近日，深圳平湖实验室第三代跃升团队在碳化硅结型场效应晶体管JFET集成电路（IC）研发上取得阶段性进展，成功开发并验证SiC JFET
我们能将碳化硅 (SiC) 衬底厚度推进到多薄而不影响性能？这是我们几十年来一直在追问的问题，同时我们也在不断突破碳化硅 (SiC)
由电科装备下属北京中电科公司自主研制的国内首台套12英寸碳化硅晶锭减薄设备、衬底减薄设备成功发货，顺利交付行业龙头企业，标志着国产设备在大尺寸碳化硅加工领域实现新突破，为大尺寸衬底产能升级提供重要装备保障。
降本增效与技术适配需求核心驱动下，从6英寸主导、8英寸加速渗透到12英寸技术突破，SiC衬底呈现出阶梯式发展路径。随着大尺寸碳
甬江实验室异构集成研究中心聚焦第三代半导体核心基材加工难题，在6-8英寸大尺寸超薄单晶碳化硅晶圆研发领域取得重大技术突破，成功制备出厚度20-30微米的高品质单晶碳化硅晶圆
Stercom 和 Wolfspeed 携手合作，首次将 V2X 应用于带来通用电网兼容性的乘用车，扩展到非公路重型车辆、商用卡车和船舶应用等高功率新能源交通，使之也能从再生能源中受益（并为之做出贡献）。工业车辆是主要的排放源之一，Stercom 致力于塑造其能够更长时间的持续运行，同时减少总体碳足迹。
安光电在投资者互动平台上回应投资者提问，详细披露了公司在化合物半导体领域的最新进展。公司表示，正持续推进化合物半导体前瞻性技术方向布局，旗下湖南三安已布局氧化镓、金刚石等第四代半导体材料的研发。这标志着三安光电在第三代半导体（碳化硅、氮化镓）基础上，进一步向更宽禁带、更耐高压的第四代半导体材料延伸。
技术新突破 | 海目芯微成功研制12英寸碳化硅单晶晶锭
露笑科技股份有限公司发布消息称，控股子公司合肥露笑半导体材料有限公司（以下简称“合肥露笑”）在8英寸导电型碳化硅衬底研发与产业化领域取得重大突破
2026年1月18日-19日，第三代半导体产业技术创新战略联盟主办的“大湾区化合物半导体生态应用大会暨半导体产业CEO大会”将在珠海高新区香山会议中心召开。作为论坛重要分会，“化合物半导体材料论坛”以材料为焦点，将直指产业源头，深度探讨磷化铟、碳化硅、氮化镓、氧化镓等关键半导体材料在“十五五”期间的技术突破与战略布局，为构建自主可控的产业链奠定坚实基础。
【Wolfspeed白皮书】碳化硅功率模块可靠性：Wolfspeed的功率循环与寿命建模方法（附下载链接）
1月4日，厦门士兰集宏一期8英寸碳化硅通线。一期投资70亿，产能3.5万片/月，年产值约75亿。二期投资50亿，新增产能2.5万片/月，
在洛阳市孟津区，走进洛阳中硅高科技有限公司年产300吨碳化硅项目现场，闪着金属光泽的反应炉内，硅原子与碳原子在高温下进行重构、生长，最终沉淀为碳化硅晶体。
为更好的推动国内功率半导体及集成电路学术及产业交流，在第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA)指导下，中国科学院上海微系统与信息技术研究所、极智半导体产业网和第三代半导体产业将于2026年6月11-13日在上海联合主办，“2026功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2026)”，会议内容将涵盖以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料、高压及低压等电力电子器件、功率集成电路、封装等几大主题，将覆盖晶圆制造、芯片设计及加工、模块封装、测试分析、EDA软件工具、设备制造、整机应用等产业链各环节。
作为中国碳化硅衬底行业领军企业，天岳先进公司携全系列12英寸碳化硅衬底产品荣耀登场，也是碳化硅衬底材料首次登陆国际博物馆。硬核科技实力诠释我国宽禁带半导体产业的历史性跨越，为中国制造强国之路注入强劲动能，彰显行业领导力。
晶盛机电在碳化硅（SiC）核心装备领域取得重大突破，12英寸单片式碳化硅外延生长设备顺利交付全球头部SiC外延晶片生产商瀚天天成。
SiC 技术重磅突破！瀚天天成全球首发 12 英寸碳化硅外延晶片。
作为大直径碳化硅基板的先驱企业，Coherent充分利用其在200毫米尺寸基板上积累的成熟技术，开发出了新一代300毫米尺寸的碳化硅基板产品。
江苏超芯星半导体有限公司（Hypersics Co.,Ltd）成立于2019年4月，专注于第三代半导体碳化硅（SiC）衬底全产业链研发与生产，覆
车规级碳化硅（SiC）技术是新能源汽车高压平台的核心，能显著提升续航、加速和充电速度，在主驱逆变器、车载充电（OBC）与DC-DC