IFWS 2023│高通量方法辅助筛选和预测半导体界面结构——以β-Ga2O3 /AlN 界面为例

发表于:2023-12-06 来源:半导体产业网 编辑:

 近日,第九届国际第三代半导体论坛(IFWS)&第二十届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA)在厦门国际会议中心召开。期间,“超宽禁带半导体技术分会“上,武汉大学冯嘉仁分享了“高通量方法辅助筛选和预测半导体界面结构——以β-Ga2O3 /AlN 界面为例”的主题报告。

学生代讲张召富

功率电子器件广泛应用于电能传输变换各个环节,在各大电能相关领域应用广泛。高性能功率电子器件可以降低电能传输变换过程中损耗,助力“双碳”目标。氧化镓是一种多变的半导体材料,它有六种不同的晶相,其中最稳定的是β相。β相氧化镓可以通过熔融法生长出大尺寸的单晶衬底,这对于制作高性能的功率器件非常有利,其研究备受关注,也面临着β-Ga2O3材料界面建模等挑战。

报告以β-Ga2O3 /AlN 界面为例,分享了高通量方法辅助筛选和预测半导体界面结构的研究成果,涉及界面结构预测、界面筛选、界面批量生成、界面稳定性讨论、能带对齐等内容。研究开发了半导体界面结构高通量搜索软件包(IPG),以Ga2O3 /AlN界面为例验证软件功能,从70862440个构型中,搜索出若干晶面的界面结构,电子结构、能带对齐分析与实验值吻合,IPG软件包具有普适性(金属/半导体界面、介质/半导体界面), 为电子器件的高效设计提供了理论支撑,加速材料设计。

(备注:以上信息仅根据现场整理未经嘉宾本人确认,仅供参考!)