内蒙古首条6英寸高性能半导体芯片生产线在准格尔旗正式通线投产

2月8日上午，内蒙古首条6英寸高性能半导体芯片生产线在准格尔旗正式通线投产。这标志着准芯半导体科技（内蒙古）有限公司的这一

近日，山东晶升电子科技有限公司再传技术突破捷报！完全自主研发生产的6英寸VB晶体生长炉（非铱技术） 完成全流程调试，成功交付

浙江岚芯半导体科技有限责任公司6英寸高性能传感器及智能系统生产线研发项目首台套设备搬入仪式在智造新城举行，这标志着浙江岚芯特色工艺晶圆制造基地及总部项目正式进入实质性建设新阶段。

降本增效与技术适配需求核心驱动下，从6英寸主导、8英寸加速渗透到12英寸技术突破，SiC衬底呈现出阶梯式发展路径。随着大尺寸碳

国内超宽禁带半导体材料企业北京铭镓半导体有限公司完成A++轮超亿元股权融资。

准芯半导体先进6英寸硅基功率芯片项目历经一年多紧锣密鼓的建设，核心洁净车间及专业机电安装工程进度已过半，关键生产设备正加速进场，调试与投产筹备工作同步并行，为早日竣工投产筑牢坚实根基。

杭州镓仁半导体有限公司正式推出新品——“SCIENCE系列”科研级VB法长晶设备，专为2-6英寸氧化镓科研场景量身打造，以全自主核心技术助力科研工作者在长晶、掺杂、缺陷控制及材料性能优化等领域高效探索。

当前，南京大学已开展面向航天应用的GaN功率器件设计与流片。逐渐建立GaN功率器件设计与流片能力，开展多轮4/6英寸流片工作，研制抗辐照GaN功率器件。团队在国家大科学装置开展了大量的辐照实验。

新突破│镓仁半导体首发VB法生长最厚6英寸（010）面氧化镓晶体

九峰山实验室近日在磷化铟（InP）材料领域取得重要技术突破，成功开发出6英寸磷化铟（InP）基PIN结构探测器和FP结构激光器的外延生长工艺，关键性能指标达到国际领先水平。

2025年2月，杭州镓仁半导体有限公司(以下简称“镓仁半导体”)在氧化镓晶体生长与加工技术方面取得了新突破，成功实现6英寸斜切氧化镓衬底的制备，其中衬底主面为(100)面沿 [00-1] 方向斜切4°。

5月28日，位于湖北光谷科学岛的长飞先进武汉基地投产，其首片6英寸碳化硅晶圆下线。

扬州晶新微电子有限公司投资的6英寸半导体芯片生产线项目正在紧张有序的进行生产。

2025年4月17日，捷捷微电披露接待调研公告，公司于4月16日接待博时基金、东北电子、东方基金、国联基金管理、国信证券等48家机构

朗峰新材料纳米晶粉与纳米晶器件项目、准芯半导体先进6英寸硅基工业级功率半导体芯片项目、大道空天高新科技（内蒙古）有限公司无人机研发制造项目集中开工仪式在准格尔经济开发区大路产业园举行。

环球晶董事长徐秀兰表示，主流6英寸碳化硅（SiC）基板的价格已经稳定，但市场反弹仍不确定。

华芯微电子首条6英寸砷化镓晶圆生产线第一片晶圆成功下线！

百立新半导体6英寸MEMS晶圆制造线项目备案手续已批复，项目建设周期为2024年至2026年。

预计今年二季度将建成国内领先的特色工艺晶圆生产线，并实现整线通线，进行试生产。