近日，深圳平湖实验室在100V氮化镓（GaN）功率器件领域取得关键进展，成功研制出高性能100V GaN E-HEMT（增强型高电子迁移率晶体管）器件与封装工程样品，关键性能达到行业先进水平，可为数据中心二次电源、人形机器人与无人机电机驱动提供有全新解决方案。

晶盛机电在碳化硅（SiC）核心装备领域取得重大突破，12英寸单片式碳化硅外延生长设备顺利交付全球头部SiC外延晶片生产商瀚天天成。

日本半导体制造商 ROHM 罗姆当地时间昨日宣布与塔塔电子就在印半导体制造达成面向印度和全球市场的战略合作伙伴关系。两家企业将

12月23日，美清半导体（苏州）有限公司（以下简称美清半导体）投产仪式在汾湖高新区举行，其8英寸MEMS喷墨打印芯片产线正式投产

外交部发言人林剑主持例行记者会。林剑表示，中方坚决反对美方滥施关税、无理打压中国产业。美方的做法扰乱全球产供链稳定，阻碍各国半导体产业的发展，损人害己。

南京理工大学微电子学院（集成电路学院）教师王酉杨以第一作者身份在功率半导体领域国际顶级期刊《IEEE Transactions on Power Electronics》发表了题为“ANN-assisted Switching Loss Prediction for SiC MOSFET Power Module”的研究成果。

SiC 技术重磅突破！瀚天天成全球首发 12 英寸碳化硅外延晶片。

芯元基半导体正式启动面向光通信应用的Micro LED专项研发。

惠科Mini-LED背光/直显模组及整机项目主体结构全面封顶。

据西安日报报道，近日，由陕西电子信息集团为主体投资建设的陕西电子芯业时代科技有限公司8英寸高性能特色工艺半导体生产线已正

国家标准委发文规范推荐性国家标准起草单位和起草人署名。文件如下：

12月22日，武汉万集光电技术有限公司（简称万集光电）与光谷光电子信息产业园签约，将建设万集光电激光雷达产品研发及生产总部。

进化半导体（深圳）有限公司的氧化镓技术再次取得重要突破。通过提拉工艺和热场的改进，成功基于“无铱工艺”（PMF-Precious Metal Free）制备出直径110mm 即4英寸 (010)面 β-Ga2O3 掺铁半绝缘晶体。

臻晶半导体携手南昌大学，围绕8英寸厚SiC单晶的低成本制备展开联合攻关

广东胜天光电半导体光电器件封装技术研发及生产总部项目在中山火炬高新区民众街道正式奠基动工。

鄂州市临空经济区为晔成半导体AI人工智能算力硅光芯片项目举办开工仪式。

12月22日，青藏高原首条新型显示模组生产线在西宁（国家级）经济技术开发区东川工业园区建成投产，首片新型显示模组成功下线并顺

中共安徽省委关于制定国民经济和社会发展第十五个五年规划的建议发布，其中提出，加强原始创新和关键核心技术攻关。以超常规举措加强关键共性技术、前沿引领技术、现代工程技术、颠覆性技术创新。动态梳理“卡脖子”技术清单，推动集成电路、新型显示、工业母机、高端仪器、基础软件、先进材料、生物制造、核心种源等重点领域关键核心技术攻关取得重大突破。

在国家科技重大专项支持下，深圳平湖实验室在高压1200V级GaN功率器件领域取得关键性突破，首次在8英寸Si衬底上实现了超过8m的低

瑞驰机电激光设备研发生产基地项目在江宁开发区开工