降本增效与技术适配需求核心驱动下，从6英寸主导、8英寸加速渗透到12英寸技术突破，SiC衬底呈现出阶梯式发展路径。随着大尺寸碳化硅技术价值凸显，国内已有多家企业实现12英寸碳化硅晶体或衬底、设备技术突破。至今，已有超20家企业亮出了12英寸碳化硅技术或产品进展，这些持续涌现的进步，既是过往发展的高亮注脚，也成为了连接2026年产业趋势的关键词。
衬底/长晶/外延技术
1.博雅新材：展示12英寸N型碳化硅晶锭
2024年3月，博雅新材在国内率先展示12英寸N型碳化硅晶锭，博雅新材是国内少数同时掌握气相法（PVT法）和液相法（TSSG法）生产SiC衬底的企业，技术覆盖4英寸至8英寸产品，并已实现量产。
2.天岳先进：全系列12英寸碳化硅衬底产品亮相
天岳先进2024年11月成功研制12英寸高纯碳化硅衬底。2025年3月 天岳先进在Semicon China及同期亚洲化合物半导体大会上，全球首发并亮相了全系列12英寸碳化硅衬底产品，具体包括12英寸高纯半绝缘型碳化硅衬底、12英寸导电P型碳化硅衬底及12英寸导电N型碳化硅衬底，展现了其在大尺寸SiC衬底领域全面的技术储备和全品类供应能力。其中，N型导电型衬底适用于功率器件场景，高纯半绝缘衬底则可用于射频和光学领域。
天岳先进系列12英寸碳化硅衬底产品
3.烁科晶体：研制出12英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底及N型碳化硅单晶衬底
2024年12月，烁科晶体成功研制出全球首片12英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬，同期还成功研制了12英寸N型碳化硅单晶衬底。
烁科晶体12英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底及N型碳化硅单晶衬底
4.同光股份：展示12英寸导电型晶锭和衬底
2025年3月，同光股份在展会上正式展示了12英寸导电型晶锭和衬底产品。
同方股份12英寸导电型晶锭
5.天科合达：发布12英寸热沉级碳化硅衬底
2025年3月，天科合达在展会上全球首发12英寸热沉级碳化硅衬底。该衬底面向AI和自动驾驶高性能封装散热需求，片重约350微米，导热率≥400 W/m·K，已送样英伟达、华为等客户。
6.永泉晶圆：成功研发出12英寸碳化硅晶锭，厚度超过11mm
2025年4月，永泉晶圆成功研发出12英寸碳化硅晶锭、厚度超过11mm，实现我国台湾地区首颗自主12英寸SiC晶锭，填补了当地在大尺寸SiC材料领域的空白。永泉晶圆已于2025年9月实现12英寸SiC晶锭的稳定量产，并开始向国际客户出货。
7.浙江晶瑞：实现12英寸导电型SiC单晶生长
晶盛机电旗下子公司浙江晶瑞于2025年5月宣布成功实现12英寸导电型碳化硅单晶生长，首颗晶体直径达309mm且质量完好。9月，其首条12英寸碳化硅衬底加工中试线正式通线。2026年1月进一步突破衬底厚度均匀性（TTV）≤1μm的关键指标，12英寸碳化硅衬底已实现小批量出货。
浙江晶瑞12英寸碳化硅衬底已实现小批量出货
8.南砂晶圆：12英寸导电型SiC衬底产品公开亮相
2025年5月，南砂晶圆首次公开展示了12英寸导电型碳化硅（SiC）衬底实物，攻克大尺寸碳化硅衬底制备难题。南砂晶圆形成了完善的SiC单晶生长和衬底制备生产线，产品涵盖6英寸、8英寸及12英寸导电型和半绝缘型碳化硅衬底。此前，其8英寸导电型4H-SiC单晶衬底已实现近“零螺位错”密度和低基平面位错密度，显著提升了产品可靠性与性能，为12英寸衬底的研发及量产奠定了技术基础。
南砂晶圆12英寸导电型SiC衬底
9.合盛新材料：成功研发12英寸（300mm）导电型碳化硅（SiC）单晶晶体
2025年5月，合盛硅业下属单位宁波合盛新材料有限公司宣布成功研发12英寸（300mm）导电型碳化硅（SiC）单晶晶体，并已启动切、磨、抛等加工技术的研究。该突破依托自主设计的SiC单晶生长炉及多年技术攻关，通过创新坩埚设计、使用多孔与涂层石墨技术，实现了超大晶体所需的高通量生长。
合盛硅业 12英寸晶片（左图），12英寸晶锭（右图）
10.浙江晶越：研制出12英寸SiC晶锭
浙江晶越半导体于2025年7月宣布成功研制出高品质12英寸SiC晶锭，标志着其正式进入12英寸SiC衬底梯队。公司主要聚焦6-8英寸导电型碳化硅衬底的研发、生产与销售，2025年上半年成功量产8英寸碳化硅衬底，12英寸SiC晶锭的研制，进一步完善了其在碳化硅衬底领域的技术布局，为后续打造国内领先的碳化硅材料提供商奠定了基础。
浙江晶越12英寸SiC晶锭
11.连科半导体：成功生长出12英寸碳化硅晶锭
连科半导体于2025年8月成功生长出高品质12英寸（304mm）碳化硅晶锭。公司依托完全自主研发的12英寸碳化硅长晶炉及热场系统，采用中宜创芯提供的7N高纯碳化硅粉体。此次突破不仅验证了国产设备与工艺在超高温、高均匀性热场控制方面的成熟度，也意味着我国在碳化硅晶体生长设备和材料制备全链条自主可控方面迈出关键一步。
连科半导体12英寸（304mm）碳化硅晶锭
12.科友半导体：成功制备12英寸半绝缘碳化硅单晶
科友半导体于2025年9月初成功制备出12英寸碳化硅晶锭，依托自主研发的12英寸碳化硅长晶炉及热场技术，成为国内少数同时掌握12英寸碳化硅晶体生长设备与工艺全套核心技术的半导体企业，实现了从设备到材料的全面自主突破。10月中旬，成功制备12英寸半绝缘碳化硅单晶，实现了双路线的重大跨越。
科友半导体
13.天成半导体：研制出12英寸半绝缘及N型单晶
天成半导体于2025年10月宣布成功研制出12英寸高纯半绝缘碳化硅单晶材料及12英寸N型碳化硅单晶材料，其中N型单晶材料晶体有效厚度突破35mm。此次突破依托公司自主研发的12英寸碳化硅长晶设备，攻克了大尺寸扩径和低缺陷生长工艺，形成了12英寸高纯半绝缘与N型单晶生长双成熟工艺体系。目前，天成半导体已掌握从碳化硅长晶设备制造、粉料、籽晶、热场设计到晶体加工等全流程工艺的完全自主可控。
天成半导体12英寸导电型碳化硅单晶材料（左图）12英寸高纯半绝缘碳化硅单晶材料（右图）
14.环球晶：12英寸方形SiC衬底已成功开发，并进入送样阶段
环球晶在2025年11月成功开发出12英寸方形碳化硅（SiC）衬底，并已进入送样阶段，此次开发的12英寸方形SiC衬底，主要面向下一代高效能电源系统、电动汽车主驱逆变器以及高密度AI计算单元的散热需求，有望通过尺寸升级带来晶圆利用率提升和单位成本下降。环球晶是台湾省主要半导体矽晶圆材料制造商，专注于3英寸至12英寸晶圆研发制造。
15.瀚天天成：发布全球首款12英寸SiC外延晶片技术
瀚天天成于2025年12月发布全球首款12英寸碳化硅外延晶片，在良率及性能指标上表现突出：2mm×2mm芯片良率大于96%，外延层厚度不均匀性控制在3%以内，掺杂浓度不均匀性≤8%，可满足下游功率器件领域的高可靠性应用需求。目前，公司已启动该产品的批量供应筹备工作。
瀚天天成
16.海目芯微：成功研制出12英寸碳化硅（SiC）单晶晶锭
海目芯微于2026年1月成功研制出12英寸碳化硅（SiC）单晶晶锭，标志着公司在6英寸、8英寸及12英寸全尺寸长晶技术链上实现全面自主可控。该成果依托自主研发的电阻式长晶设备与持续迭代的工艺技术，通过创新性温场设计与晶体完整性控制迭代，有效解决了大尺寸晶体生长中热梯度复杂、内应力增加、缺陷控制难度大等核心技术瓶颈，保障了晶体的高质量稳定生长，制备的晶锭结晶质量优异、结构完整。
海目芯微12英寸碳化硅单晶晶锭
设备技术
17.晶驰机电：成功开发出电阻法12英寸碳化硅晶体生长设备
晶驰机电于2025年3月成功开发出电阻法12英寸碳化硅晶体生长设备，通过创新热场方案完成了12寸碳化硅晶体生长验证，为大尺寸碳化硅晶体的温场控制提供了新路径。截至2026年1月，其12英寸碳化硅长晶设备已完成向头部企业的交付与工艺验证。
18.西湖仪器：成功开发出12英寸碳化硅衬底自动化激光剥离技术
西湖仪器于2025年3月成功开发出12英寸碳化硅衬底自动化激光剥离技术，解决了12英寸及以上超大尺寸碳化硅衬底的切片难题，实现了工艺闭环。该技术通过精准定位、均匀加工和连续剥离，具备自动化、低损耗与高效率等优势，能够对碳化硅晶锭进行全流程自动化处理，大幅降低材料损耗并提升加工速度，为碳化硅行业的降本增效和超大尺寸衬底规模化量产奠定基础。
19大族半导体：展示12英寸SiC激光剥离片等方案
2025年3月，大族半导体在展会上首次公开展示了其创新的SiC激光剥片整线装备及12英寸SiC激光剥离片解决方案，其解决方案不仅解决了12英寸SiC衬底切片难题，更通过降低砂轮损耗和提升良率，为下游光电子、射频器件及新能源汽车等领域提供了成本优化路径。
大族半导体
20.天晶智能：推出TJ320型超高速多线切割机
天晶智能于2025年4月推出的TJ320型超高速多线切割机，是专为12英寸碳化硅晶锭切割设计的设备，有效解决了大尺寸晶锭切割效率低下的瓶颈问题。该机型集成自主研发的超高速伺服张力控制系统和金刚石线循环切割技术，在线运行速度高达3000米/分钟，切割效率较传统设备提升300%。目前，公司淮安基地880台/年产能已承接欧洲订单，二期工程投产后将占据全球30%市场份额。
天晶智能TJ320型超高速多线切割机
21.山东力冠：推出12英寸液相法SiC长晶设备
山东力冠微电子装备于2025年5月推出的12英寸液相法SiC长晶炉，是针对大尺寸碳化硅晶体生长的关键设备，采用顶部籽晶溶液生长（TSSG）技术，相比主流的物理气相传输法（PVT）展现出多方面优势。基于动态调控技术更易实现12英寸晶体生长，克服了PVT法因气相传输对热场均匀性要求严苛导致的扩径周期长、边缘缺陷突出等问题。该设备的推出，进一步丰富了国内12英寸碳化硅长晶设备的技术路径，为解决大尺寸衬底量产中的效率、成本与质量瓶颈提供了新方案。
22.晶飞半导体：自研设备实现12英寸晶圆无损激光剥离
北京晶飞半导体科技于2025年9月8日宣布，利用自主研发的激光剥离设备成功实现12英寸碳化硅晶圆的剥离，标志着“无损解理”这一高难度工艺环节实现了自主可控。该突破为全球碳化硅产业的降本增效提供了全新解决方案。作为专注于半导体专用设备研发的企业，晶飞半导体以激光应用技术为核心，其自主知识产权的设备将为国内碳化硅制造企业提供关键支撑，推动第三代半导体关键制造装备的国产化进程。
23.晶盛机电：向瀚天天成交付12英寸单片式SiC外延设备
晶盛机电于2025年12月向SiC外延晶片生产商瀚天天成顺利交付12英寸单片式碳化硅外延生长设备，这一突破推动碳化硅产业链向更大尺寸、更高效率、更低成本方向演进。该设备可兼容8、12英寸SiC外延生产。此次交付与瀚天天成同期发布的全球首款12英寸SiC外延晶片技术形成“材料—设备—工艺”的闭环。公司还拟募资25亿元投向“年产120万片12英寸SiC衬底及外延装备产业化项目”，建设周期24个月。
晶盛机电12英寸单片式碳化硅外延生长设备团队合影
24.晟光硅研：实现12英寸碳化硅晶锭的高质量、高效率精密加工
晟光硅研于2025年12月26日宣布，通过自主研发的水导激光加工技术，成功实现12英寸碳化硅晶锭的高质量、高效率精密加工，目前已进入小批量加工阶段。该技术突破为12英寸碳化硅衬底制备提供了关键加工方案。
晟光硅研
25.晶升股份：12英寸SiC单晶炉完成小批量发货
晶升股份于2025年12月29日完成自主研发的12英寸碳化硅单晶炉小批量发货，正式交付国内头部客户投入应用。该设备的交付填补了国产大尺寸SiC长晶设备的空白，为下游客户布局高端衬底提供了核心设备支撑。此前，公司8英寸碳化硅单晶炉已批量交付国内外客户，关键性能指标比肩国际同行。
晶升股份12英寸SiC单晶炉完成小批量发货
尽管技术突破显著，12英寸产业化仍面临技术成熟度不足、产业链配套滞后等挑战，良率提升与成本控制仍是核心课题。产业链配套方面，12英寸器件制造设备、外延工艺、封装技术尚未完善，短期内市场需求难以快速消化产能。目前多数企业的12英寸产品仍处于实验室样品或中试阶段。有分析认为，短期两三年内8英寸仍将是主导，12英寸SiC衬底将以技术验证与小批量试产为主，优先应用于高端工业、先进封装、AR等细分场景。随着技术成熟度提升与下游产业链配套完善，12英寸衬底将逐步向车规级、大规模储能等核心场景渗透，实现对8英寸衬底的部分替代。部分头部企业凭借技术与产能优势，将主导12英寸衬底产业化进程，推动中国SiC衬底行业逐步进入“大尺寸化”新阶段。我们拭目以待。