历时一年半，遵循第三代半导体产业技术创新战略联盟 CASAS技术报告制定流程，经过标准起草小组会议讨论、广泛征求意见等流程，技术报告T/CASAS/TR 002—2023 《SiC MOSFET功率器件的应用可靠性评价技术体系报告》于2023年5月26日正式面向产业发布。
希望以此报告的编写，衔接SiC MOSFET产业链上中下游，助力产业对该器件可靠性的统一认识，凝聚力量，助力SiC MOSFET电力电子应用的规模开启。由于时间仓促，编写者水平有限，恳请广大的产业一线工作人员及专家们批评指正。
本文件主要起草单位及起草人：
复旦大学 樊嘉杰 雷光寅 刘盼 侯欣蓝 陈威
复旦大学宁波研究院 祝曦 左元慧
东南大学 魏家行
浙江大学 邵帅 王珩宇 董泽政
中电科第十三研究所 迟雷
重庆大学 李辉
华北电力大学 赵志斌
北京智慧能源研究院 李金元
北京工业大学 郭春生
合肥工业大学 邓二平
中国科学院微电子研究所 侯峰泽
深圳市禾望电气股份有限公司 谢峰
泰科天润半导体科技(北京)有限公司 李志君
泰克科技（中国）有限公司 孙川
第三代半导体产业技术创新战略联盟 高伟
感谢工业和信息化部电子第五研究所陈媛研究员、中国科学院电工研究所张瑾副研究员、浙江大学吴新科教授、北京世纪金光半导体有限公司于坤山副总裁、智新半导体有限公司王民研发部工艺工程师等专家的热心指导。
文件起草过程中，得到了很多老师的不计回报的无私帮助，收获感动无数，不一一细数。心所向，同携手，共未来！在后续阅读、使用时，如果遇到描述不准确，或需要改正的，请联系秘书处（010-82386580、casas@casa-china.cn）。
原文下载：
T CASAS TR 002 SiC MOSFET功率器件的应用可靠性评价技术体系报告.pdf
（来源：第三代半导体产业技术创新战略联盟）