“氮化镓功率电子器件技术II”分会上，嘉宾们带来精彩报告，共同探讨氮化镓功率电子器件技术发展。

日本国立材料研究所廖梅勇团队证明了利用Ib型单晶金刚石（SCD）衬底表面态和深层缺陷的协同效应，可以实现低工作电压（<5 V）的超高增益DUV光电探测器（PD）。

中国科学院上海微系统所异质集成XOI团队和南京电子研究所超宽禁带半导体研究团队合作，在金刚石基氧化镓异质集成材料与器件领域取得突破性进展。

江苏宏瑞兴覆铜板生产项目开工。

此次洽谈的惠科Mini-LED背光/直显模组及整机项目，总投资约70亿元

天岳先进成功获得中知（北京）认证有限公司颁发的基于ISO 56005的《创新与知识产权管理能力》等级证书（3级）。

据先导科技集团官微消息，日前，由先导科技集团旗下先导光电子事业部牵头的安徽省科技创新攻坚计划-氮化镓蓝光装备的全链条国产

天岳先进与您共探SEMICON Japan 2024科技之旅！

格力电器董事长董明珠在《珍知酌见》 栏目里与新浪财经CEO邓庆旭对话时透露，格力电器在芯片研发领域取得重大突破。

观胜半导体科技(合肥)有限公司动土仪式在合肥隆重举行

科技部党组书记、部长阴和俊主持召开党组会，传达学习中央经济工作会议精神，研究部署贯彻落实工作。

”氮化镓功率电子器件技术 I“分会上，嘉宾们齐聚一堂，共同探讨氮化镓功率电子器件技术发展。

德国沉积设备商爱思强宣布，其位于德国黑措根拉特（Herzogenrath）创新研发中心正式揭牌。

天岳先进将继续秉持“先进 品质 持续”的理念，坚持自主创新，品质引领，为碳化硅行业的广阔发展贡献天岳力量。

“碳化硅功率器件及其封装技术 I”分会上，加拿大多伦多大学电气与计算机工程系教授吴伟东做了“SiC 功率 MOSFET老化检测智能栅极驱动器”的主题报告，分享了相关研究进展。

中南大学汪炼成联合中科院半导体研究所、湖南大学团队等近年一直致力原位集成超表面光场调控Micro-LED器件研究。

俄罗斯最大的芯片制造商之一Angstrom-T因无力偿还990万美元（约合人民币7200万元）债务而宣布破产。

由浙江能讯光电科技有限公司建设的光电集成产品产业化项目在区自然资源和规划分局完成方案确认手续

上海应用技术大学材料科学与工程学院房永征、刘玉峰教授团队与国科大杭州高等研究院及美国麻省理工学院（MIT）等国内外单位合作，在二维半导体材料异质外延方面取得重要进展。

北京市新材料产业投资基金”获得市政府批复设立，整体规模100亿元，将投向电子信息材料，以及绿色能源材料、特种及功能材料、前沿新材料等重点领域。