以碳化硅、氮化镓、砷化镓和磷化铟为代表的化合物半导体材料，相比第一代单质半导体，在高频性能、高温性能方面优异很多，发展前景广阔。封装对于化合物半导体器件的性能和可靠性至关重要。随着化合物半导体器件的日益普及和广泛应用，先进封装材料、可靠性技术都在不断的发展提升。
10月12-13日，NEPCON ASIA 2023 期间“2023化合物半导体器件与封装技术论坛”于深圳国际会展中心（宝安新馆）如期举行。论坛由极智半导体产业网、第三代半导体产业 、中国国际贸易促进委员会电子信息行业分会、励展博览集团联合主办，北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办，江苏博睿光电有限公司、ULVAC株式会社、托托科技（苏州）有限公司等单位支持协办。论坛依托强大背景及产业资源，致力于先进半导体技术推广、创新应用及产业链间的合作，为科研机构、高校院所、芯片面板及终端制造，上游及材料设备搭建交流协作的桥梁。
大连理工大学教授王德君，宁波铼微半导体有限公司董事长 江南大学教授敖金平，安徽长飞先进半导体有限公司首席科学家刘红超，南方科技大学深港微电子学院蒋洋，安徽工程大学副院长、教授林信南，西安电子科技大学教授刘志宏，迈锐斯自动化（深圳）有限公司/MRSI Systems总经理/战略营销高级总监周利民，南方科技大学副教授叶怀宇，深圳大学研究员刘新科，江苏博睿光电股份有限公司副总经理梁超博士，工业和信息化部电子第五研究所功率器件团队总师贺致远，ULVAC株式会社市场战略中心长王禹，香港中文大学（深圳）副研究员冀东，托托科技（苏州）有限公司董事长吴阳博士，安徽芯塔电子科技有限公司高级产品经理张阳明，山东华光光电子股份有限公司战略产品部总经理李沛旭，茂硕电源科技股份有限公司总监陆文杭，北京聚睿众邦科技有限公司（米格实验室）副总经理朱震等知名企业领袖、专家代表出席论坛，聚焦前沿技术进步与产业创新应用，探讨最新进展，促进化合物导体器件与封装技术发展。
应用需求推动，封装技术不断演化提升
当前，化合物半导体器件与封装技术仍面临着一些挑战，主要涉及到器件本身的高性能特性以及封装技术的应对能力。封装技术也正在不断演进。一些新型散热材料和结构被设计用于更好地满足高功率器件的散热需求，而高频封装技术的不断改进使得射频应用更加可行。此外，可靠性测试和可靠性建模等方法有助于确保高性能化合物半导体器件的长期稳定性。应用需求继续推动化合物半导体器件封装技术的进步和发展。
论坛主题报告环节，嘉宾们围绕着化合物半导体器件与封装技术等最新进展与发展趋势分享主题报告，从产业、工艺、应用、趋势等不同角度展开务实的深入探讨交流。大连理工大学教授王德君、南方科技大学副教授叶怀宇共同主持了论坛报告环节。
迈锐斯自动化（深圳）有限公司总经理、MRSI Systems战略营销高级总监周利民博士
《化合物半导体芯片封装需求分析与技术探讨》
化合物半导体芯片的封装需求会根据特定的应用和性能要求而有所不同。封装是将芯片保护、连接和集成到电路系统中的关键步骤。迈锐斯自动化（深圳）有限公司总经理、MRSI Systems战略营销高级总监周利民博士带来了“化合物半导体芯片封装需求分析与技术探讨”的主题报告，分享了化合物半导体芯片组装挑战、技术解决方案及应用与市场趋势，包括化合物半导体芯片/管芯组件，芯片、基板、模具连接材料，工艺与设备多种技术。报告指出，化合物半导体应用市场快速增长，高可靠性、高精度、高速度和高灵活性是装配趋势。
安徽长飞先进半导体有限公司首席科学家刘红超
《生态共携手，同享碳化硅辉煌未来》
SiC是新能源领域关键材料与器件，在新能源车、风光储等新能源领域都有着 巨大的市场应用前景。中国、欧美日等国家无论是政府还是企业都投入了巨大的人力物力进行研究和产业发展。安徽长飞先进半导体有限公司首席科学家刘红超带来了“生态共携手，同享碳化硅辉煌未来”的主题报告，结合当前供应、竞争与投资格局，分享了SiC产业面临的技术挑战，涉及SiC材料、Mobility迁移率等。报告指出，SiC衬底和外延存在各种晶格和形貌曲线，目前的光学检测手段主要是记录表面缺陷；各种检测方法因为成像原理以及算法的差异，导致各种方法间没有完全可比性。同时如何降低来自衬底和外延中缺陷的技术和设备正备受关注。缺陷带来良率损失，成熟的AOI设备主要用于检测晶圆表面缺陷，包括线条形貌、掉落颗粒物等。但SiC晶圆生产过程中，特别是离子注入会产生引起电性能参数以及可靠性问题的晶体 缺陷，目前还缺乏有效检测手段。
宁波铼微半导体有限公司董事长、江南大学教授敖金平
《氮化镓微波功率器件的研究与应用》
氮化镓（GaN）微波功率器件具有高功率密度、高频率工作、高温度性能和快速开关速度等诸多优势，有望在通信、军事、航空航天和科学研究领域中广泛应用。宁波铼微半导体有限公司董事长、江南大学教授敖金平带来了“氮化镓微波功率器件的研究与应用”的主题报告，分享了相关技术研究进展，报告指出在射频器件领域，氮化镓有绝对优势。射频功率放大器以外，射频肖特基二极管呈现综合性能优势。基于GaN SBD的RF/DC转换效率达到80-90%。
安徽工程大学副院长、教授林信南
《650V硅基氮化镓器件结构与工艺研发》
作为高电压功率半导体器件，650V硅基氮化镓（SiGaN）器件结合了硅（Si）和氮化镓（GaN）材料的特性，具有多种特性和优势，使其成为高电压、高功率和高频率应用的理想选择，有望推动电力电子领域的创新和发展。安徽工程大学副院长、教授林信南带来了“650V硅基氮化镓器件结构与工艺研发”的主题报告，分析了当前器件制造中的问题，从设计、工艺角度分享了解决方案，并提出了器件性能优化的研究成果。其中，提出并优化了一种GFDM AlGaN/GaN器件的制备工艺。通过优化的欧姆接触步长，不仅获得了1.07 Ω·mm的极低欧姆接触电阻值，而且在150mm晶圆上获得了良好的均匀性。提出了一种新型的栅极和钝化介质堆叠，由原位生长在in-situ的Si3N4(3 nm)的薄的MOCVD和生长 Si3N4 (30nm)的厚的(LPCVD)组成。
大连理工大学教授王德君
《碳化硅栅氧技术及未来挑战》
碳化硅（SiC）栅氧技术涉及到在SiC材料上生长氧化物层，以隔离金属栅极和SiC通道之间的电荷，并在栅极上形成电场以控制通道的电子流。对于制造高性能的碳化硅MOSFET和其他SiC器件至关重要。大连理工大学教授王德君带来了“碳化硅栅氧技术及未来挑战”的主题报告，介绍了SiC MOSFET器件可靠性问题、SiC MOS界面缺陷及其物理模拟、SiC半导体界面缺陷测试分析技术 SiC MOS器件高温栅氧化技术、SiC MOS器件先进栅氧化技术等进展。研究基于表界面缺陷研究，提升SiC MOS器件性能稳定性可靠性，推进测试分析诊断、栅氧/金属工艺优化、制造技术及装备、测试技术及仪器等工作。
ULVAC株式会社市场战略中心/中心长王禹
《碳化硅功率器件制造工艺设备技术进展》
碳化硅（SiC）功率器件的制造涉及一系列工艺步骤和特殊设备，以生产高性能、高功率密度和高温稳定性的SiC功率器件。ULVAC株式会社市场战略中心/中心长王禹带来了“碳化硅功率器件制造工艺设备技术进展”的主题报告，指出SiC市场快速增长的两大驱动力，一方面是新能源汽车渗透率的加快。另一方面是风能、光伏和储能拉动SiC器件的需求。产业链应该更好的合作，才能共同推动产业的发展。低成本单晶生长，更好的体验和积累技术，将决定未来市场的发展空间。
江苏博睿光电股份有限公司副总经理梁超博士
《面向高功率器件的超高导热AlN陶瓷基板的研制及开发》
超高导热AlN陶瓷基板具有优异的导热性能和电绝缘性能，能够有效地传导和散热热量。在高功率电子器件、射频（RF）和微波器件、光电子器件等多个应用领域发挥着重要作用。江苏博睿光电股份有限公司副总经理梁超博士带来了“面向高功率器件的超高导热AlN陶瓷基板的研制及开发”的主题报告，分享了高导热AlN陶瓷基板的研究进展，报告指出AlN陶瓷基板的热导率提升有利于助推其更广阔的应用前景，面向不同应用场景的AlN基板的定向开发，推动下游封装技术发展，耦合高性能AlN陶瓷基板与金属化技术，助力发展高功率密度器件的封装需求。
工业和信息化部电子第五研究所功率器件团队总师贺致远博士
《GaN功率器件动态导通电阻测试技术研究》
GaN功率器件动态导通电阻测试，有助于了解性能和可靠性，以进一步优化电路设计和应用。测试结果对于高频、高功率电子应用非常关键。工业和信息化部电子第五研究所功率器件团队总师贺致远博士带来了“GaN功率器件动态导通电阻测试技术研究”的主题报告，报告认为GaN功率器件动态导通电阻问题仍然是限制器件推广应用的最重要的可靠性问题之一。基于横向型GaN HEMT动态导通电阻产生的机理出发，团队制定了基于多次双脉冲累计应力时间的动态导通电阻测试团体标准，并得到了有效验证。不同器件结构、不同工艺水平造成的动态导通电阻退化问题区别较大，相关机理仍不清晰，需要投入更多的理论及试验研究。 工艺提升仍是关键，国产GaN功率器件开发过程中一定要注意相关参数的测试评估。长期应用过程中的动态导通电阻退化问题同样值得关注。
论坛上，围绕着“碳化硅产业发展瓶颈”，“功率器件与封装模块制造”和“降本增效”，”碳化硅及氮化镓器件产业发展趋势“等话题，在王德君教授的主持下，王德君教授、周利民总经理、梁超博士、贺致远总师、叶怀宇博士、林信南教授、王禹博士与现场观众展开积极务实的探讨，从不同的角度分享，互动交流碰撞，带来不同视角的信息与启发。
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(备注：上述信息仅根据报告嘉宾现场分享整理，未经其本人确认，如有出入敬请谅解！)