近日，山东晶升电子科技有限公司再传技术突破捷报！完全自主研发生产的6英寸VB晶体生长炉（非铱技术） 完成全流程调试，成功交付国内重点高校开展技术验证。此次交付是晶升电子在氧化镓晶体生长设备领域的又一自主创新成果，更是公司深化产学研协同、助力高校前沿材料研发的重要实践。
核心技术，解锁氧化镓生长新路径
本次交付的6英寸VB晶体生长炉，依托晶升电子自主研发的非铱核心技术，以坩埚下降法（VB法）为核心原理，专为氧化镓晶体实验室研发与验证打造，技术优势显著：
电阻加热+梯度温场，精准控温
采用电阻加热方式，可在炉膛内精准形成高于氧化镓熔点的梯度温度场，为晶体生长提供稳定、可控的温度环境，满足实验室精细化研发需求。
坩埚下降法，适配氧化镓生长
以经典VB法（坩埚下降法）为核心，装有原料的坩埚缓慢下降进入高温炉膛，原料完全熔化后随坩埚匀速下拉，晶体于坩埚底部逐步生长，生长过程稳定、可控。
非铱技术，降本且适配性强
搭载自主研发非铱核心技术，突破传统技术限制，同时炉膛气氛要求低，无需严苛的气氛控制条件，大幅降低实验室研发与操作成本。
抑制分解，提升晶体品质
针对氧化镓易分解的特性，设备通过精准的温场与工艺设计，能有效抑制氧化镓分解，从源头保障晶体生长的完整性与品质，为高校氧化镓材料研究提供坚实设备支撑。
初心如磐，持续自主创新
从8英寸提拉法晶体生长炉交付头部企业，到6英寸VB晶体生长炉落地重点高校，晶升电子始终以完全自主研发为核心，深耕半导体晶体生长设备领域。未来，公司将继续聚焦宽禁带半导体材料制备设备的技术迭代，深化产学研协同创新，以更多硬核自主创新成果，赋能国内半导体材料产业高质量发展！
（来源：晶升电子科技）