通过一种低成本、易操作的热退火方法，实现了对PECVD法生长的Ga2O3薄膜的表面调控，并基于能带调控理论，探索了这种热重组工程对基于Ga2O3的MSM型电光探测器性能的具体影响，提出了可实现的表面改性方法，涉及宽带隙半导体Ga2O3的表面物理与光电物理的融合。

半导体产业网获悉：1月17日，高性能半导体材料科研成果转化框架协议签约仪式在青岛天安科创城举行。仪式上，青岛大商电子有限公

在国务院新闻办公室今日举行的发布会上，国家发展改革委政策研究室主任金贤东介绍，我国新能源汽车产销量占全球比重超过60%、连

位于科技大厦西展厅，700多平方米的河北科技创新展示服务大厅中，展示着我省百余件最新科技成果，这些展品创新点在哪儿、应用场

据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为一种高动态稳定性的GaN器件，公开号CN117410327A，申请日期为2023年1月。专利摘要显

人工视觉芯片是一种感算一体化的图像传感器，能够单芯片完成图像获取和原位实时智能图像处理等任务，是一种典型的边端型智能感知

对于半导体行业而言，最坏的时刻似乎已经过去。

国家第三代半导体技术创新中心（南京）牵头7家高等院校、科研院所和龙头企业共同组建的江苏省碳化硅电力电子技术创新联合体成功入选

亲爱的汽车人，感谢您关注EAC2024易贸汽车产业大会暨易贸汽车产业链展!

GaN微纳米器件涉及纳米线阵列LED、纳米线柔性LED、纳米线激光器、纳米线集成光波导等，由于难以实现纳米尺寸、空间密度、形貌、结构等的有效控制，限制了纳米材料和器件的发展和应用。报告介绍一种新型GaN微纳结构的制备方法、光电特性及其紫外探测器件。

SEMI（国际半导体产业协会）在其最新的《世界晶圆厂预测》报告中表示，全球半导体产业月产能将在2023年增长5.5％，达到2960万片

江西南昌大力推动硅衬底发光二极管蓝光技术开发应用。

中科潞安作为深紫外一体化消毒杀菌解决方案供应商，一直致力于研发深紫外核心技术并开发深紫外中高端产品。

理想晶延业界首创的光伏切片电池侧壁钝化 (Edge Passivation Deposition EPD）设备正式整装出货！

Luminus Devices宣布，湖南三安半导体与其签署了一项合作协议，Luminus将成为湖南三安SiC和GaN产品在美洲的独家销售渠道，面向功率半导体应用市场。

2011年，国内碳化硅产业的幼苗经历十余年发展完成了晶圆尺寸从2英寸往4英寸迭代，国内导电型碳化硅产品和技术布局刚开始，产业基

中国电科第四十八研究所自主研发的40台SiC外延炉成功Move in。

目前，江宁开发区第三代半导体产业“第一梯队”，由国博电子、国盛电子等“中电科系”龙头企业“领衔”，去年这些龙头企业相继迎来重大发展节点。

1月3日，证监会官网披露了深圳市龙图光罩股份有限公司(以下简称龙图光罩或公司)首次公开发行股票注册的批复，公司IPO注册获同意

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