国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为检测晶圆位置的方法、晶圆环切方法及晶圆环切装置的专利，公开号 C

国家知识产权局信息显示，浙江睿熙科技有限公司申请一项名为VCSEL 集成晶圆及其制造方法的专利，公开号 CN 119134035 A，申请日

中国氮化镓晶圆制造商英诺赛科（02577.HK）启动招股，并将于2024年12月23日结束招股。

俄罗斯最大的芯片制造商之一Angstrom-T因无力偿还990万美元（约合人民币7200万元）债务而宣布破产。

俄罗斯晶圆厂Angstrom-T在近期已经宣布破产。

荷兰半导体企业恩智浦 NXP 与台湾地区特殊制程代工厂商世界先进 VIS 双方合资（股权比例为 4:6）公司 VSMC 今日在新加坡淡滨尼举行其首座晶圆厂的动土典礼。

京东方科技集团11月15日晚公告称，拟通过子公司天津京东方创投出资20亿元参股北电集成12英寸集成电路生产线项目，该项目总投资33

京东方科技集团11月15日晚公告称，拟通过子公司天津京东方创投出资20亿元参股北电集成12英寸集成电路生产线项目，该项目总投资33

南砂晶圆诚邀产业同仁共聚论坛，莅临B12号展位参观交流、洽谈合作

北京大学物理学院凝聚态物理与材料物理研究所、宽禁带半导体研究中心、人工微结构和介观物理国家重点实验室许福军、沈波团队创新

11月6日，北一半导体科技有限公司（以下简称北一半导体）在其官微宣布其晶圆厂喜封金顶。据介绍，北一半导体投资20亿元在穆棱经

西安电子科技大学郝跃院士课题组张进成教授、李祥东教授团队与松山湖材料实验室王新强教授、袁冶副研究员团队，以及广东致能科技有限公司联合攻关

国家知识产权局信息显示，粤芯半导体技术股份有限公司申请一项名为一种光刻机对准方法的专利，公开号CN 118838133 A，申请日期为

团聚金刚石技术是中机新材在金刚石减薄砂轮领域的一大创新。通过这一技术，能够有效地解决微粉磨料的软团聚问题，提高混料的均匀性。

英飞凌在处理和加工史上最薄的硅功率晶圆方面取得了突破性进展，这种晶圆直径为300mm，厚度为20μm。厚度仅有头发丝的四分之一，是目前最先进的40-60μm晶圆厚度的一半。

国家知识产权局信息显示，苏州高视半导体技术有限公司申请一项名为基于晶圆检测系统的晶圆检测方法及其相关产品的专利，公开号 C

国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为光刻机焦距监控方法、焦距监控掩膜版及其形成方法的专

天眼查显示，华海清科股份有限公司驱动机构的保湿控制方法、晶圆清洗装置、存储介质专利公布，申请公布日为2024年9月24日，申请

韩国埃珀特功率半导体晶圆研磨及封测项目、予秦半导体晶体材料研发及产业化项目、盛美半导体设备研发与制造中心、新洁能总部基地及产业化项目、铭方集成电路封装测试及产业化项目、奥东微波毫米波电子产业基地项目迎来新进展。

韩国埃珀特功率半导体晶圆研磨及封测项目签约仪式在临港开发区举行