功率模块到主驱逆变器开发模式，从需求端出发，提升开发效率，缩短开发周期。主流车厂自主定义新型低成本模块满足新车型要求，封装接口标准化对主机厂极其重要(可封装IGBT or SiC芯片)；比传统HPD减小30%体积和材料，解决80kW-130kW功率段灌封模块痛点，适合于混动及增程车。
对于SiC功率模块封装标准化，报告指出，车规主驱动需求主要涉及高可靠性，高短路能力，高功率密度，高工作结温。芯片按车规应用需求定义，控制连接简单，高效热管理。近两年新型SiC模块种类多，每家需求量有限，品质差异性大。塑封SiC封装标准化接口，针对可靠性，BOM成本等关键因素差异化，满足客户需求。
昕感科技从功率芯片到模块的核心设计开发能力，服务于工艺平台的搭建和产品迭代，昕感无锡测试应用中心专注于功率产品的全方位测试与验证，旨在确保产品的卓越性能和长期稳定。
企业简介
昕感科技聚焦于功率半导体的技术突破创新与产品研发生产，面向光伏储能、电动汽车、轨道交通、工业控制、智能电网等市场提供拥有自主知识产权、卓越品质、高可靠性的功率半导体产品，包括功率器件、功率模块、系统模组等。公司立足北京，辐射全国，在上海、深圳、江阴、合肥设有研发中心与制造基地，并在无锡设立测试应用中心，构建了多地协同、高效联动的战略布局。昕感科技拥有顶尖的人才团队，包括国家级重点引进人才，功率半导体龙头企业高管，产业经验丰富的研发制造与运营团队，以及清华电子系科研团队。
昕感科技产品性能和可靠性对标国际一流企业，已在650V、1200V和1700V等电压平台上完成数十款功率器件和模块产品的量产，部分产品已通过AEC-Q101车规级可靠性认证，产品累计出货客户百余家。昕感科技正全力实现功率器件在工业、汽车和能源等市场更广泛的应用，致力成为中国功率半导体领域的变革引领者。
（根据现场资料整理，仅供参考）