深圳平湖实验室研究员查显弧带来了《通过添加金属元素调节β-Ga₂O₃的电子能带以及β-(RhxGa₁-x)₂O₃的p型导电性》的主题报告，分享了相关研究成果

厦门三安光电有限公司氮化镓事业部高级副总黄少华受带来了《MicroLED技术在微显示领域的机遇与挑战》的主题报告，分享了RGB MicroLED的挑战、AR微型LED开发、投影用MicroLED显示器等内容。

杭州镓仁半导体有限公司正式推出新品——“SCIENCE系列”科研级VB法长晶设备，专为2-6英寸氧化镓科研场景量身打造，以全自主核心技术助力科研工作者在长晶、掺杂、缺陷控制及材料性能优化等领域高效探索。

维信诺在清华大学“敏化荧光及OLED新材料专题技术发展论坛”上宣布，其与清华大学联合研发的第四代pTSF（磷光辅助热活化敏化荧光）技术已实现量产商用，标志着中国在OLED关键材料领域完成了从长期跟跑到自主引领的跨越，将屏幕的“光”真正握在自己手中。

福建晶旭半导体科技有限公司首席科学家，中山大学教授王钢在“超宽禁带半导体技术”分会上带来了《硅衬底氧化镓异质外延生长及应用》的主题报告，分析了大尺寸硅基氧化镓外延、硅基氧化镓器件及应用等内容。

杭州镓仁半导体有限公司首席技术官夏宁在“超宽禁带半导体技术”带来了《大尺寸氧化镓单晶生长及缺陷》的主题报告。

九峰山实验室与上海先普科技、上海振太仪表、合肥欣奕华、湖南德智新材、海普瑞（常州）五家设备及零部件企业集中签约，合作金额超500万元。此次合作标志着九峰山实验室国产化验证工作，已从设备和材料延伸至更为基础的关键零部件环节。

江苏超芯星半导体有限公司（Hypersics Co.,Ltd）成立于2019年4月，专注于第三代半导体碳化硅（SiC）衬底全产业链研发与生产，覆

习近平总书记强调，“推动高质量发展，最重要是加快高水平科技自立自强，积极发展新质生产力，在推动科技创新、加快培育新动能、促进经济结构优化升级上取得实质性、突破性进展。”党的二十届四中全会提出要加快高水平科技自立自强，引领发展新质生产力。这是以习近平同志为核心的党中央立足新形势新要求，深刻把握科技创新与经济社会高质量发展的内在规律作出的重大决策部署，凸显了科技的战略先导地位和根本支撑作用，为新时代加快高水平科技自立自强、引领发展新质生产力、建设现代化强国提供了根本遵循和行动指南。

天津三安光电有限公司芯片开发部部长高守帅在“光医疗与健康技术”分会上带来了《光医疗应用GaAs基LED光源现状和技术挑战》的主题报告。

近日，美国电子电气工程师学会（Institute of Electrical and Electronic Engineers，IEEE）公布了2026年度IEEE会士（Fellow）名

国星光电计划募资9.7亿元投建超高清显示 Mini/Micro LED 及显示模组产品生产建设项目、光电传感及智能健康器件产业化建设项目、智慧家居显示及 Mini 背光模组建设项目、智能车载器件及应用建设项目、国星光电研发实验室项目及补充流动资金。

苏州宝士曼半导体设备有限公司总经理田天成带来了《有压纳米银烧结工艺量产应用实践与检讨》的主题报告，分享了相关研究最新进展及成果，包括有压微纳米银烧结工艺、烧结工艺中相关影响因素分析、量产工艺实践与检讨等内容。

钦堂乡微融媒体中心消息，近日，浙江省建德市钦堂乡蒲田村的LED照明产业改性工程塑料项目一期工程主体已完成结顶，当前现场正推

越工程师培养改革座谈会4日下午在京召开。中共中央政治局常委、国务院副总理丁薛祥出席会议并讲话。

芯片制造商联电（UMC）表示，已与美国Polar Semiconductor签署谅解备忘录，探索在美国合作生产8英寸晶圆。

近日，深圳平湖实验室在低压（15V-40V）氮化镓（GaN）功率器件领域取得突破性进展，成功研制出高性能低压 GaN E-HEMT（增强型高

HORIBA集团半导体事业部半导体量测产品经理熊洪武带来了《光致发光光谱技术在化合物半导体中的应用》的主题报告，分享了相关研究最新进展及成果，涉及化合物半导体及外延工艺、光致发光应用（PL光谱成像、PL强度成像 ）等内容。

九峰山实验室新发布的科技成果——氮化镓电源模块。团队负责人李思超博士说，该成果目前已完成概念验证，即将开始中试验证，预计3-5年内量产，届时可满足千亿级市场需求。

广东工业大学、河北工业大学楚春双副教授、张勇辉教授、张紫辉教授课题组联合中国科学院半导体研究所刘乃鑫副研究员、闫建昌研究员课题组，在提升AlGaN基深紫外发光二极管（DUV LED）光提取效率、提高空穴注入效率、降低金属/p型半导体界面势垒方面取得重要突破。