江苏超芯星半导体有限公司（Hypersics Co.,Ltd）成立于2019年4月，专注于第三代半导体碳化硅（SiC）衬底全产业链研发与生产，覆

车规级碳化硅（SiC）技术是新能源汽车高压平台的核心，能显著提升续航、加速和充电速度，在主驱逆变器、车载充电（OBC）与DC-DC

江苏超芯星半导体有限公司（Hypersics Co.,Ltd）成立于2019年4月，专注于第三代半导体碳化硅（SiC）衬底全产业链研发与生产，覆

上海瞻芯电子科技股份有限公司副总经理曹峻带来了《新能源汽车用碳化硅MOSFET与可靠性研究》的主题报告，分享了xEV中的SiC MOSFET、质量和可靠性保证、Waferfab和MOSFET的演变等内容。

2025年度中国第三代半导体技术十大进展候选成果TOP30推介：全系列12英寸碳化硅衬底全球首发

在算力持续攀升的科技进程中，高效散热已成为提升芯片性能的关键。超芯星宣布，在碳化硅衬底材料新技术上取得一项重要进展：经客

按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过由上海临港车规半导体研究有限公司、复旦大学宁波研究院联合牵头提出的《碳化硅金属氧化物半导体功率器件（SiC MOSFET）高浓度硫化氢试验方法》团体标准立项建议，详细信息如下：

11月24日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过由深圳青铜剑科

安森美在捷克建设首个8英寸碳化硅全链条工厂、12英寸光学级SiC光波导材料项目落地、中电科光电科技有限公司光电总部基地项目（一期）开工、伊帕思新材料AI高速覆铜板及封装载板基材项目签约、亿封智芯先进封装项目落地、湖北昕纳半导体清洗材料项目正式开工、国科天成成都总部基地封顶、红莲湖思亚诺芯片封装项目年内投运、易芯半导体超大尺寸先进半导体硅材料项目签约、拓荆科技高端半导体设备产业化基地落户沈阳、清溢光电南海基地投产、亚芯微电子义乌封装测试基地即将试产等项目公布新进展。

Wolfspeed 宣布推出最新的工业级 1200 V C4MS 系列分立式碳化硅 MOSFET，基于业界领先的第四代 (Gen 4) 技术平台开发，为硬开关应用提供了优异的性能。

为紧抓化合物半导体产业爆发机遇，进一步发挥珠海产业及应用市场优势，第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）将于2025年12月

为紧抓化合物半导体产业爆发机遇，进一步发挥珠海产业及应用市场优势，第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）将于2025年12月

为紧抓化合物半导体产业爆发机遇，进一步发挥珠海产业及应用市场优势，第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）将于2025年12月

11月11-14日，IFWS&SSLCHINA2025于厦门召开。期间，北京北方华创微电子装备有限公司协办的“碳化硅材料生长及应用”分论坛上，来自产业链相关专家、高校科研院所及知名企业代表共同深入探讨，追踪最新进展。

11-12日，本届论坛特别设置的“专题技术培训及研讨（ShortCourse）”开讲，业界多位实力派专聚焦绕氮化镓、碳化硅、氧化镓等主题，深入分享共同探讨第三代半导体材料及应用相关领域存在的瓶颈问题、研究进展和未来关键技术发展趋势，跟踪产业前沿趋势，了解最新研发成果。

11月11-14日，第十一届国际第三代半导体论坛&第二十二届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA 2025）将在厦门召开。作为论坛重要分会，“碳化硅材料生长及应用”最新报告安排出炉。

11月11-14日，IFWS&SSLCHINA 2025将在厦门召开。作为论坛重要分会，“碳化硅功率电子器件及其封装技术分会”最新报告安排出炉。

11月11-14日，IFWS&SSLCHINA2025将于厦门召开。 届时，电子科技大学教授/博导邓小川将受邀出席论坛，并在Short course专题技术培训课程中分享《高压碳化硅MOSFET器件性能提升技术的发展及其挑战》的主题报告，敬请关注！

第三代半导体产业技术创新战略联盟发布的T/CASAS 046—2024《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态反偏(DRB)试验方法》团体标准，被评为2025年度高质量团体标准。

天成半导体官微宣布，继第二季度研制出12英寸N型碳化硅单晶材料后，又依托自主研发的12英寸碳化硅长晶设备成功研制出12英寸高纯半绝缘碳化硅单晶材料，12英寸N型碳化硅单晶材料晶体有效厚度突破35㎜厚。