AlN具有超宽的直接带隙 (6.2 eV)、高击穿场强、优异的压电特性和良好的光学性质，特别是AlN与GaN晶格失配小，热膨胀系数接近，热导大幅度高于GaN，具有既实现高质量氮化物半导体同质外延生长，又满足高功率密度器件散热需求的优势，在紫外光电器件、微波毫米波器件、功率电子器件、射频滤波器等领域具有重要应用价值。
2024年6月21至23日，“新一代半导体晶体技术及应用大会”将在山东济南召开，将邀请新一代半导体领域相关高校院所专家和知名企业代表出席，共同研讨新一代半导体晶体技术进展及未来发展趋势，分享前沿研究成果，携手助力我国新一代半导体晶体技术进步和产业发展。
北京大学教授、理学部副主任、宽禁带半导体研究中心主任沈波受邀将出席会议，并带来《AlN单晶衬底和外延薄膜的制备》的大会主旨报告，报告将分享相关最新研究成果，北京大学近年来围绕高质量AlN单晶衬底和外延薄膜的获得开展了系统工作，在AlN体单晶的PVT生长研究上，实现了直径超过62 mm的AlN晶体和直径超过50 mm的AlN单晶衬底；在AlN薄膜的 MOCVD大失配外延研究上，蓝宝石衬底上AlN薄膜的位错腐蚀坑密度已降低至 ~104 cm-2量级。在Si衬底上实现了厚度2 μm的高质量AlN外延薄膜。
沈波，北京大学长江特聘教授、杰青、创新群体带头人、973项目首席科学家。曾任国家863计划“第三代半导体”重点专项总体专家组组长，现为 “新型显示和战略性先进电子材料” 国家重点研发计划第三代半导体方向专家组组长，并担任国家第三代半导体产业技术创新战略联盟副理事长。长期从事GaN基第三代半导体材料、物理和器件研究，先后主持20多项国家级科研项目，发表SCI论文400多篇，出版中英文专著4部，获得/申请国家发明专利80多件，部分成果实现了产业化应用，先后获国家技术发明二等奖、国家自然科学二等奖和多项省部级奖项。
一、组织机构
指导单位：
第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）
主办单位：
山东中晶芯源半导体科技有限公司
山东华光光电子股份有限公司
山东大学新一代半导体材料研究院
山东大学晶体材料国家重点实验室
极智半导体产业网（www.casmita.com）
第三代半导体产业
承办单位：
北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
广州南砂晶圆半导体技术有限公司
协办支持：
山东硅酸盐学会新材料专委会
江苏通用半导体有限公司
顾问委员会：
陈良惠 郑有炓 吴以成 褚君浩 祝世宁 李树深 王立军 黄如 杨德仁 叶志镇 江风益 刘益春 罗毅 金奎娟 刘纪美
大会主席：张荣 徐现刚 吴玲
大会副主席：陈秀芳 赵璐冰 王垚浩 吴德华
程序委员会：
李晋闽 沈波 康俊勇 张清纯 冯淦 盛况 邱宇峰 张波 柏松 陈彤 修向前 黄凯 胡卉 伊晓燕 黎大兵 魏同波 张紫辉 邓小川 刘斌 王晓亮 王新强 张进成 吴军 赵德刚 孙钱 杨学林 单崇新 于浩海 叶建东 王宏兴 王笃福 王光绪 韩吉胜 黄森 冯志红 龙世兵 房玉龙 彭燕 徐明升 朱振 夏伟 杨祥龙 樊仲伟 顾小勇 孙洪波 郝志彪 唐淳 林学春 王成新 于国建 万成安 上官世鹏
组织委员会：
李树强 李强 高娜 张雷 宁静 闫方亮 崔潆心 谢雪健 肖龙飞 薛军帅 王荣堃 刘鹏 王雨雷 王希玮 贾欣龙 王守志 崔鹏 钟宇 李沛旭 沈燕 杜军军 任颖 许建华 等
二、主题方向
1. 碳化硅晶体技术及其应用
·碳化硅晶锭激光剥离技术及其设备
·液相法碳化硅单晶生长技术
·碳化硅外延生长技术
·先进长晶及外延碳材石墨技术
·碳化硅功率器件设计与制造技术
·先进碳化硅长晶炉及外延生长装备
·先进晶体缺陷检测技术及其设备
·先进研磨设备及先进抛光技术
·激光退火设备及技术
·先进刻蚀设备及技术
·银烧结封装技术及先进封装设备
2. 氮化镓、超宽禁带晶体及其应用
·氮化镓单晶及外延生长技术
·氮化镓功率及射频器件技术
·超宽禁带半导体单晶技术
·铌酸锂晶体技术制备
·大尺寸金刚石单晶生长技术
·氧化镓单晶生长技术
·氧化镓外延及器件技术
·先进AlN 单晶生长技术及其应用
·Micro LED 技术
3. 砷化镓、磷化铟晶体及其应用
·砷化镓、磷化铟单晶及外延技术
·半导体激光器技术及应用
·车用激光雷达技术及应用
·光通信技术及应用
·红外LED及显示照明技术
三、会议日程（拟）
时间：2024年6月21-23日 地点：中国·济南
四、拟参与单位
北方华创、百识电子、比亚迪半导体、长飞半导体、东莞天域、东尼电子、华大半导体、华虹半导体、海思半导体、海创光电、瀚天天成、国星光电、基本半导体、江苏宏微、晶盛机电、晶湛半导体、科友半导体、山东华光、连城数控、理想汽车、麦科信、南砂晶圆、日立、三安半导体、山东华光、山东华云光电、山东中晶芯源半导体科技有限公司、是德科技、三环集团、烁科晶体、士兰微、STR、苏州纳维、泰克科技、同光半导体、泰科天润、特思迪、ULVAC、先导新材、西门子、小鹏汽车、意法半导体、英飞凌、扬杰科技、英诺赛科、中博芯、中电化合物、中电科二所、中电科十三所、中电科四十六所、中电科四十八所、中电科五十五所、中镓半导体、中微公司、瞻芯电子、中芯国际、北京大学、东南大学、电子科技大学、复旦大学、清华大学、南京大学、山东大学、西安电子科技大学、西安交通大学、厦门大学、浙江大学、中科院半导体所、中科院微电子所等
五、活动参与
1、注册费2800元，6月10日前注册报名2500元（含会议资料袋，6月22日午餐、欢迎晚宴，6月23日自助午餐、晚餐）。企业展位预定中，请具体请咨询。
2、扫码报名
扫码完成预报名，然后再注册缴费
六、缴费方式
①银行汇款
开户行：中国银行北京科技会展中心支行
账 号：336 356 029 261
名 称：北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
②移动支付
备注：通过银行汇款/移动支付，请务必备注：单位简称+姓名，以便后续查询及开具发票。若需开具发票请将报名信息、转账凭证及开票信息发送至邮箱:lilyli@china-led.net。
七、联系方式
报告及论文投稿联系：
贾先生18310277858，jiaxl@casmita.com
白女士18888840079，bailu@casmita.com
参会及商务合作：
贾先生 18310277858，jiaxl@casmita.com
张女士 13681329411，zhangww@casmita.com
段先生 13717922543，duanpf@casmita.com
八、协议酒店
酒店名称：济南融创施柏阁酒店（济南市历城区凤鸣路5865号）
协议价格：大床/ 标间 含早 500元/1-2份早餐
预订方式：
发邮件到 预订部 jnrcwlc@huazhu.com 抄送：victoria0001@hworld.com
2：邮件模本：晶体会议，姓名，电话，房型，入住时间，退房时间
3：酒店销售经理：谢文宁15966068948