关于重新发布“空间飞行器在轨服务与维护系统”国家科技重大专项可靠性维修性工作总体研究项目申报指南的通知

总投资约4亿元，年产10亿颗半导体芯片封装测试项目预计于明年5月投产

年产5000万片超宽禁带晶圆级半导体散热片项目、万州半导体器件模组产业化项目、粤芯半导体12英寸集成电路项目（四期项目）、功率半导体用高性能AMB陶瓷基板项目、柔性高密度超薄覆晶铜箔基板生产基地项目、燕东微北电12英寸集成电路生产线项目、合肥芯谷微电子微波器件及模组项目迎来新进展。

林州市人民政府对河南赛米金石半导体有限公司年产5000万片超宽禁带晶圆级半导体散热片项目（一期）环境影响报告表受理情况进行公示。

半导体器件模组产业化项目总投资9亿元，由先导集团所属重庆先越光电科技有限公司实施，将助力万州补上至关重要的封装环节，打造从原材料金属镓到化合物半导体芯片到器件模组的完整产业链。

粤芯半导体技术股份有限公司目前已完成12英寸集成电路数模混合特色工艺生产线项目（四期项目）备案。

小米集团手机部与苏州能讯高能半导体有限公司、香港科技大学合作的论文成功入选，率先报道了应用于移动终端的高效率低压硅基氮化镓射频功率放大器，并在 GaN and III-V Integration for Next-Generation RF Devices 分会场首个亮相。

国际电工委员会（IEC）近日发布由我国牵头修订的两项功率半导体器件领域关键国际标准《半导体器件 第2部分：分立器件 整流二极管

近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所异质集成XOI课题组欧欣研究员张师斌研究员团队，基于LiTaO3/SiC异质集成衬底平台，

氮化镓（GaN）材料具备禁带宽度大、临界击穿电场高、易于形成高迁移率二维电子气等特性，是实现高耐压、低损耗功率器件的理想半

黄石沪士电子高层高密度互连板项目开工建设。

总投资近10亿元的重庆新申新电子陶瓷材料新建项目（简称“新申新材料”）在两江新区水土新城正式开工。

鄂州市华容区红莲湖半导体产业园迎来项目建设密集落地节点——武汉星辰智能电子有限公司、湖北捷云电子科技有限公司、武汉华飞龙产业发展有限责任公司、武汉万芯达光电科技有限公司四家企业同日启动项目建设，总投资额合计达2.53亿元。

华彩光电华中基地在蔡甸经济开发区正式投产，电子级保护膜量产成功。

杭州镓仁半导体有限公司首席技术官夏宁在“超宽禁带半导体技术”带来了《大尺寸氧化镓单晶生长及缺陷》的主题报告。

睿合科技在合肥高新区举行了“睿合科技创新事业研发中心及显示应用整合制造基地”项目的开工奠基仪式。

苏州纳米所孙钱研究员团队成功研制出一种基于AlGaN/GaN异质结的硅基氮化镓“近无接入区”金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管（MIS-HEMT）器件，基于结构创新，在较为宽松的加工精度条件下，有效降低了膝点电压，并在低压应用中展现出卓越的直流与射频性能。

天津三安光电有限公司芯片开发部部长高守帅在“光医疗与健康技术”分会上带来了《光医疗应用GaAs基LED光源现状和技术挑战》的主题报告。

江苏超芯星半导体有限公司（Hypersics Co.,Ltd）成立于2019年4月，专注于第三代半导体碳化硅（SiC）衬底全产业链研发与生产，覆

厦门光莆电子股份有限公司研究院副院长王清在“生物农业照明技术”分会上带来了《数字之光，照亮农业现代化未来》的主题报告，分析了植物照明市场，光莆植物照明系统，补光系统研究等内容。