IFWS 2023前瞻│氮化镓功率电子器件技术分会日程出炉

发表于：2023-11-20 来源：半导体产业网编辑：

得益于高功率、高频率和高温环境下的众多卓越性能，氮化镓功率电子器件技术在具有广阔的发展前景。技术发展具有持续的创新和应用前景，将推动多个领域的技术发展，并满足未来对高性能、高效能转换和小型化的需求。

第九届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）将于2023年11月27-30日在厦门国际会议中心召开。本届论坛由厦门市人民政府、厦门大学、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）主办，厦门市工业和信息化局、厦门市科学技术局、厦门火炬高新区管委会、惠新(厦门)科技创新研究院、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。本届论坛除了重量级开、闭幕大会，设有七大主题技术分会，以及多场产业峰会，将汇聚全球顶级精英，全面聚焦半导体照明及第三代半导体热门领域技术前沿及应用进展。

目前，作为IFWS的重要分会之一的“氮化镓功率电子器件技术分会“日程出炉，本届分会得到了三安光电股份有限公司、中微半导体设备（上海）股份有限公司的协办支持。分会上，来自加拿大多伦多大学、沙特国王科技大学、日本国立材料研究所、台湾成功大学、日本爱发科株式会社、南方科技大学深港微电子学院、西安电子科技大学、华南师范大学、大连理工大学、深圳大学、湖南大学、南京大学、西交利物浦大学、致能科技、成都氮矽科技等国内外实力派代表性科研力量及实力派企业专家将齐聚，共同探讨氮化镓功率电子器件技术的前沿发展趋势及最新动向。

分会日程详情如下:

技术分论坛: 氮化镓功率电子器件 Technical Sub-Forum: Technologies for GaN Power Electronics Devices
时间：2023年11月29日13:30-17:30 地点：厦门国际会议中心酒店 • 大同厅 Time: Nov 29, 13:30-17:30 Location: Xiamen International Conference Center • Datong Hall
协办支持/Co-organizer: 三安光电股份有限公司 San’an Co.,ltd 中微半导体设备（上海）股份有限公司 Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China（AMEC）
屏幕尺寸 / Slides Size：16:9
主持人	张波/ZHANG Bo 电子科技大学集成电路研究中心主任/教授 Profssor, University of Electronic Science and Technology of China 陈敬/CHEN Jing 香港科技大学讲席教授 Chair Professor, Department of Electronic and Computer Engineering、the Hong Kong University of Science and Technology 吴伟东/Wai Tung NG 加拿大多伦多大学教授、多伦多纳米制造中心主任 Director and Professor , Toronto Nanofabrication Centre, University of Toronto
13:25-13:30	嘉宾致辞 / Opening Address
13:30-13:50	GaN基单片电子器件的集成互补金属氧化物半导体D模和E模高电子迁移率晶体管 GaN-based monolithic electronics integrated using complementary metal-oxide-semiconductor D-mode and E-mode high-electron mobility transistors 李清庭--台湾元智大学前副校长、台湾成功大学特聘教授 Ching-Ting LEE--Distinguish professor of Cheng Kung University, Twaiwan
13:50-14:10	GaN溅射技术进展 Progress of sputtering technology in GaN 牛山史三--日本爱发科株式会社首席技术官 USHIYAMA Fumitada--CTO of ULVAC Co.,ltd
14:10-14:30	高性能Si基GaN器件和Ga2O3器件研究进展 Research progress in high-performance Si-based GaN devices and Ga2O3 devices 于洪宇--南方科技大学深港微电子学院院长、教授 YU Hongyu--Professor & Dean of The School of Microelectronics, Southern University of Science and Technology
14:30-14:50	氮化镓功率半导体在中高压领域的进展 Progress of GaN power semiconductors in the medium and high voltage field 黎子兰--广东致能科技有限公司总经理 LI Zilan--General Manager of GuangDong Ziener Technology Co.,Ltd
14:50-15:10	用于电源应用的横向和垂直GaN器件开发 Lateral and Vertical GaN device development for power applications 游淑珍--西安电子科技大学教授 YOU Shuzhen--Professor of Xidian University
15:10-15:35	GaN基Buck-Boost LLC变换器的功率补偿瞬态响应控制策略 A Transient Response Control Strategy with Power Compensation for GaN-based Buck-Boost LLC Converters 刘琦--加拿大多伦多大学 LIU QI--University of Toronto
15:35-15:50	茶歇 / Coffee Break
15:50-16:10	GaN MEMS/NEMS应变调控谐振器 GaN MEMS/NEMS resonator through strain engineering 桑立雯--日本国立材料研究所独立研究员 SANG Liwen--Independent Scientist of National Institute for Materials Science (NIMS), Japan
16:10-16:25	增强型功率氮化镓器件结构设计进展 Progress in Structural Design of Enhanced-Mode Power GaN Devices 朱仁强--成都氮矽科技有限公司器件设计总监 ZHU Renqiang--Design Director of Chengdu DanXi Technology Co.,Ltd
16:25-16:40	基于电子模式GaN的MIS-HEMTS中的工艺和可靠性问题 Process and Reliability Issues in E-Mode GaN-based MIS-HEMTS 黄火林--大连理工大学教授 HUNAG Huolin--Professor of Dalian University of Technology
16:40-16:55	具复合栅极和阶梯结构的新型GaN垂直晶体管研究 Research on a Novel GaN Vertical Transistor with Composite Gate and Stepped Structure 尹以安--华南师范大学研究员 YIN Yi'an--Professor of South China Normal University
16:55-17:10	低成本垂直GaN功率器件 Low-Cost Vertical GaN Power Devices 刘新科--深圳大学副教授 LIU Xinke--Associate Professor of Shenzhen University
17:10-17:25	原位N2或H2/N2等离子体预处理全凹栅增强型LPCVD-Si3N4/PELD-AlN/GaN-MIS-HEMT中陷阱态的研究 Investigation of the Trap States in Fully-Recessed Normally off LPCVD-Si3N4/PEALD-AlN/GaN MIS-HEMT with in-Situ N2 or H2/N2 Plasma Pretreatment 陶明--湖南大学电气与信息工程学院助理教授 TAO Ming--Assistant Professor,College of Electrical and Information Engineering, Hunan University
17:25-17:40	耗尽型AlGaN/GaN HEMT器件的氢效应及可靠性研究 A Study on The Hydrogen Effect and Reliability of a Depletion-Mode AlGaN/GaN HEMT Device 王传举--沙特国王科技大学 ChuanJu Wang--King Abdullah University of Science and Technology
17:40-17:55	NiO/AlGaN界面载流子输运与高压RESURF p-NiO/AlAlGaN/GaN HEMT Carrier transport at NiO/AlGaN interface and high voltage RESURF p-NiO/AlGaN/GaN HEMTs 郭慧--南京大学 GUOHui--Nanjing University
17:55-18:10	适用于48V应用，具有25至250°C的高温灵敏度,单片GaN双管温度传感器，Monolithic GaN Two-Transistor Temperature Sensor with high Temperature Sensitivity from 25 to 250 °C for 48 V applications 李昂--西交利物浦大学 LI Ang--Xi'an Jiaotong-Liverpool University

（备注：本场会议日程仍在调整中，仅供参考，最终以现场为准！）

部分嘉宾

张波

电子科技大学集成电路研究中心主任/教授

张波，电子科技大学集成电路研究中心主任/教授。国家自然科学基金委员会第十二届专家评审组专家；国家“核心电子器件、高端通用芯片及基础软件产品”科技重大专项总体组专家（2008-2013）；国家“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”科技重大专项总体组特聘专家；国家集成电路人才培养基地专家组专家；中国半导体行业协会理事；中国电工技术学会电力电子学会理事；四川省电子学会半导体集成技术专委会主任等。从1980年代起即致力于新型功率半导体技术研究，在功率半导体领域发表SCI收录论文200余篇、EI收录论文300余篇，获中美发明专利授权80余项，获国家科技进步二等奖等国家及部级科研奖励11项（其中牵头获得2010年国家科技进步二等奖）。

陈敬

香港科技大学讲席教授

陈敬，香港科技大学讲席教授。行业实践包括在日本NTT LSI实验室和美国安捷伦科技从事III-V高速器件技术研发工作。陈教授自2000年起在香港科技大学任教，现为电子和计算机工程系正教授。他曾在国际期刊和会议论文集中发表300余篇论文，在GaN电子器件技术方面曾获得9项美国专利授权。他所带领的团队目前的研究重点在于开发电力电子、无线电/微波及耐高温电子应用等方面的GaN器件技术。他是IEEE会士，现为IEEE电子器件学会复合半导体器件与IC技术委员会成员。

吴伟东

加拿大多伦多大学教授、多伦多纳米制造中心主任

吴伟东，加拿大多伦多大学教授、多伦多纳米制造中心主任。其研究领域涵盖智能功率半导体器件及其制作工艺，他尤其擅长功率管理集成电路、集成电源开关和集成D类音频功率放大器的开发。1990年获得多伦多大学的博士学位后，吴教授加入德州仪器公司，开发适用于汽车应用的功率晶体管。1992年吴教授加入香港大学开始学术研究生涯。1993年，吴教授加入多伦多大学，组建了智能功率集成电路和半导体器件研究团队，他拥有智能功率集成电路和射频领域CMOS技术研发与改进的丰富阅历。

李清庭

台湾元智大学前副校长、台湾成功大学特聘教授

李清庭，台湾元智大学前副校长、台湾成功大学特聘教授。曾荣获IEEE会士、IET会士、科技部（国科会）杰出研究奖3次、电子元件及材料协会杰出服务奖、光学工程学会工程奖章、电机工程学会工程奖章、电机工程学会杰出电机工程教授奖及工程师学会杰出工程教授奖，CMO Asia亚洲教育卓越奖/教育领导奖及瑞典国际先进材料学会会士。其研究领域包括奈米材料及元件、硅基奈米发光元件、无机与有机太阳能电池、氧化锌基发光二极管及光检测器、氮化镓基发光二极管及激光、氮化镓基金氧半高速电子移动率场效晶体管。其研究领域亦涵盖III-V族半导体激光、光检测器、高速电子元件、光电元件及光电集成电路。

于洪宇

南方科技大学深港微电子学院院长、教授

于洪宇，南方科技大学深港微电子学院院长、教授。于在集成电路工艺与器件方面，包括CMOS、新型超高密度存储器、GaN器件与系统集成（GaN HEMT）以及电子陶瓷方面发表学术论文近400篇，其中近180篇被SCI收录，总他引次数近5000次，H 影响因子为39。编辑2本书籍并撰写了4本专业书籍的章节。发表/被授予近20 项美国/欧洲专利以及30项以上国内专利。作为项目负责人，承担超过7000万人民币国家/省/市/以及横向科研项目（包括新加坡主持项目）。产学研方面，在第三代半导体领域承担了与华为/方正微电子等公司的横向课题，使得GaN功率器件在其公司的p-line生产，目前承担一项6寸硅基GaN功率器件产业化的广东省重大专项。在电子陶瓷领域创办南湾通信科技有限公司，成功吸引天使投资1500万用于量产介质滤波器。

桑立雯

日本国立材料研究所独立研究员

桑立雯，日本国立材料研究所独立研究员。2012年和2019年两次获得日本科学振兴机构(JST)杰出青年先驱计划PRESTO，2017年获得国际缺陷领域the James W. Corbet Prize，2022年获得日本国家文部科学省科学技术领域文部科学大臣若手科学者奖, 该奖项是日本青年研究人员最高奖。桑立雯研究员课题组主要从事III-V族氮化物界面调控及光电机械器件研究，已发表SCI论文110余篇，总引用次数2800余次(h指数26)，参与撰写英文专著2部。

刘新科

深圳大学副教授

刘新科，深圳大学副教授，长期从事宽禁带氮化镓以及氮化镓异质结的半导体器件研究，在Adv. Mater., Adv.Funct.Mater., Adv. Electron. Mater. IEEE EDL, IEEE TED，APL等知名期刊发表第一或通信作者SCI收录论文80篇，申请专利50项，授权专利9项（含3项PCT和1项美国专利), 科研成果被Semiconductor Today，MaterialsviewChina多次报道，科研成果被Photonic Research 和Advanced Electronic Materials选为封面文章。承担国家科技部重点研发计划课题和任务、国家自然科学青年和面上科学基金、广东省科技计划项目、广东省重点研发计划课题等1多项科研项目。

黄火林

大连理工大学教授

黄火林，大连理工大学教授，入选地方高层次人才计划。曾在新加坡国立大学电机工程系工作多年，从事新一代氮化镓（GaN）半导体电子器件技术开发，典型研究成果是获得3V阈值电压和650V耐压等级的常关型（增强型）功率器件，综合指标达到同期国际先进水平。回国加入大连理工大学后，目前作为大连理工大学氮化镓电子器件实验室负责人，从事高可靠性氮化镓功率器件设计与制造以及新型传感器集成技术研究。在学术成果方面，分别获得中国发明协会发明创业奖创新奖二等奖（排名第一）、中国循环经济协会科学技术奖二等奖（排名第二）、大连理工大学学术成果奖一等奖（排名第一）；在IEEE Electron Device Letters、IEEE Transactions on Power Electronics等领域著名期刊和重要国际会议上发表学术论文超过五十篇，作为主要起草人制定氮化镓器件可靠性测试行业标准两项，申请或授权国际/国内发明专利三十余项（第一发明人、近五年）；近五年主持国家级重点类课题、国家基金委项目、省部级纵向和横向各级项目或课题二十余项；担任国家基金委重点类/面上/联合等项目、教育部/多省科技厅项目及人才项目（会评）评审专家。

尹以安

华南师范大学研究员

尹以安，华南师范大学研究员。多年来专注半导体材料与器件的基础科学、工程技术(晶圆/芯片/专利)和产业应用领域的创新研究。主要研究方向包括第三代半导体/宽禁带半导体(GaN)的外延生长与掺杂机制、器件设计与模拟仿真、芯片制造与模块集成封装，成功研发了一系列蓝、绿紫外LED、肖特基二极管(SBD)、HEMT器件。自主研发的高效深紫外LED芯片，依托大数据支撑，并加入物联网技术，应用于个人及家用的消毒杀菌产品。主持包括广东省科技计划、广东省自然科学基金、广东省产学研、广州市科技计划等在内的多个科研项目。个人项目成果入选了广东高校高质量科技成果库。研究方向涉及宽禁带半导体功率器件、射频器件的外延生长、工艺制备及理论计算；半导体光电子器件研发、芯片制造与模块集成封装等。

游淑珍

西安电子科技大学教授

游淑珍，西安电子科技大学教授。前imec 氮化镓器件研发组组长。毕业于比利时鲁汶大学并获得博士学位。自2012年始，深度参与并领导imec GaN器件研发。全球首发了200mm CMOS兼容的650V GaN 横向晶体管，且通过工业级别可靠性验证。基于MVSG模型，为imec GaN器件建立了物理紧凑模型，开发了GaN集成电路设计平台的PDK。欧盟项目UltimateGaN课题负责人，开发1200V GaN垂直器件及应用于Lidar 的100V GaN 横向器件。

陶明

湖南大学电气与信息工程学院助理教授

陶明，湖南大学电气与信息工程学院助理教授。主讲《数字电子技术基础》本科生专业核心课程。与北京大学、清华大学、国防科技大学、中科院微电子所、中科院纳米所、华为、国家电网等高校、研究所、企事业单位有着良好的合作研究关系。

朱仁强

成都氮矽科技有限公司器件设计总监

朱仁强，成都氮矽科技有限公司器件设计总监。朱仁强博士毕业于香港科技大学，并于香港科技大学从事博士后研究，师从IEEE Fellow Kei May Lau教授。拥有超过五年功率氮化镓器件研发经验。作为主要研究人员参与多个香港创新与科技局研究项目。在国际知名期刊和会议发表论文十余篇。

更多论坛进展信息，敬请关注半导体产业网、第三代半导体产业！

附论坛详细信息：

会议时间 : 2023年11月27-30日

会议地点 :中国· 福建 ·厦门国际会议中心

主办单位：

厦门市人民政府

厦门大学

第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）

中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）

承办单位：

厦门市工业和信息化局

厦门市科学技术局

厦门火炬高新区管委会

惠新(厦门)科技创新研究院

北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司

论坛主题：低碳智联· 同芯共赢

程序委员会：

程序委员会主席团

主席：

张荣--厦门大学党委书记、教授

联合主席：

刘明--中国科学院院士、中国科学院微电子研究所所研究员

顾瑛--中国科学院院士、解放军总医院教授

江风益--中国科学院院士、南昌大学副校长、教授

李晋闽--中国科学院特聘研究员

张国义--北京大学东莞光电研究院常务副院长、教授

沈波--北京大学理学部副主任、教授

徐科--江苏第三代半导体研究院院长、中科院苏州纳米所副所长、研究员

邱宇峰--厦门大学讲座教授、全球能源互联网研究院原副院长

盛况--浙江大学电气工程学院院长、教授

张波--电子科技大学教授

陈敬--香港科技大学教授

徐现刚--山东大学新一代半导体材料研究院院长、教授

吴伟东--加拿大多伦多大学教授

张国旗--荷兰工程院院士、荷兰代尔夫特理工大学教授

Victor Veliadis--PowerAmerica首席执行官兼首席技术官、美国北卡罗莱纳州立大学教授

日程总览：

备注：更多同期活动正在逐步更新中！

注册参会：

备注：11月15日前注册报名，享受优惠票价！

＊中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）或第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）成员单位在此基础上再享受10%优惠。

＊学生参会需提交相关证件。

＊会议现场报到注册不享受各种优惠政策。

＊若由于某些原因，您缴费后无法参会，可办理退款事宜，组委会将扣除已缴费金额的5%作为退款手续费。

＊IFWS相关会议：碳化硅衬底、外延生长及其相关设备技术，氮化物衬底、外延生长及其相关设备技术，碳化功率器件及其封装技术I、Ⅱ，氮化镓功率电子器件，氮化镓射频电子器件，超宽禁带半导体技术，化合物半导体激光器与异质集成技术、氮化物紫外技术；

＊SSL技术会议：光品质与光健康医疗技术，Mini/Micro-LED及其他新型显示技术，半导体照明芯片、封装及光通信技术，氮化物半导体固态紫外技术，光农业与生物技术,化合物半导体激光器与异质集成技术、氮化物紫外技术；

＊IFWS会议用餐包含：28日午餐、28日欢迎晚宴、29日午餐和晚餐、30日午餐；

＊SSL会议用餐：27日晚餐、28日午餐、28日欢迎晚宴、29日午餐。

线上报名通道：

组委会联系方式：

1.投稿咨询

白老师

010-82387600-602

papersubmission@china-led.net

2.赞助/参会/参展/商务合作

张女士

13681329411

zhangww@casmita.com

贾先生

18310277858

jiaxl@casmita.com

余先生

18110121397

yuq@casmita.com

协议酒店：