开年UVLED领域行业盛会，凝心聚力再启新征程！——第八届国际第三代半导体论坛（IFWS ）&第十九届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA ）将于2023年2月7-10日（7日报到）在苏州金鸡湖凯宾斯基大酒店召开。汇聚产学研用资等顶级专家名企资源，超二十场高水平论坛活动，一次性尽览第三代半导体技术与产业前沿发展趋势！作为重要的分论坛，由山西中科潞安紫外光电技术有限公司，广州市鸿利秉一光电科技有限公司、苏州思体尔软件科技有限公司等单位协办”UV LED创新应用产业峰会+固态紫外材料与器件技术分论坛“最新日程重磅出炉。
UV LED对各个行业的影响已经逐步展现，UV LED技术的革新带来更多应用和产业创新，推动整个社会走向更加良性的循环发展。比如基于UVA波段的紫外LED固化已成功应用于胶印、丝印油墨印刷，玻璃塑料粘接、压敏胶带生产、喷墨印刷、UV LED甲油胶等领域。在产品应用领域，深紫外LED被广泛应用于水净化、空气净化、杀菌消毒、医疗器械、工业固化、工业光催化等诸多民用领域。在便携式消毒电子产品中如母婴消毒器、照明杀菌灯具、智能消毒机器人等领域深紫外LED也被广泛采用。
第三代半导体材料禁带宽度大，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高等优越性质。其在紫外器件中具备其他半导体材料难以比拟的优势，展现出巨大的应用潜力。随着环保及公共安全等领域的需求升级，固态紫外技术拥有广阔的应用前景。氮化物半导体涉及蓝/白光LED、紫外LED，微波射频器件、功率电子器件等诸多应用，比如深紫外光源已用于日常生活、生产科研、国土安全等领域。
2月9日上午8：30-12：00，UV LED创新应用产业峰会将重点关注紫外LED在净水、杀菌等诸多领域的创新应用，探讨产业发展浪潮催生的市场需求和技术进展等。届时，国家疾病预防控制中心环境与健康相关产品安全所原副所长、消毒委主任委员白雪涛，山西中科潞安紫外光电技术有限公司总经理闫建昌，镓敏光电董事长、南京大学陆海教授，北控水务集团技术管理部水务经理杜军，广州市鸿利秉一光电科技有限公司董事长、总经理吴乾，GE通用净水科技有限公司研发总监任君琪，德国MSG Lithoglas GmbH亚太地区总监胡晓东等将围绕UV LED技术前沿进展及创新应用分享主题报告。
2月9日下午13:30-18:00，固态紫外材料与器件技术分论坛特邀请厦门大学康俊勇教授，中国科学院半导体研究所研究员、中科院半导体照明研发中心主任王军喜研究员担任程序委员会分论坛主席，联合中国科学院长春光学精密机械与物理研究所黎大兵研究员，南京大学陆海教授，华中科技大学陈长清教授，台湾交通大学郭浩中教授，沙特国王科技大学副教授李晓航，北京大学物理学院副教授许福军等程序委员会专家召集人，重点关注以氮化铝镓（AlGaN）、氮化镓（GaN）为代表的紫外发光材料，以碳化硅、氮化镓为代表的紫外探测材料，高效量子结构设计及外延，以及发光二极管、激光器、光电探测器等核心器件的关键制备技术，并涵盖紫外器件的先进封装材料及技术等。
邀请康俊勇教授和王军喜研究员担任嘉宾主持人，并有：日本三重大学三宅秀人教授，南京大学电子科学与工程学院周玉刚教授，厦门大学物理科学与技术学院副院长黄凯教授，复旦大学信息科学与工程学院光源与照明工程系崔旭高副教授，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所司志伟，美国Bolb Inc.董事长兼首席技术官张剑平博士，中科院长春光机所孙晓娟研究员，郑州大学电气与信息工程学院教授、科技部电子材料与系统国家级国际联合研究中心主任、河南省电子材料与系统国际联合实验室主任刘玉怀教授，中科院宁波材料所张文瑞研究员，湖北大学材料科学与工程学院黎明锴教授，厦门大学高娜副教授，苏州思体尔软件科技有限公司技术支持工程师茅艳琳，华中科技大学郑志华等将围绕固态紫外材料与器件前沿技术进展及创新应用分享主题研究报告。
目前最新日程如下，欢迎参会交流合作：
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产业峰会：UV LED创新应用 UV LED Innovation and Application |
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时间：2023年2月9日08:30-12:00 地点：苏州金鸡湖凯宾斯基大酒店 • 会议室K2 Time: Feb 9，2023，08:30-12:00 Location: Kempinski Hotel Suzhou • K2 |
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协办支持/Co-organizer: 山西中科潞安紫外光电技术有限公司/Advanced Ultraviolet Optoelectronics Co., Ltd. 广州市鸿利秉一光电科技有限公司/Hongli Bingyi Photoelectric Technology Co., Ltd |
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屏幕尺寸 / Slides Size：16:9 |
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主持人 Moderator |
闫建昌——山西中科潞安紫外光电技术有限公司总经理 白雪涛——国家疾病预防控制中心环境与健康相关产品安全所原副所长、消毒委主任委员 |
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08:30-08:50 |
UVC LED助力打造后疫情时代健康生活及工作环境 白雪涛——国家疾病预防控制中心环境与健康相关产品安全所原副所长、消毒委主任委员 |
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08:50-09:10 |
氮化镓及碳化硅紫外探测器技术与产业化应用 陆海——镓敏光电董事长、南京大学教授 LU Hai——Professor of Nanjing University |
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09:10-09:30 |
污水处理厂深紫外消毒设计及应用进展 Design and application progress of DUV disinfection in sewage treatment plants 杜军 北控水务集团技术管理部水务经理 Jon DU Beijing enterprise water group Limited |
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09:30-9:50 |
深紫外光源在UV固化的应用 吴乾——广州市鸿利秉一光电科技有限公司董事长、总经理 WU Qian ——General Manager of Hongli Bingyi Photoelectric Technology Co., Ltd |
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9:50-10:05 |
茶歇 / Coffee Break |
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10:05-10:25 |
UVC LED在末端净水设备中应用的现状与问题 Current situation and problems of application of UVC LED in POU water filtration equipments 任君琪——GE通用净水科技有限公司研发总监 Harry REN——R&D Director of General Water Technology Co., Ltd. |
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10:25-10:45 |
大功率深紫外LED产业化关键技术探讨 闫建昌——山西中科潞安紫外光电技术有限公司总经理 YAN Jianchang——General Manager of Advanced Ultraviolet Optoelectronics Co., Ltd. |
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10:45-11:05 |
集成反射器的封装技术用于提升高功率UVC LED芯片的光提取效率 Enhanced Light Extraction Efficiency of high power UVC LEDs by SMD-Packaging with Integrated Reflectors 胡晓东——德国MSG Lithoglas GmbH亚太地区总监 HU Xiaodong——Director of Asia Pacific Region of MSG Lithoglas GmbH, Germany |
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11:05-12:00 |
Panel Discussion: 1) UV LED 消毒杀菌用户教育方式 2) 出光效率提升路径及未来突破周期 3) UVC LED如何在与其他消毒因子的方案竞争中脱颖而出 |
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技术分论坛：固态紫外材料与器件 Technical Sub-Forum: Solid-State Ultraviolet Materials and Devices |
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时间：2023年2月9日13:30-18:00 地点：苏州金鸡湖凯宾斯基大酒店 • 会议室K2 Time: Feb 9，2023，13:30-18:00 Location: Kempinski Hotel Suzhou • K2 |
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协办支持/Co-organizer: 山西中科潞安紫外光电科技有限公司/Advanced Ultraviolet Optoelectronics Co., Ltd. 苏州思体尔软件科技有限公司/ SuZhou STR Software Technology Co., Ltd |
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屏幕尺寸 / Slides Size：16:9 |
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主持人 Moderator |
康俊勇 / KANG Junyong 厦门大学教授 Professor of Xiamen University 王军喜 / WANG Junxi 中国科学院半导体研究所研究员、中科院半导体照明研发中心主任 Professor of Institute of Semiconductors, CAS; Director of Research and Development Center for Semiconductor Lighting CAS |
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13:30-13:55 |
Fabrication of 265 nm AlGaN-LEDs on Face-to-face annealed AlN/sapphire template 三宅秀人——日本三重大学教授 Hideto MIYAKE——Professor of Graduate School of Engineering, Mie University |
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13:55-14:15 |
提高AlGaN基DUV-LED效率的薄p-GaN上的银基镂空反射电极 Ag-based hollow reflective electrode on thin p-GaN layer for improving the light output efficiency of AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes 周玉刚——南京大学电子科学与工程学院教授 ZHOU Yugang——Profesor of School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University |
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14:15-14:35 |
Ga2O3/GaN异质结构紫外光电探测器 Ga2O3/GaN Heterostructure Ultraviolet Photodetectors 黄凯——厦门大学物理科学与技术学院副院长、教授 HUANG Kai——Professor, School of Physical Science and Technology, Xiamen University |
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14:35-14:55 |
高效率深紫外 Micro-LED尺寸依赖特性研究 High-efficiency and size-dependent efficiency characteristics of UVC micro-LEDs 崔旭高——复旦大学信息科学与工程学院光源与照明工程系副教授 CUI Xugao——Associate Professor of Fudan University |
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14:55-15:10
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室温紫外 Room-Temperature Ultraviolet GaN Microdisk Lasers 司志伟——中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 SI Zhiwei——Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, CAS |
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15:10-15:25 |
茶歇 / Coffee Break |
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15:25-15:55 |
Light-extraction efficiency and performance of transparent ultraviolet C-band light-emitting diodes 张剑平——美国Bolb Inc.董事长兼首席技术官 ZHANG Jianping——Chair of the Board & CTO of Bolb Inc., USA |
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15:55-16:15 |
氮化物的范德华外延：基底结构、多性能控制和紫外光电器件应用 Van der Waals Epitaxy of Nitrides: Substrate Construction, Multi-Properties Control and Ultraviolet Optoelectronic Device Application 孙晓娟——中科院长春光机所研究员 SUN Xiaojuan——Professor of Changchun Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Academy of Sciences |
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16:15-16:35 |
AlGaN基深紫外发光器件设计与仿真研究 Design and simulation of AlGaN-based Deep Ultraviolet Emitters 刘玉怀——郑州大学电气与信息工程学院教授、科技部电子材料与系统国家级国际联合研究中心主任、河南省电子材料与系统国际联合实验室主任 LIU Yuhuai——Professor and Director of National Center for International Joint Research of Electronic Materials and Systems, International Joint-Laboratory of Electronic Materials and Systems of Henan Province, School of Electrical and Information Engineering, Zhengzhou University. |
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16:35-16:50
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微米级氧化镓厚膜的载流子定向输运与深紫外光电探测 张文瑞——中科院宁波材料所研究员 Zhang Wenrui——Professor Ningbo Institute of Materials Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences |
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16:50-17:05
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基于HfZrO2与b-Ga2O3异质结的高性能自驱动日盲紫外光探测器 P-Type SnO2 Fabrication and Construction of SnO2 Homojunction UV Photodetector 黎明锴——湖北大学材料科学与工程学院教授 LI Mingkai——Professor of Hubei University |
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17:05-17:20 |
基于超短周期超晶格AlN/GaN的深紫外短波光发射调控 Deep-ultraviolet light extraction towards shorter wavelength based on ultrashort-period AlN/GaN suplerlattices 高娜——厦门大学副教授 GAO Na——Associate Professor of Xiamen University |
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17:20-17:35 |
Critical aspects of deep-UV LED design and operation 深紫外LED仿真设计及操作关键技术进展 茅艳琳——苏州思体尔软件科技有限公司技术支持工程师 Yanlin Mao——Technical support engineer of SuZhou STR Software Technology Co., Led. |
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17:35-17:50 |
Enhanced light extraction efficiency via double nano-pattern arrays for high-efficiency deep UV LEDs 郑志华——华中科技大学 ZHENG Zhihua——Huazhong University of Science and Technology |
（备注：日程或有微调，最终以现场为准。）
【部分嘉宾简介】
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康俊勇
厦门大学教授
康俊勇博士、教授（博士生指导教师）、厦门大学“物理学”一级学科博士点、“微电子学与固体电子学”二级学科工科博士点学术带头人、“凝聚态物理”国家重点学科主要学术带头人。长期从事化合物半导体晶体生长及其特性表征的教学和科研工作。培养研究生60余人，所指导的10多篇博士论文中，获得全国优秀博士学位论文1篇，提名全国优秀博士论文1篇，福建省优秀博士论文奖一等奖3篇等；带领学生先后获得2017年国际第三代半导体创新创业大赛厦门赛区团队第一名、2019全国移动互联创新大赛福建赛区一等奖等，荣获“全国优秀博士学位论文指导教师”、“厦门市优秀教师”、“宝钢优秀教师奖”、“卢嘉锡优秀导师奖”等称号。
主持过国家“973”、“863”、国家自然科学基金重大研究计划和重点项目等数十项研究。先后研发了首台强磁场晶体生长、纳米级空间分辨率应变和电荷测试、原位纳米结构综合测试等设备。在高Al组分AlGaN量子结构等设计与生长及其深紫外表面等离子激元光源研发方面，取得了系列开拓性成果，被同行称为“表面等离子激元深紫外光子学研究第一人”。在新型太阳能电池研发方面，首次将宽带隙半导体调制到对太阳光中红外线有效吸收，该成果2012年以“厦大研发新型太阳能光伏电池”名称被列入最新十二大太阳能光伏电池新技术。在低维晶格及其耦合诱导的半导体新功能及其应用方面，取得多项重要的研究进展，获得了国内外同行的高度评价。先后在Nature Materials、Nature Communications、Nano Letters、Advanced Materials、Laser Photonics & Reviews等国际著名学术刊物上发表论文300余篇，他引约4500次；授权国家发明专利50余项；部分成果完成了向重要企业的技术转让，并实现产品产业化，年产值十多亿元，部分产品在国家航空航天领域得到广泛应用。荣获国家政府特殊津贴、福建省科技进步一等奖、厦门市科技进步一等奖等。
先后建立了超高真空、极低温、强磁场、晶体生长及原位综合测量等实验条件；建立了福建省半导体材料及应用重点实验室、半导体微纳光电子材料与器件教育部工程研究中心，被誉为“厦门大学实验物理奠基人”。荣获“福建省先进工作者”、“厦门市劳动模范”等称号。同时，推动了国家半导体照明产业化基地（厦门）的建设工作，牵头与行业龙头企业等创建了福建省半导体光电材料及其高效转换器件协同创新中心，为厦门成为国家乃至世界的半导体产业重镇做出重要贡献，荣获“厦门市科技创新杰出人才”。
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白雪涛
国家疾病预防控制中心环境与健康相关产品安全所
原副所长、消毒委主任委员
白雪涛，曾任国家卫生标准委员会委员，消毒卫生标准委员会主任委员，国家食品安全风险评估专家委员会委员，国家卫生计生委环境健康专家委员会委员，环保部新化学物质环境管理专家委员会副主任委员，卫生部涉水产品评审组组长。现任中国环境科学学会环境健康分会副主任委员，中国环境科学学会环境健康损害评估专家委员会委员，中科院水环境安全重点实验室专家委员会委员,环保部健康风险评价重点实验室专家委员会委员。研究方向为环境污染健康影响研究/环境毒理学（发表100余篇科研论文）。
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王军喜
中科院半导体所研究员
中国科学院半导体照明研发中心主任
中科潞安半导体研究院院长
王军喜，中科院半导体所研究员，博士生导师，中国科学院半导体照明研发中心主任，中科潞安半导体研究院院长。1998年获得西北大学物理学学士学位，2003年获得中国科学院半导体研究所工学博士学位，自2003年至今在中国科学院半导体研究所工作。从事氮化物材料生长和器件研制工作八年，熟悉MOCVD 、MBE和HVPE生长设备和相关材料分析表征方法。使用国产NH3-MBE生长设备，获得了具有当时国际水平的高迁移率GaN外延片；做为骨干科研人员，所在小组研制成功了压电极化效应诱导的高质量AlGaN/GaN二维电子气结构材料，并用所研制的材料与信息产业部第十三研究所合作研制出了我国第一只氮化物高温HEMT器件；负责自主设计并制备了一台HVPE厚膜GaN材料生长设备，获得了厚膜GaN材料生长速率超过了每小时200μm，晶体质量位于国内领先水平；在“十一五”期间，负责氮化物MOCVD材料生长研究，主要方向为GaN基LED材料生长研究和紫外LED材料生长研究。获得专利37项，发表sci论文40余篇，发表相关著作3部。
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三宅秀人
日本三重大学区域创新研究研究生院教授
三宅秀人，日本三重大学区域创新研究研究生院教授，研究课题包括半导体工程、晶体生长、光电子学。
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黄 凯
厦门大学物理科学与技术学院副院长、教授
厦门市未来显示技术研究院副院长
黄凯，教授，博士生导师，厦门大学物理科学与技术学院副院长，厦门市未来显示技术研究院副院长，2002年本科毕业于南京大学物理系，获微电子专业学士学位，2007年毕业于南京大学物理系微电子与固体电子学专业，获博士学位。近年来在宽禁带半导体材料与器件，表面等离激元基器件与物理等方面进行了深入的研究工作。期间在德克萨斯大学奥斯汀分校、谢菲尔德大学进行了超过两年的访问研究。主持和参与包括国家重点研发计划、国家重大研究“973”计划、国家自然科学基金在内的科研项目多项。在国内外知名学术期刊上发表学术论文30余篇，申请/授权多项国家发明专利，获福建省、厦门市科技进步一等奖各一项。
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陆 海
南京大学教授
陆海，南京大学教授，博士生导师，国家杰出青年科学基金获得者，长江学者特聘教授，万人计划专家，国家重点研发计划项目首席科学家。于1996年和1999年在南京大学物理系获学士、硕士学位；于2003年在美国康奈尔大学（Cornell University）电子与计算机工程系获博士学位，师从美国工程院院士Lester Eastman教授；在康奈尔大学获得博士学位后，于2004年，受聘于美国通用电气公司（GE）研发中心任高级研究员；于2006年9月归国任教于南京大学物理系及电子科学与工程学院，现任南京大学特聘教授，兼任南京微结构国家实验室（筹）主任研究员（PI）。主要从事宽禁带半导体材料和器件研究，取得了多项有国际影响力的成果：制备了世界上电学特性最好的InN单晶薄膜（保持6年世界纪录），首先生长出p型、a面及立方相等新型InN材料，为三十余家国际权威研究机构提供了标准InN及富In氮化物样品；联合改写和修正了多项III族氮化物半导体材料体系的基本参数，包括InN 0.7eV窄禁带宽度的重大发现，藉此将Ⅲ族氮化物半导体的应用领域推广到近红外光学波段，大大拓宽了Ⅲ族氮化物半导体的研究与应用范畴；首先发现InN表面强电荷聚集效应，藉此研制出InN表面化学传感器、InN THz发射源，获《Nature》杂志专文报道；联合提出InGaN全光谱多异质结太阳能电池的概念和结构。
近年来重点开展GaN基高功率电子器件、深紫外探测器件、及新型氧化物透明薄膜晶体管研究，致力于将半导体基础研究成果推广到器件应用领域：通过发展GaN同质外延生长技术，大幅度提高了GaN半导体的晶体质量，藉此研制出高击穿电压GaN肖特基整流器、及高增益GaN紫外雪崩光电探测器，多次获得国际主流半导体技术媒体跟踪报道；两次刷新GaN基霍尔传感器最高稳定工作温度的世界纪录；研制出现有暗电流密度最低和芯片尺寸最大的AlGaN基日盲深紫外探测器，并带领南京大学团队在国内首先实现了高灵敏度GaN基紫外探测器的产业化；在国内首先实现SiC紫外单光子探测器；研究和澄清了GaN基功率器件和发光二极管的几个基础器件物理问题，发展了多种新型的器件测试表征方法。
迄今已发表学术论文三百余篇，其中包括SCI论文230余篇；所发表文章获SCI他人引用10000余篇次（截止到2015年12月）；其代表工作被国外同行在综述文章上称为“Major breakthrough (重大突破)”；已获得13项中国发明专利和1项美国发明专利授权；入选科技部创新人才推进计划、教育部新世纪人才计划、江苏省333人才培养计划；曾获江苏省五四青年奖章（2013）、江苏省十大青年科技之星（2014）、教育部技术发明一等奖（2015）、国家技术发明二等奖（2016）。
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闫建昌
山西中科潞安紫外光电科技有限公司总经理
中科院半导体研究所研究员
闫建昌博士，山西中科潞安紫外光电技术有限公司总经理。中国科学院青年创新促进会会员，北京市科技新星计划入选者。长期从事氮化物半导体材料和器件研究，尤其专注于氮化镓半导体紫外发光二极管（UVLED）领域十余年，负责国家863计划、自然科学基金、重点研发计划等多项国家级科研项目，取得了具有国际影响力的研究成果。与美国、日本、欧洲等多国的领域着名研究机构开展了学术交流合作，并与产业界建立了良好的互动合作关系。
主持承担国家863课题“深紫外LED外延生长及应用技术研究”，国际上首次在纳米图形蓝宝石衬底(NPSS)上MOCVD外延出高质量AlN材料，材料质量为国际最好水平之一，研制出首支基NPSS的深紫外LED。主持自然科学基金项目“AlGaN基紫外激光二极管研究”，成功实现了国内首个UV-B和UV-C深紫外波段氮化物半导体量子结构的室温受激发射。发表学术论文五十余篇，申请国家发明专利三十多项。获中科院成果鉴定两项，2012年度北京市科学技术奖一等奖、2015年度国家科学技术进步奖二等奖，2018年度北京市科技新星计划入选者。
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周玉刚
南京大学电子科学与工程学院教授
周玉刚，南京大学电子科学与工程学院教授。主要研究方向为GaN基半导体材料与器件，LED器件工艺与先进封装，光电器件及系统的可靠性分析与寿命预测。周玉刚博士长期从事半导体GaN材料生长和器件研究。1996年起在AlGaN/GaN异质结生长及高电子迁移率晶体管（HEMT）器件结构设计方面做出了大量开创性工作。2004年到2013年，他参与香港微晶及广东晶科电子的创建和发展，负责芯片研发，成功开发国际先进水平的倒装焊大功率LED和晶片级无金线封装，助公司获得2011年香港工商业成就奖和中国LED产业奖。2013年2月起，他任南京大学电子科学与工程学院教授，承担自然科学基金和国家重点研发计划课题研究，并积极科技成果的转化与应用。近年来发展了在线测量LED结温和亮度的方法并应用于智能照明，在紫外LED的器件工艺与应用、高密度封装等方面取得重要成果，部分成果得到了转化。
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张剑平
美国Bolb Inc.董事长兼首席技术官
张剑平，美国Bolb Inc.董事长兼首席技术官。张剑平博士于2014 年与Ling Zhou博士Ying Gao 和 Eun-hyun Park共同创立了 Bolb Inc.。此后一直担任 Bolb Inc. 董事长兼首席技术官。张博士在 III 族氮化物半导体产业和学术界积累了20多年的经验，并在深紫外发光二极管领域做出了开创性的工作。他于2003 年 获得DARPA SUVOS 杰出表现奖，并为 100 多篇同行评审的出版物和 100 多项美国和国际专利和申请做出了贡献。
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刘玉怀
郑州大学电气与信息工程学院教授
科技部电子材料与系统国家级国际联合研究中心主任
河南省电子材料与系统国际联合实验室主任
刘玉怀，郑州大学电气与信息工程学院教授、科技部电子材料与系统国家级国际联合研究中心主任、河南省电子材料与系统国际联合实验室主任。主要研究方向为氮化物半导体材料与器件，主持国家重点研发计划政府间国际科技创新合作重点专项（基于氮化物半导体的深紫外激光器的研究）、国家自然科学基金面上项目、河南省科技攻关项目等13项。发表论文与会议报告215篇，国际会议邀请报告12次。日本专利公开1项、授权中国发明专利1项、实用新型项专利1项、软件著作权5项。紫外LED技术转移1项。目前主持第三批“智汇郑州1125创新创业领军团队”三色LED集成芯片项目，参与宁波市2025重大科技专项“深紫外LED产业化”。
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黎明锴
湖北大学材料科学与工程学院教授
黎明锴，湖北大学材料科学与工程学院教授。研究方向为新型超宽禁带半导体材料、日盲紫外光探测器、采用第一性原理设计、研究新材料。国家自然科学基金面上项目2项、湖北省自然科学基金面上项目1项、教育部博士点基金等科研项目。授权专利11项。
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李晓航
沙特国王科技大学副教授
先进半导体实验室首席研究员
李晓航，沙特国王科技大学副教授，先进半导体实验室首席研究员。致力于第三代半导体超宽禁带材料、器件、物理、设备的研究。拥有20项批准和在申的国际专利。是Nature Photonics等杂志的审稿人和Photonics Research的紫外光电特刊特邀主编(leading guest editor)。曾获 AACG美国晶体生长协会：Harold M. Manasevit Young Investigator Award、 SPIE国际光学工程协会：DJ Lovell Scholarship、 IEEE Photonics Society光子学协会：Graduate Student Fellowship、Georgia Institute of Technology佐治亚理工学院：Edison Prize。实现在蓝宝石上低阈值深紫外激光和260nm以下的深紫外激光、在同一衬底上半导体TE和TM深紫外激光 、实现半导体深紫外表面受激辐射、用低温低成本实现高质量AlN蓝宝石基板外延生长 。2018-今 创建半导体极化场工具箱Polarizationtoolbox。
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孙晓娟
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所研究员
孙晓娟，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所研究员，国家优秀青年基金获得者。主要从事宽禁带半导体材料与器件相关研究工作，在氮化物材料生长、缺陷调控及器件研究等方面取得了系列科研成果。主持国家自然科学基金“优青”、科技部重点研发计划子课题、国家自然科学基金面上项目等项目十余项，核心骨干参与国家自然科学基金“创新群体”、国家“杰青”、国家自然科学基金重大科研仪器研制项目、科技部重点研发计划项目等。相关成果在Advanced Materials、Light: Science & Applications、Applied PhysicsLetters等期刊发表SCI论文60余篇，申请/授权发明专利80余项。
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高 娜
厦门大学副教授
高娜，厦门大学副教授，2015年获厦门大学微电子学与固体电子学博士学位，同年加入物理科学与技术学院。2018至2019年曾赴科技部高技术研究发展中心协助工作。负责或承担多门实验课程教学任务，先后获得厦门大学第十五届青年教师教学技能比赛一等奖，2022年全国高等学校物理基础课程青年教师讲课比赛福建省一等奖、华东赛区一等奖及全国一等奖；主持研制的教学仪器获全国高等学校物理实验教学仪器评比二等奖；参与校级教改项目及实验教材编写，指导多篇本科毕业设计论文评优。
担任国家级科研项目的课题及子课题负责人，曾主持或参与国家自然科学基金青年项目、福建省科技计划引导性项目、国家重点研发计划项目等10余项；研究成果以第一或通讯作者发表在Light: Science & Applications、Nanoscale、Crystal growth & design等国际刊物上，单篇最高他引超100次，部分成果受到国内外相关媒体的宣传报道；参与撰写Elsevier出版社英文专著1章；获授权发明和实用新型专利10余件，转让技术成果1件；担任Journal of Physics D: Applied Physics Special Issue on Wide-bandgap Semiconductors and Applications客座编辑；作为主要骨干获省部级科技进步奖2项、行业协会一等奖1项。
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吴 乾
广州市鸿利秉一光电科技有限公司总经理
吴乾，先后毕业于中国科技大学、中国科学院大学。广东省科技专家库专家、广州市科技专家库专家。曾任鸿利智汇集团股份有限公司董事、技术中心常务副主任、国家半导体照明研发及产业联盟标准化委员会管理委员会委员、广东省LED光源标准化技术委员会委员。广州市鸿利光电股份有限公司工作期间申请专利36项，其中作为第一发明人累计申请并授权的各类专利11项。其中一种白光LED分选方法获得广州市花都区2008-2009年科技进步二等奖。期间参与国家级或省部级研发项目6项，作为承担人4项。发表文章。2013年创立中山市秉一电子科技有限公司（现广州市鸿利秉一光电科技有限公司）一直担任公司总经理，公司成立至今申请专利11项，其中已授权7项。
杜 军
北控水务集团技术管理部水务经理
任君琪
GE通用净水科技有限公司研发总监
任君琪先生，现任通用净水科技有限公司研发总监，复旦大学光源与照明工程系毕业，早年在GE从事十余年LED等各类光源与照明产品研发工作，后加入联合利华旗下沁园集团，从事多年商用终端净水产品研发工作。致力于UVC类产品在各类终端净水产品上的应用和推广，以达到解决行业菌落难题，确保公共饮水安全的目的。
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张文瑞
中科院宁波材料所研究员
张文瑞，中科院宁波材料所研究员，主要从事宽禁带氧化物半导体材料与器件的研究，研究致力于不断完善氧化物薄膜的精准制备与载流子输运调控能力，研发新一代功率电子器件与深紫外光电器件，以推动氧化物半导体在新能源产业和信息产业的发展应用。张文瑞博士在氧化物薄膜外延、载流子输运调控与半导体器件设计研发等方面积累了丰富的研究经验，与国内外高校、国家实验室和产业界的科研团队展开了深入密切的合作。代表性研究成果发展了新型功能氧化物和异质结界面的外延生长技术，在此基础上揭示了包括激子传导、小极化子传导与畴壁传导的载流子输运机理与调控方法，进一步研究整流结器件与光电转换器件的设计应用。以上研究成果在相关领域建立了较高的学术影响力，受到美国能源部亮点报道和学术期刊编辑推荐，并应邀在多个国际会议和学术机构作邀请报告。围绕以上领域发表学术论文70余篇，其中第一及通讯作者论文20余篇，包括ACS Energy Lett., Adv. Funct. Mater., ACS Nano, Nano-Micro Lett.和IEEE EDL等，论文被引超3000次，H指数30。目前主持国家级人才项目、国家自然科学基金、浙江省自然科学基金和宁波市科技创新团队项目，担任30多种国际学术期刊(包括Nat.Commun., Sci. Adv.,和Adv. Mater.)的审稿人。
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崔旭高
复旦大学信息科学与工程学院光源与照明工程系副教授
崔旭高，复旦大学信息科学与工程学院光源与照明工程系副教授。主要从事III族氮化物材料生长和器件研究，在半导体材料生长、材料测试分析、器件制备、InGaN双异质结太阳能电池、纳米卷曲微管光学材料及LED纳米复合陶瓷基板的理论研究和应用方面取得了显著的成果。先后主持国家高技术发展研究计划(863)项目1项，国家自然科学基金青年基金1项，教育部新教师基金1项，上海市自然基金1项，国家火炬计划示范项目2项，江苏省科技工业支撑计划项目1项，并参加多项国家自然科学基金和其他项目。迄今发表论文30余篇，申请/授权发明专利10余项，参与编写书目3本。崔旭高副教授在项目的管理和安排方面也积累了丰富的经验，多项发明取得成果转化。
（备注：以上部分嘉宾信息未经其本人确认，仅供参考！）
【关于分论坛协办单位介绍】
》》》山西中科潞安紫外光电科技有限公司
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中科潞安深紫外LED芯片项目，于2018年4月启动，位于山西省长治市高新区漳泽新型工业园区，毗邻长治市王村机场、G55高速和太焦高铁。项目依托国家科技进步一等奖、何梁何利基金科学与技术创新奖获得者、中科院半导体所李晋闽研究员领衔的顶尖技术团队，由长治市人民政府、中科院半导体研究所、潞安集团三方联合打造，一期总投资7.5亿元，构建深紫外LED核心装备、芯片及紫外技术应用开发等全产业链研究和生产平台。旨在推动我国紫外LED快速实现产业化，打造全球首个紫外光电产业集群。2019年5月，中科潞安年产3000万颗深紫外LED芯片生产线正式投产。2020年8月，国家五部委将本项目评为“2019年度真抓实干成效明显予以通报表扬的示范项目”，全国仅五家。
山西中科潞安紫外光电科技公司，主要开展紫外LED芯片,以及MOCVD设备、紫外杀菌设备的生产和销售，同时掌握深紫外领域核心装备制造和芯片技术的企业，被认定为山西省第三代半导体紫外光电工程研究中心、高新技术企业、国家第三代半导体技术创新中心山西分中心。
》》》关于广州市鸿利秉一光电科技有限公司
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广州市鸿利秉一光电科技有限公司（以下简称“鸿利秉一”）始创于2013年12月，注册资本1145.8万元，公司前身为中山市秉一电子科技有限公司。公司自创立以来一直从事紫外发光二极管及半导体激光器的封装。经过近十年的努力鸿利秉一在行业内建立了一定的行业地位，获得了同行的广泛认可，鸿利秉一已经成为：鸿利智汇集团股份有限公司（股票代码：300219）投资的企业、国家高新技术企业、国家半导体照明工程研发及产业联盟理事单位、国家工信部半导体照明技术标准小组成员单位、中国印刷技术协会凹版分会理事单位、广东省光电协会理事单位、广东省增材制造研究与应用协会。
鸿利秉一先后主导或者参与多个政府财政支持研发项目，参与制定多项行业标准。鸿利秉一国内首家提出全无机封装并形成量产产品，其全无机封装紫外发光二极管累计销售额已经超过1.5亿元，并围绕全无机封装形成了以12项授权发明专利为主的知识产权保护网。目前鸿利秉一已经形成了紫外发光二极管、半导体激光器、准分子灯三大业务方向。鸿利秉一将以秉诚如一的态度，务实创新，努力为客户创造价值。
》》》苏州思体尔软件科技有限公司
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苏州思体尔软件科技有限公司成立于2020年10月，是STR Group在中国的全资子公司。公司为中国市场企业、高校、研究院所等客户，在晶体生长、外延、LED、半导体器件等专业领域提供定制化的模拟仿真软件授权、项目合作和技术咨询服务。STR集团在美国、日本、欧洲和中国有40多名科学家和工程师。STR正在开发和推广五个主要产品线有：（1）从熔体和溶液中产生的晶体生长的定制软件-CGSim；（2）气相法大块晶体生长的定制软件-Virtua lReactor；（3）模拟沉积和外延的定制软件-CVDSim3D；（4）模拟光电和电子器件的定制软件-SimuLED；（5）模拟改良西门子法多晶硅还原炉的定制软件-PolySim；每一款软件产品和每一次项目合作的背后都有来自欧洲专家团队全面的研究，详细的物理模型验证和方法应用，STR集团在晶体生长科学和器件工程方面的专业知识理论，在行业内评审的期刊和会议报告中得到广泛引用和论证。截止目前，全球有200多家公司和学术机构是STR集团软件产品的最终用户，客户包括世界顶级的材料、设备和设备制造商。
苏州思体尔软件科技有限公司在中国市场上有庞大客户群体，根据行业领先客户问题反馈不断更新软件模块和功能，各个软件一年有2-4次更新频率，可以及时跟进市场发展和技术迭代趋势。主要为中国区客户提供CGSim、CVDSim3D、VirtualReactor、SimuLED、PolySim等软件许可证，同时为客户提供基于软件授权的专业技术咨询服务和项目合作服务。拥有专业的售后团队，在欧洲专家团队的同步支持下可以为软件使用客户提供及时高效的线上/线下技术支持服务，保证客户软件使用的效率和效果。
附：
一年一度行业盛会，第八届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第十九届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA ）将于2023年2月7-10日（7日报到）在苏州金鸡湖凯宾斯基大酒店召开。在这场被视为“全球第三代半导体行业风向标”的盛会上，由2014年诺贝尔物理奖获得者、日本工程院院士、美国工程院院士、中国工程院外籍院士、日本名古屋大学未来材料与系统研究所教授天野浩，美国工程院院士、美国国家发明家院士、中国工程院外籍院士、美国弗吉尼亚理工大学的大学特聘教授Fred LEE领衔200多个报告嘉宾，紧扣论坛“低碳智联·同芯共赢”大会主题，将在开幕大会、主题分会及同期共计近30余场次活动中，全面展现第三代半导体产业链前沿技术进展及产业发展“风向"。
国际第三代半导体论坛（IFWS）是由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）在中国地区举办的、具备较强影响力的第三代半导体领域年度盛会，是引领全球第三代半导体新兴产业发展，促进相关产业、技术、人才、资金、政策合力发展的全球性、全产业链合作的高端平台和高层次综合性论坛。论坛以促进第三代半导体与电力电子技术、移动通信技术、紫外探测技术和应用的国际交流与合作，全面覆盖行业基础研究、衬底外延工艺、电力电子器件、电路与模块、下游应用的创新发展，成为全球范围内的全产业链合作交流的重要平台，引领第三代半导体产业发展方向。
中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）伴着中国半导体照明产业的发展一路成长起来，已成为半导体照明领域最具规模，参与度最高、口碑最好的全球性高层次论坛。十几年的时间里，论坛尽最大力量打造国际性舞台，邀请全球顶级专家，传递最前沿的产业、技术发展信息。
至今，SSLCHINA已连续举办了十八届，IFWS也同期连续举办了七届，全球超过1900位专家学者、企业领袖、投资人等莅临现场发布了精彩演讲，参会观众覆盖了70多个国家和地区，累计2.9万余人到现场参会，集齐跨地区、跨领域的智慧合力，共同召唤产业发展新生态。无论是行业龙头企业、初创团队或是行业服务机构，论坛都是十分精准的品牌展示、产品推广、技术交流、成果发布及寻求合作的优质平台和窗口。十几年来，论坛服务过的客户遍及全球，涵盖了大部分国内外知名的半导体材料、装备、器件及应用端企业，数量近千家，服务次数超过1200次。通过论坛期间的交流与对接，很多企业结识了潜在的合作伙伴，为自身发展把握住了机会。更多详情见附件：
会议时间：2023年2月7日-10日（7日报到）
会议地点：中国 - 苏州 - 苏州金鸡湖凯宾斯基大酒店
日程安排
注册权益收费表
备注：
＊中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）或第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）成员单位在此基础上再享受10%优惠。
＊学生参会需提交相关证件。
＊会议现场报到注册不享受各种优惠政策。
＊IFWS相关会议包括：开幕大会，碳化硅衬底材料生长与加工,碳化硅功率电子材料与器件,氮化物衬底材料生长与外延技术,氮化镓功率电子材料与器件,固态紫外材料与器件,化合物半导体激光器技术,Mini/Micro LED及其他新型显示技术,射频电子材料与器件,超宽禁带及其他新型半导体材料与器件，闭幕大会。
＊SSLCHINA相关会议包括：开幕大会，氮化物衬底材料生长与外延技术，固态紫外材料与器件，LED芯片、封装与光通信，Mini/Micro LED及其他新型显示技术，生物农业光照技术，教育照明与健康光环境，光医疗应用技术，化合物半导体激光器技术,闭幕大会。
*产业峰会包括：生物农业光照技术与产业应用峰会、车用半导体创新合作峰会、功率模块与电源应用峰会、第三代半导体标准与检测研讨会、UV LED创新应用、Mini/Micro-LED技术产业应用峰会。
＊若由于某些原因，您缴费后无法参会，可办理退款事宜，组委会将扣除一定的退款手续费。
＊自助餐包含：2023年2月8日午餐、2月9日午餐+晚餐。
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*备注：请微信扫码查看并注册，注册成功后可在个人中心查看电子票信息、申请发票、为他人报名、分享海报等等。
2023年2月1日之前，完成注册缴费即可享受折扣票（详见上图），中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）或第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）成员单位在此基础上再享受10%优惠。学生参会需提交相关证件。会议现场报到注册不享受各种优惠政策。
