攻克多项关键技术难题,河北这项技术在第三代半导体材料上“弯道超车”

发表于:2024-01-18 来源:半导体产业网 编辑:

 位于科技大厦西展厅,700多平方米的河北科技创新展示服务大厅中,展示着我省百余件最新科技成果,这些展品创新点在哪儿、应用场景有哪些?河北省科技成果展示交易中心搭建起云展台,每日更新介绍展厅内的创新展品,方便技术需求方及社会公众了解我省创新科技成果。

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今天介绍的创新展品是——河北同光半导体股份有限公司研发的碳化硅晶片。

河北同光半导体股份有限公司主要进行碳化硅单晶衬底的研发和生产,目前已经攻克了“高纯碳化硅原料合成”“晶型和结晶质量控制”“籽晶特殊处理”等多个关键技术难题,掌握了“高品质、低缺陷碳化硅单晶衬底”制备技术并实现技术成果转化,产品品质比肩国际先进水平。

该公司研发的碳化硅单晶衬底直径已涵盖4英寸、6英寸、8英寸等不同尺寸,具有“宽禁带”“耐击穿”的特点。

碳化硅晶片根据电阻率的不同,可分为半绝缘型和导电型两种。

半绝缘型衬底主要应用于微波射频器件领域,适用于5G通信等高频、高温工作环境。导电型衬底主要应用于电力电子器件领域,适用于电动汽车中的逆变器、电机驱动器等高温、高压工作环境。