9月2日），苏州工业园区在桑田科学岛举办国家生物药技术创新中心、国家第三代半导体技术创新中心（苏州）总部大楼开工仪式。
江苏省委常委、苏州市委书记曹路宝，江苏省副省长方伟，中国工程院院士、国家生物药技术创新中心名誉主任詹启敏，苏州市委副书记、市长吴庆文，江苏省科技厅副厅长蒋洪，苏州市委常委、园区党工委书记沈觅，苏州市副市长张桥，国家第三代半导体技术创新中心（苏州）副主任徐科，苏州市政府秘书长俞愉等领导出席本次仪式。
▲曹路宝、方伟、吴庆文、蒋洪、沈觅、张桥、詹启敏、徐科、俞愉
共同为奠基石培土
桑田科学岛定位为一基地、两中心、三示范。“一基地”指的是科技创新策源基地 ；“两中心”指的是国家生物药技术创新中心 、国家第三代半导体技术创新中心 （苏州）总部；“三示范”指的是产学研融合发展示范区、产业制度创新示范区、国际科技创新合作示范区。
国家第三代半导体技术创新中心（苏州）（以下简称“国创中心”）作为两中心之一，总部位于整个桑田科学岛的核心区域，将致力于打造核心产业展示区，未来创新中心示范标杆。苏州工业园区精心绘制产业蓝图，广泛集聚资源要素，着力优化产业生态，积极构建创新平台，力争建成国内一流，世界领先的国家第三代半导体技术创新中心，打造国家先进纳米创新产业集群。
国创中心于2021年3月由科技部批复建设，由苏州第三代半导体技术国创中心（事业单位）抓总统筹，江苏第三代半导体研究院主体承建，苏州纳米科技发展有限公司保障载体建设开发。目前由中国科学院院士郝跃担任中心主任，截至目前，已承担上级研发项目10项，完成4款电路芯片设计，在氮化镓单晶、氮化镓外延片等方面取得重要突破，部分指标国际领先，累计申请专利260多件；组建省人才攻关联合体，集聚以院士为引领的40多位高层次领军人才，核心团队规模近300人；在全国范围设立23个联合研发中心，组织成立国产化装备联盟，与厦门大学、复旦大学等共建人才实训基地；建设材料生长创新平台、测试分析与服役评价平台，累计服务客户250多家，完成微波封装测试中试线一期建设；设立3亿元产业基金，已为5个优质项目提供资金保障。
▲吴庆文在开工仪式上致辞，代表市委市政府向国创中心总部的开工表示祝贺，向各界给予苏州经济社会发展的大力支持表示感谢。他说，近年来，苏州深入实施创新驱动发展战略，加快建设成为一座创新资源密集、创新活力迸发、创新生态一流的城市。技术创新中心是创新资源的集中承载地，是科技创新的战略力量。苏州工业园区和市有关部门要深入学习贯彻习近平总书记“建设开放创新的世界一流高科技园区”的重要指示精神，全力为国创中心建设发展提供有力保障、创造最优条件。希望国创中心紧扣国家目标和重大战略需求，进一步强化组织运行、推进协同创新，吸引集聚更多高水平项目和人才，形成更多原创性、突破性的高价值成果。热忱欢迎广大专家学者、社会各界与我们开展更深层次合作，共同把国创中心打造成为国内领先、国际一流的创新平台，更好发挥国家战略科技力量的引领示范作用。
▲国创中心总部效果图
国创中心总部项目总用地面积为51482.84平方米，建筑面积20.9万平方米，建筑高度为99.95米，包含1#科研塔楼（19F）、2#科研裙楼（8F）、3#产业化基地（8F）、4#商业楼（4F），计划于2026年8月竣工交付。建筑包含科研孵化、洁净实验室、配套辅助设施用房，涵盖材料生长创新、器件工艺与封装测试、器件模块与应用实验、测试分析与服务评价等，涉及长晶、切磨抛、外延、器件、封装、测试、模块等第三代半导体全产业链。
国创中心将建设四大平台
（一）材料生长创新平台
▲MOCVD生长的基本过程
材料生长过程对材料的晶体质量以及后续器件的性能具有决定性影响。材料生长创新平台着眼于研发高质量外延产品及提高外延技术，并为广大客户提供外延片相关服务。基于高性能MOCVD设备，已成功研发出包括2-8英寸蓝宝石衬底上GaN模板、2-6英寸蓝宝石衬底上Micro-LED外延片、2-4英寸GaN单晶衬底上Micro-LED外延片、2-6英寸SiC&Si衬底上GaN HEMT外延片等多款产品，可用于新型显示、5G通信、电力电子、环境与健康等多个领域。目前，材料生长平台已拥有完善的设备和专业的研发团队，可生产研发一系列应用于高端电力电子器件及光电器件的外延产品。
（二）测试分析与服役评价公共服务平台
▲测试平台的检测分析技术及能力
测试分析与服役评价公共服务平台是江苏第三代半导体研究院与中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究院共建的大型公共服务平台，在支撑研究院相关研发任务及合作项目的基础上，为国内企业和研发机构提供专业高效的测试分析服务。
平台由一支近30人的经验丰富的专业团队来运营，包括11位高级职称专家，12位博士和博士后，以及15位拥有十年以上经验的一线骨干。测试范围包括半导体材料、光电子和微电子材料、LED器件、LD器件、HEMT器件等；具备针对特定材料和器件进行综合检测和分析的能力。目前已经具有“战略性先进电子材料”第三方检测机构、江苏省纳米测试分析创新服务中心、江苏省纳米测试分析中心、江苏省纳米技术产业产学研联合创新服务中心等检测资质。
（三）器件工艺与封装平台
▲GaN器件制备的工艺流程
GaN器件的制作工艺主要包括：欧姆接触、MESA刻蚀、表面钝化、栅槽刻蚀、栅极金属蒸发、二次钝化、互连开孔、互连金属蒸发、空气桥桥墩光刻、空气桥金属蒸镀、背孔刻蚀和背金蒸镀等。图3演示了器件制作的整个工艺流程。
器件工艺与封装平台面向第三代半导体先进工艺，独立建设90nm节点的完整工艺线，建成集光、机、电器件工艺能力于一体的综合工艺平台，全面支撑光电子工艺、微电子工艺、光电集成工艺、光机电集成工艺，突破国际领先的器件工艺技术。
（四）模块设计与集成应用平台
▲实现GaN器件模块集成的工艺过程
具有2DEG的GaN器件是耗尽型的，而要实现高可靠性的电力电子系统，要求器件为增强型，因此需要将耗尽型的GaN HEMT器件与增强型的Si MOSFET器件集成在一起。图4显示了这种模块集成的具体工艺过程。
模块设计与集成应用平台基于自主可控的材料和器件，开发新型光电子和微电子芯片封装工艺、探索开发集成工艺，传统工艺借鉴与新型工艺开发相结合，搭建模块设计开发、集成应用平台，以市场为牵引，联合龙头企业共建，探索支撑未来智能时代的半导体综合平台。
未来，国创中心将进一步瞄准国家和产业发展全局的创新需求，以关键技术研发为核心使命，围绕第三代半导体领域国家重大战略任务部署，开展关键技术攻关，健全以企业为主体、产学研深度融合的技术创新体系，构建共建共享、开放协同创新网络，推动科技成果转移转化与产业化，为第三代半导体产业发展提供源头技术供给，提升我国第三代半导体领域产业基础能力和产业链现代化水平。
来源：苏州日报 、苏州纳米城