氮化镓（GaN）功率器件具有高击穿场强、高热导率、低导通和开关损耗、射频功率放大器、直流至直流（DC-DC）变换器、薄膜和二维GaN器件、高电子迁移率等特点，用于制造高频、高功率密度和高效率的功率电子器件。GaN功率器件技术在多个领域都具有广泛的应用前景，可以提高系统效率、减小体积，并推动电力电子技术的发展。
2023年11月28日，第九届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）于厦门国际会议中心盛大开幕。本届论坛由厦门市人民政府、厦门大学、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）主办，厦门市工业和信息化局、厦门市科学技术局、厦门火炬高新区管委会、惠新(厦门)科技创新研究院、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。
开幕大会上，英诺赛科欧洲总经理Denis Macron分享了《高性能GaN功率器件高可靠性和低成本》的主题报告，GaN功率器件使功率转换系统（AC/DC、DC/DC等）比硅功率器件更小、更高效、更简单，从而更便宜，从而彻底改变了功率半导体行业。然而，关于GaN功率器件仍然存在一些神话，比如它们非常昂贵，可靠性值得怀疑。
报告介绍了通过利用规模经济，8英寸高通量制造晶圆厂完全致力于生产硅晶片上的8英寸GaN（即，相对于6英寸，每片晶片约2倍的器件），可以提供具有价格竞争力的GaN功率器件。同时介绍了innoscience的最新可靠性结果，包括失效测试和寿命提取，这将消除关于GaN功率器件可靠性的最后一个悬而未决的问题。通过展示如何利用离散（InnoGaN™) 和集成（SolidGaN™) Innoscience GaN功率器件增强了AC-DC和DC-DC转换器的性能，以最大限度地提高其效率，同时减小其尺寸。
（备注：以上信息仅根据现场整理未经嘉宾本人确认，仅供参考！）