半导体产业网获悉：近日，进化半导体（深圳）有限公司的氧化镓技术再次取得重要突破。
通过提拉工艺和热场的改进，成功基于“无铱工艺”（PMF-Precious metal Free）制备出直径110mm 即4英寸 (010)面 β-Ga2O3 掺铁半绝缘晶体。
这是国际上首次报道基于“无贵金属”技术体系达到4英寸的纪录，也是目前国际上直拉工艺获得的最大(010)单晶。距此前进化半导体实现2英寸仅时隔数月，充分证明进化半导体已建立“PMF无铱工艺”技术体系，再次彰显团队实力和工艺产业化潜力。
图1 4英寸PMF工艺氧化镓晶体
进化半导体 将继续推进PMF工艺的大口径化、多晶面化，已制备了科研级尺寸的(011)面氧化镓衬底，正在制备2英寸晶圆级(011)晶面衬底。
进化半导体已可供应：2英寸及以下尺寸的(100)偏6度、(011)、(010)、(001)等多种晶面的科研级衬底；HVPE 2英寸氧化镓同质外延片，厚度＞10μm（最高可达80μm）；HVPE 2英寸蓝宝石基氧化镓外延片，厚度3~7μm；专用于VB工艺的高纯氧化镓多晶毫米/厘米级颗粒料，可大幅提升VB和导模法晶体制备效率；