2024年7月25日，由浙江大学、浙江大学杭州国际科创中心牵头起草的团体标准T/CASAS 34202X《用于零电压软开通电路的氮化镓高电子

近日，西安电子科技大学广州研究院第三代半导体创新中心郝跃院士、张进成教授课题组李祥东团队在蓝宝石基增强型e-GaN（氮化镓）

天眼查显示，大连理工大学氮化镓气体传感器及其制备方法、应用专利公布，申请公布日为2024年3月26日，申请公布号为CN117761126A

进入21世纪以来，以氮化镓、碳化硅、氧化镓、金刚石为四大代表的第三代半导体材料开始初露头角。

深圳大学材料学院刘新科课题组成功在氮化镓单晶衬底上外延了具有p型导电特性的高质量连续的MoxRe1-xS2薄膜，制备了一个完全垂直的p-2D/GaN异质光电二极管。器件具有突出的光开关比（> 106）和极高的光探测率（6.13×1014），实现了紫外到可见、近红外区域的宽光谱检测。

这个问题促使香港科技大学和中国其他三所机构的16名研究人员组成的团队不断思考。经过多年努力，他们终于成功制造出一种晶体管，他们称之为混合场效应晶体管（HyFET）。

GaN技术正处于一个充满机遇的阶段，其发展前景十分广阔。尽管相较于硅或GaAs，GaN仍是一项相对年轻的技术，但其进步速度之快令人

太原理工大学周兵课题组和武汉大学袁超课题组合作，先后在国际权威期刊《Materials Characterization》和《Diamond & Related Materials》上，发表研究论文。

据中国科学院微电子研究所消息，近日，微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队在氮化镓电子器件可靠性及热管理方面取得突破，六项

近日，苏州中科重仪半导体材料有限公司（以下简称中科重仪）自主研发的应用于电力电子领域的大尺寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延

2023年11月28日，第九届国际第三代半导体论坛（IFWS）第二十届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）于厦门国际会议中心盛大开幕。

氮化镓（GaN）功率器件具有高击穿场强、高热导率、低导通和开关损耗、射频功率放大器、直流至直流（DC-DC）变换器、薄膜和二维Ga

得益于高功率、高频率和高温环境下的众多卓越性能，氮化镓功率电子器件技术在具有广阔的发展前景。技术发展具有持续的创新和应用

半导体产业网获悉：11月9日，广东致能科技有限公司（以下简称致能科技）完成首个1200V D-Mode高可靠性氮化镓平台。在满足1200V系

半导体产业网 2023年11月10日，温州芯生代科技有限公司在2023世界青年科学家峰会上隆重发布了面向高电压大电流HEMT功率器件应用

随着5G、碳中和、AI时代的来临，芯片市场需求激增，以砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等为代表的化合物半导体市场

以碳化硅、氮化镓、砷化镓和磷化铟为代表的化合物半导体材料，相比第一代单质半导体，在高频性能、高温性能方面优异很多，发展前

以碳化硅、氮化镓、砷化镓和磷化铟为代表的化合物半导体材料，相比第一代单质半导体，在高频性能、高温性能方面优异很多，发展前

以氮化镓、碳化硅等为代表的第三代半导体材料正迎来广阔的发展前景，成为全球的机会和关注焦点。碳化硅作为第三代半导体产业发展

新科技时代背景下，人工智能、能源环保、自动驾驶等需求驱动下，以氮化镓、碳化硅等为代表的第三代半导体材料迎来广阔的发展前景