近日，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁半导体”）正式收到由浙江省经济和信息化厅、浙江省财政厅、国家税务总局浙江省税务局联合批准认定的高新技术企业证书。这一权威资质的获批，不仅是对公司在超宽禁带半导体领域技术创新能力与核心竞争力的高度认可，更是对公司深耕氧化镓材料研发、推动产业化落地成果的有力佐证，为企业高质量发展注入强劲动力。
高新技术企业资质的评定，严苛聚焦企业核心技术的创新性、研发投入强度及成果转化能力。镓仁半导体自成立以来，始终以技术创新为核心驱动力，深耕氧化镓这一第四代半导体核心材料领域，凭借一系列原创性技术突破，构建起坚实的技术壁垒，确立了全球行业领先地位。
多技术路线领跑，筑牢氧化镓技术高地
在核心技术研发上，镓仁半导体构建了完备的氧化镓单晶制备体系，成为全球首个实现多技术路线、多晶面8英寸氧化镓单晶制备的领先厂商：
铸造法全球领先突破：使用自主创新的铸造法成功制备全球首颗8英寸氧化镓单晶及衬底，以贵金属用量少、成本低、尺寸易放大等优势打破国外垄断，为国产化替代奠基。
垂直布里奇曼法（VB法）阶梯升级：2025年内完成4-6-8英寸单晶生长迭代，8英寸单晶等径长度达20mm，6英寸（010）面单晶等径段超40mm，均达国际领先水平。
全链条布局：成功实现晶圆级6英寸斜切氧化镓衬底制备、高质量6英寸氧化镓同质外延生长，推出（011）晶面衬底片新品及“SCIENCE系列”科研级VB法长晶设备，构建起“设备-晶体-衬底-外延”全链条产品体系。凭借一系列行业领先成果，公司斩获多项行业重磅荣誉，相关成果先后获得“2025年度中国第三代半导体技术十大进展”、“浙江省科技厅2025年度重大科技成果”、“2024-2025年度半导体材料行业贡献奖”等重大荣誉，并拥有国际国内授权发明专利13项，申请中专利50余项，技术实力获权威认可。
广阔应用前景，赋能产业升级
氧化镓作为超宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、临界击穿场强高、能量损耗低等优异特性，在新能源汽车、高压电力系统、深紫外探测、5G通信等领域拥有广阔应用前景，可助力实现能源效率提升与“双碳”目标达成。
镓仁半导体8英寸氧化镓衬底已通过深圳平湖实验室、马尔文帕纳科亚太卓越应用中心等第三方机构检测，充分验证了产品的优异质量，为下游器件产业化应用提供了核心材料支撑。
未来规划：锚定领先，助力自主可控
此次荣获高新技术企业认定，既是荣誉更是责任。未来，镓仁半导体将以此为契机，持续加大研发投入，聚焦晶体质量提升、成本优化及下游器件验证等产业化关键环节，加速技术迭代与成果转化。公司计划与下游器件厂商开展深度联合评估，协同推进氧化镓材料在实际场景中的性能验证与规模化应用，推动国内氧化镓行业生态构建与快速发展。同时，公司将依托浙江省企业研究院平台，深化与高校、科研机构的产学研合作，吸引高端技术人才，持续巩固在氧化镓领域的全球领先地位，致力于成为全球超宽禁带半导体材料与设备解决方案的领军者，为我国半导体产业自主可控贡献核心力量。
（来源：镓仁半导体）